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公开(公告)号：CN1750168B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200510092762.X
申请日：2005-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种磁存储器件和操作该磁存储器件的方法，该磁存储器件具有一致翻转特性并且能够由低电流翻转。该磁存储器件包括具有圆柱形状和共轴形成的元件的MTJ(磁性隧道结)层。该MTJ层包括：被施加写电流的导电层、共轴形成在该导电层周围的绝缘层、以及形成在该绝缘层周围的材料层，该材料层与该导电层共轴并且具有多个磁层。该材料层至少包括沿该导电层顺序堆叠的下磁层、隧穿层和上磁层。当写电流施加到导电层时，在上磁层中感应闭合磁场并且上磁层的磁矩沿该闭合磁场排列。
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公开(公告)号：CN1909239B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200610121248.9
申请日：2006-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1286 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144
Abstract: 本发明公开了一种相变材料、包括该相变材料的PRAM以及制造和操作这种PRAM的方法。绝缘杂质均匀分布在相变材料的整个或部分区域上。该PRAM包括含有相变材料的相变层。相变材料的绝缘杂质含量可小于相变材料体积的10％。相变材料绝缘杂质的含量可以通过控制施加到包括绝缘杂质的靶的电能调节。
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公开(公告)号：CN100555651C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200510126836.7
申请日：2005-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1608
Abstract: 提供了一种PRAM，及其制造方法。所述PRAM包括晶体管和数据存储器。所述的数据存储器连接至所述晶体管。数据存储器包括顶部电极、底部电极和多孔PCM层。所述的多孔PCM层插入到所述顶部电极和底部电极之间。根据本发明，PRAM具有这样的结构，其能够增大PCM层的电流密度，并降低复位电流。
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公开(公告)号：CN101030593A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200610142347.5
申请日：2006-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/12 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/16
Abstract: 本发明提供了具有改进的结构以改善相变材料层的附着的相变存储器，以及该存储器的制造方法。该相变存储器包括开关装置以及连接到该开关装置的存储节点，该存储节点包括底部电极、顶部电极、夹置在该底部电极和该顶部电极之间的相变材料层、以及夹置在该底部电极和该相变材料层之间的附着界面层。
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公开(公告)号：CN1909239A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610121248.9
申请日：2006-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1286 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144
Abstract: 本发明公开了一种相变材料、包括该相变材料的PRAM以及制造和操作这种PRAM的方法。绝缘杂质均匀分布在相变材料的整个或部分区域上。该PRAM包括含有相变材料的相变层。相变材料的绝缘杂质含量可小于相变材料体积的10％。相变材料绝缘杂质的含量可以通过控制施加到包括绝缘杂质的靶的电能调节。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1828922A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610004963.4
申请日：2006-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L45/00 , H01L21/822
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1691 , Y10S977/754
Abstract: 提供了一种要求低驱动电流脉冲的相变存储器件及其制造方法。在所述相变存储器件中，在衬底上形成晶体管，第一电极电连接至所述衬底上的晶体管。在所述第一电极上沿纵向形成相变材料膜，在所述相变材料膜上形成第二电极。这里，所形成的位于所述相变材料膜和所述第二电极之间的接触区域具有30nm或更小的宽度。
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公开(公告)号：CN1996572B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200610141682.3
申请日：2006-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/24 , H01L45/00 , G11C11/56
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/35 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1675 , Y10S977/734
Abstract: 本发明提供了一种制造具有富勒烯层的相变随机存取存储器的方法。该制造相变随机存取存储器的方法包括在衬底上形成开关装置和连接到所述开关装置的下电极、形成覆盖所述下电极的层间介电膜、和在所述层间介电膜中形成暴露一部分下电极的下电极接触孔；通过用栓材料填充所述下电极接触孔而形成下电极接触栓；在至少包括所述下电极接触栓的上表面的区域上形成富勒烯层；和在所述富勒烯层上依次堆叠相变层和上电极。
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公开(公告)号：CN101226987A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810009536.4
申请日：2008-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23C14/0623 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 提供一种相变层和形成相变层的方法以及包括该相变层的相变存储器件和该相变存储器件的制造和操作方法。该相变层由包括铟(In)的数量在大约15at.％至大约20at.％范围内的四元化合物形成。该相变层可以是InaGebSbcTed，其中锗(Ge)的数量在大约10at.％≤b≤大约15at.％范围内，锑(Sb)的数量在大约20at.％≤c≤大约25at.％范围内，以及碲(Te)的数量在大约40at.％≤d≤大约55at.％范围内。
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公开(公告)号：CN1996608A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610121663.4
申请日：2006-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C2013/0078 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供了一种相变材料、含有该相变材料的相变存储器以及所述相变存储器的操作方法。所述相变存储器包括：开关元件；以及连接到所述开关元件的含有相变材料的存储节点。所述存储节点包括：第一电极；相变层；以及第二电极。所述相变层由掺杂了Ge的InSbTe化合物形成。所述相变材料的相变温度和重置电流低于使用常规GST化合物时的相变温度和重置电流。
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公开(公告)号：CN1996608B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200610121663.4
申请日：2006-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C2013/0078 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供了一种相变材料、含有该相变材料的相变存储器以及所述相变存储器的操作方法。所述相变存储器包括：开关元件；以及连接到所述开关元件的含有相变材料的存储节点。所述存储节点包括：第一电极；相变层；以及第二电极。所述相变层由掺杂了Ge的InSbTe化合物形成。所述相变材料的相变温度和重置电流低于使用常规GST化合物时的相变温度和重置电流。
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