公开(公告)号：CN1586013A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN02822606.2

申请日：2002-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明求 ,  金縣裁 ,  姜淑映

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10S260/35

Abstract: 用于形成多晶硅的掩膜包括：第一狭缝区域，在此多个水平狭缝图案沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度；第二狭缝区域，在此多个水平狭缝图案沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度；第三狭缝区域，在此多个水平狭缝图案沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度；以及第四狭缝区域，在此多个水平狭缝图案沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度。排列在第一至第四狭缝区域的狭缝图案的宽度沿着水平方向顺次以第一狭缝区域的狭缝图案宽度d的倍数比例增加。沿着水平方向排列在第一至第四狭缝区域的狭缝图案的中心位于同一线上。在各自狭缝区域沿垂直方向排列的狭缝图案以8＊d间距彼此隔开。可选地，第一至第四狭缝区域可以相反的顺序排列，或者沿垂直方向排列。