公开(公告)号：CN111347344A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201910680928.1

申请日：2019-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全成基 ,  崔相壹 ,  郑昶秀 ,  姜太圭

IPC: B24B37/11 ,  B24B37/27

Abstract: 一种晶片研磨轮包括多个轮尖端。所述多个轮尖端包括多个金刚石磨料粒和与所述多个金刚石磨料粒混合的粘合材料。所述多个金刚石磨料粒在长轴方向上的长度与在短轴方向上的宽度之比为2.5:1至3.5:1，并且包括研磨角度为90°或更小的边或顶点。

公开(公告)号：CN110931427A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910601994.5

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相壹 ,  卢希锡 ,  全成基 ,  姜太圭

IPC: H01L21/78

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：提供第一晶片，第一晶片包括基体衬底和元件区域，基体衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面，元件区域设置在基体衬底的所述第一表面上，其中，第一晶片包括彼此相邻的第一半导体芯片区域和第二半导体芯片区域，第一半导体芯片区域和第二半导体芯片区域均包括基体衬底的一部分和元件区域的一部分；在第一半导体芯片区域与第二半导体芯片区域之间在基体衬底中形成切割图案；研磨基体衬底的一部分以由第一晶片形成第二晶片；在经研磨的基体衬底的第二表面上形成应力释放层；以及扩展第二晶片以将第一半导体芯片区域和第二半导体芯片区域彼此分离。

公开(公告)号：CN119673788A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202410804120.0

申请日：2024-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵庚得 ,  李信烨 ,  姜太圭 ,  柳明铉 ,  黄载善

IPC: H01L21/60 ,  B23K1/005 ,  B23K3/04 ,  H05K3/34

Abstract: 公开了一种焊接装置、使用该焊接装置制造半导体封装的方法以及制造焊接装置的方法。焊接装置包括其上装载有多个电子器件的工作台、设置在工作台上并被配置为向多个电子器件投射光的光源、以及设置在光源和多个电子器件之间的掩膜。掩膜具有暴露多个电子器件中的每一个的至少一部分的开口，并且引导件连接到掩膜并向多个电子器件延伸。该引导件包括反射材料。

公开(公告)号：CN111347344B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN201910680928.1

申请日：2019-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全成基 ,  崔相壹 ,  郑昶秀 ,  姜太圭

IPC: B24B37/11 ,  B24B37/27

Abstract: 一种晶片研磨轮包括多个轮尖端。所述多个轮尖端包括多个金刚石磨料粒和与所述多个金刚石磨料粒混合的粘合材料。所述多个金刚石磨料粒在长轴方向上的长度与在短轴方向上的宽度之比为2.5:1至3.5:1，并且包括研磨角度为90°或更小的边或顶点。

公开(公告)号：CN110931427B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN201910601994.5

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相壹 ,  卢希锡 ,  全成基 ,  姜太圭

IPC: H01L21/78

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：提供第一晶片，第一晶片包括基体衬底和元件区域，基体衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面，元件区域设置在基体衬底的所述第一表面上，其中，第一晶片包括彼此相邻的第一半导体芯片区域和第二半导体芯片区域，第一半导体芯片区域和第二半导体芯片区域均包括基体衬底的一部分和元件区域的一部分；在第一半导体芯片区域与第二半导体芯片区域之间在基体衬底中形成切割图案；研磨基体衬底的一部分以由第一晶片形成第二晶片；在经研磨的基体衬底的第二表面上形成应力释放层；以及扩展第二晶片以将第一半导体芯片区域和第二半导体芯片区域彼此分离。