公开(公告)号：CN116247056A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202210979529.7

申请日：2022-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱然 ,  姜尚廷 ,  金真雨 ,  成有梨

IPC: H01L27/092

Abstract: 提供了半导体装置，其包括：基底，包括PMOSFET区域和NMOSFET区域；以及PMOSFET区域上的第一晶体管和NMOSFET区域上的第二晶体管，第一晶体管包括：第一栅极介电层，在基底上；第一下金属图案，在第一栅极介电层上；第二下金属图案，在第一下金属图案上；以及第一中间图案，在第一下金属图案与第二下金属图案之间，第二晶体管包括：第二栅极介电层，在基底上；第三下金属图案，在第二栅极介电层上；以及第二中间图案，在第二栅极介电层与第三下金属图案之间，第一中间图案和第二中间图案均包括镧，第一下金属图案至第三下金属图案均包括金属氮化物，并且第一下金属图案的厚度大于第三下金属图案的厚度。

公开(公告)号：CN105990232A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610149691.0

申请日：2016-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱然 ,  姜尚廷 ,  安智焕

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7856 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/0924

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括半导体衬底上的至少一个第一栅极结构和至少一个第二栅极结构。所述至少一个第一栅极结构具有在第一方向上延伸的平坦上表面和在垂直于第一方向的第二方向上的第一宽度。所述至少一个第二栅极结构具有在第一方向上延伸的凸上表面和在第二方向上的第二宽度，第二宽度大于第一宽度。

公开(公告)号：CN115223934A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210016194.9

申请日：2022-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐明秀 ,  姜尚廷 ,  金柱然 ,  尹智 ,  洪世基

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件包括：有源图案，均从衬底突出并且沿与衬底的上表面基本上平行的第一方向延伸；隔离图案，设置在衬底上并且覆盖每个有源图案的下侧壁；栅极结构，在有源图案和隔离图案上沿第二方向延伸，其中，第二方向与衬底的上表面基本上平行并且与第一方向交叉；以及分离图案，设置在隔离图案上，其中，分离图案接触栅极结构的在第二方向上的端部。栅极结构包括顺序地堆叠的栅极绝缘图案、栅极阻挡物和栅电极。栅极绝缘图案和栅极阻挡物不形成在分离图案的侧壁上，并且栅电极接触分离图案的侧壁。栅极绝缘图案、栅极阻挡物和栅电极顺序地堆叠在隔离图案的与分离图案的侧壁相邻的部分的上表面上，并且栅极绝缘图案接触隔离图案的部分的上表面。

公开(公告)号：CN113540086A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110393477.0

申请日：2021-04-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱然 ,  姜尚廷 ,  金真雨 ,  尹智

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L23/48 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供一种半导体器件。该半导体器件包括：基板，包括第一区域和第二区域；第一栅极结构，在基板的第一区域上沿第一方向延伸，该第一栅极结构包括第一栅极绝缘膜和设置在第一栅极绝缘膜上的第一功函数膜；以及第二栅极结构，在基板的第二区域上沿第一方向延伸，该第二栅极结构包括第二栅极绝缘膜和设置在第二栅极绝缘膜上的第二功函数膜，其中第一功函数膜在与第一方向交叉的第二方向上的第一厚度不同于第二功函数膜在第二方向上的第二厚度，以及其中第一功函数膜在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上的第一高度不同于第二功函数膜在第三方向上的第二高度。

公开(公告)号：CN105990232B

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201610149691.0

申请日：2016-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱然 ,  姜尚廷 ,  安智焕

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括半导体衬底上的至少一个第一栅极结构和至少一个第二栅极结构。所述至少一个第一栅极结构具有在第一方向上延伸的平坦上表面和在垂直于第一方向的第二方向上的第一宽度。所述至少一个第二栅极结构具有在第一方向上延伸的凸上表面和在第二方向上的第二宽度，第二宽度大于第一宽度。