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公开(公告)号：CN116247056A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202210979529.7
申请日：2022-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 提供了半导体装置，其包括：基底，包括PMOSFET区域和NMOSFET区域；以及PMOSFET区域上的第一晶体管和NMOSFET区域上的第二晶体管，第一晶体管包括：第一栅极介电层，在基底上；第一下金属图案，在第一栅极介电层上；第二下金属图案，在第一下金属图案上；以及第一中间图案，在第一下金属图案与第二下金属图案之间，第二晶体管包括：第二栅极介电层，在基底上；第三下金属图案，在第二栅极介电层上；以及第二中间图案，在第二栅极介电层与第三下金属图案之间，第一中间图案和第二中间图案均包括镧，第一下金属图案至第三下金属图案均包括金属氮化物，并且第一下金属图案的厚度大于第三下金属图案的厚度。
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