公开(公告)号：CN115223934A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210016194.9

申请日：2022-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐明秀 ,  姜尚廷 ,  金柱然 ,  尹智 ,  洪世基

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件包括：有源图案，均从衬底突出并且沿与衬底的上表面基本上平行的第一方向延伸；隔离图案，设置在衬底上并且覆盖每个有源图案的下侧壁；栅极结构，在有源图案和隔离图案上沿第二方向延伸，其中，第二方向与衬底的上表面基本上平行并且与第一方向交叉；以及分离图案，设置在隔离图案上，其中，分离图案接触栅极结构的在第二方向上的端部。栅极结构包括顺序地堆叠的栅极绝缘图案、栅极阻挡物和栅电极。栅极绝缘图案和栅极阻挡物不形成在分离图案的侧壁上，并且栅电极接触分离图案的侧壁。栅极绝缘图案、栅极阻挡物和栅电极顺序地堆叠在隔离图案的与分离图案的侧壁相邻的部分的上表面上，并且栅极绝缘图案接触隔离图案的部分的上表面。

公开(公告)号：CN115116953A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210059362.2

申请日：2022-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱然 ,  李炯宗 ,  尹智 ,  洪世基

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件包括在衬底上的第一有源图案。第一有源图案包括一对第一源极/漏极图案和在该对第一源极/漏极图案之间的第一沟道图案。栅电极设置在第一沟道图案上，第一栅极间隔物设置在栅电极的侧表面上。第一栅极间隔物包括第一间隔物和第二间隔物。第一间隔物的顶表面低于第二间隔物的顶表面。第一阻挡图案设置在第一间隔物上，栅极接触连接到栅电极。第一阻挡图案插置在栅极接触和第二间隔物之间。

公开(公告)号：CN113540086A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110393477.0

申请日：2021-04-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱然 ,  姜尚廷 ,  金真雨 ,  尹智

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L23/48 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供一种半导体器件。该半导体器件包括：基板，包括第一区域和第二区域；第一栅极结构，在基板的第一区域上沿第一方向延伸，该第一栅极结构包括第一栅极绝缘膜和设置在第一栅极绝缘膜上的第一功函数膜；以及第二栅极结构，在基板的第二区域上沿第一方向延伸，该第二栅极结构包括第二栅极绝缘膜和设置在第二栅极绝缘膜上的第二功函数膜，其中第一功函数膜在与第一方向交叉的第二方向上的第一厚度不同于第二功函数膜在第二方向上的第二厚度，以及其中第一功函数膜在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上的第一高度不同于第二功函数膜在第三方向上的第二高度。