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公开(公告)号:CN107527816A
公开(公告)日:2017-12-29
申请号:CN201710446932.2
申请日:2017-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/417
CPC classification number: H01L21/76879 , H01L21/28518 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L21/76897 , H01L23/485 , H01L29/785 , H01L29/66795 , H01L29/41791
Abstract: 提供了一种用于对鳍式场效应晶体管器件的源极-漏极结构形成低寄生电容接触件的方法。在一些实施例中所述方法包括将长沟槽向下刻蚀至源极-漏极结构,沟槽足够长以延伸横跨器件的所有源极-漏极区。导电层形成在源极-漏极结构上,沟槽填充有第一填充材料。第二、较窄沟槽沿第一沟槽的长度的一部分开口,并且填充有第二填充材料。第一填充材料可以是导电的,并且可以形成所述接触件。如果第一填充材料不是导电的,则第三沟槽可以在第一沟槽的未填充有第二填充材料的部分中开口,并且填充有导电材料以形成所述接触件。
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公开(公告)号:CN107527816B
公开(公告)日:2021-09-28
申请号:CN201710446932.2
申请日:2017-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/417
Abstract: 提供了一种用于对鳍式场效应晶体管器件的源极‑漏极结构形成低寄生电容接触件的方法。在一些实施例中所述方法包括将长沟槽向下刻蚀至源极‑漏极结构,沟槽足够长以延伸横跨器件的所有源极‑漏极区。导电层形成在源极‑漏极结构上,沟槽填充有第一填充材料。第二、较窄沟槽沿第一沟槽的长度的一部分开口,并且填充有第二填充材料。第一填充材料可以是导电的,并且可以形成所述接触件。如果第一填充材料不是导电的,则第三沟槽可以在第一沟槽的未填充有第二填充材料的部分中开口,并且填充有导电材料以形成所述接触件。
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