公开(公告)号：CN1128474C

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN98103740.2

申请日：1998-02-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴泳雨 ,  卢俊镛 ,  具本荣 ,  姜昌珍 ,  郑澈 ,  南硕佑

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885

Abstract: 一种可防止由于图形化存储电极时发生套刻失准而造成的位线氧化的半导体存储器件制造方法和半导体存储器件。在此方法中，在位线上或接触孔中形成氧化阻挡层，如氮化层，以便阻止氧通过扩散进入位线结构中，从而防止位线的氧化。

公开(公告)号：CN1202003A

公开(公告)日：1998-12-16

申请号：CN98103740.2

申请日：1998-02-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴泳雨 ,  卢俊镛 ,  具本荣 ,  姜昌珍 ,  郑澈 ,  南硕佑

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885

Abstract: 一种可防止由于图形化存储电极时发生套刻失准而造成的位线氧化的半导体存储器件制造方法和半导体存储器件。在此方法中,在位线上或接触孔中形成氧化阻挡层,如氮化层,以便阻止氧通过扩散进入位线结构中,从而防止位线的氧化。

公开(公告)号：CN1239323A

公开(公告)日：1999-12-22

申请号：CN98125264.8

申请日：1998-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄錤铉 ,  南硕佑

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: 一种形成槽隔离的方法包括在半导体衬底上依次形成垫氧化层和有源氮化层。通过腐蚀氮化层和垫氧化层形成槽掩模层。通过使用槽掩模层作掩模腐蚀半导体衬底以形成槽。在槽的底和两侧壁上形成氮化层。在氧化层上形成氧化掩模层，例如氮化物衬垫。淀积槽隔离层足以填满槽。通过使用平面化腐蚀除去槽隔离层直到氮化物衬垫的上表面暴露为止。进行离子注入或等离子体处理以破坏有源氮化层但不破坏衬底。除去槽隔离层直到半导体衬底上表面暴露为止。

公开(公告)号：CN1112726C

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN98125264.8

申请日：1998-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄錤铉 ,  南硕佑

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: 一种形成槽隔离的方法包括在半导体衬底上依次形成垫氧化层和有源氮化层。通过腐蚀氮化层和垫氧化层形成槽掩模层。通过使用槽掩模层作掩模腐蚀半导体衬底以形成槽。在槽的底和两侧壁上形成氮化层。在氧化层上形成氧化掩模层，例如氮化物衬垫。淀积槽隔离层足以填满槽。通过使用平面化腐蚀除去槽隔离层直到氮化物衬垫的上表面暴露为止。进行离子注入或等离子体处理以破坏有源氮化层但不破坏衬底。除去槽隔离层直到半导体衬底上表面暴露为止。