公开(公告)号：CN111347344A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201910680928.1

申请日：2019-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全成基 ,  崔相壹 ,  郑昶秀 ,  姜太圭

IPC: B24B37/11 ,  B24B37/27

Abstract: 一种晶片研磨轮包括多个轮尖端。所述多个轮尖端包括多个金刚石磨料粒和与所述多个金刚石磨料粒混合的粘合材料。所述多个金刚石磨料粒在长轴方向上的长度与在短轴方向上的宽度之比为2.5:1至3.5:1，并且包括研磨角度为90°或更小的边或顶点。

公开(公告)号：CN110931427A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910601994.5

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相壹 ,  卢希锡 ,  全成基 ,  姜太圭

IPC: H01L21/78

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：提供第一晶片，第一晶片包括基体衬底和元件区域，基体衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面，元件区域设置在基体衬底的所述第一表面上，其中，第一晶片包括彼此相邻的第一半导体芯片区域和第二半导体芯片区域，第一半导体芯片区域和第二半导体芯片区域均包括基体衬底的一部分和元件区域的一部分；在第一半导体芯片区域与第二半导体芯片区域之间在基体衬底中形成切割图案；研磨基体衬底的一部分以由第一晶片形成第二晶片；在经研磨的基体衬底的第二表面上形成应力释放层；以及扩展第二晶片以将第一半导体芯片区域和第二半导体芯片区域彼此分离。

公开(公告)号：CN110931427B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN201910601994.5

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相壹 ,  卢希锡 ,  全成基 ,  姜太圭

IPC: H01L21/78

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：提供第一晶片，第一晶片包括基体衬底和元件区域，基体衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面，元件区域设置在基体衬底的所述第一表面上，其中，第一晶片包括彼此相邻的第一半导体芯片区域和第二半导体芯片区域，第一半导体芯片区域和第二半导体芯片区域均包括基体衬底的一部分和元件区域的一部分；在第一半导体芯片区域与第二半导体芯片区域之间在基体衬底中形成切割图案；研磨基体衬底的一部分以由第一晶片形成第二晶片；在经研磨的基体衬底的第二表面上形成应力释放层；以及扩展第二晶片以将第一半导体芯片区域和第二半导体芯片区域彼此分离。

公开(公告)号：CN111347344B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN201910680928.1

申请日：2019-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全成基 ,  崔相壹 ,  郑昶秀 ,  姜太圭

IPC: B24B37/11 ,  B24B37/27

Abstract: 一种晶片研磨轮包括多个轮尖端。所述多个轮尖端包括多个金刚石磨料粒和与所述多个金刚石磨料粒混合的粘合材料。所述多个金刚石磨料粒在长轴方向上的长度与在短轴方向上的宽度之比为2.5:1至3.5:1，并且包括研磨角度为90°或更小的边或顶点。

公开(公告)号：CN113053797A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011535095.9

申请日：2020-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢希锡 ,  崔相壹 ,  全成基 ,  赵俸秀

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/677

Abstract: 本公开提供了基板传送装置以及使用该基板传送装置的基板传送系统。该基板传送装置包括：主体，包括半导体基板被吸附到其上的第一表面以及与第一表面相反的第二表面，第一表面包括设置在主体的中央区域中的空腔、和附接单元，该附接单元设置在主体的边缘上从而围绕空腔并形成负压以吸附半导体基板；以及连接器，连接到主体的第二表面并支撑主体，其中空腔包括具有至少一个通孔的下表面，该通孔穿透主体的第一表面和第二表面并将空腔连接到外部空间，并且空腔包括相对于在主体的边缘处的第一表面以2.9°至5°的角度倾斜的侧表面。