公开(公告)号：CN1128474C

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN98103740.2

申请日：1998-02-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴泳雨 ,  卢俊镛 ,  具本荣 ,  姜昌珍 ,  郑澈 ,  南硕佑

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885

Abstract: 一种可防止由于图形化存储电极时发生套刻失准而造成的位线氧化的半导体存储器件制造方法和半导体存储器件。在此方法中，在位线上或接触孔中形成氧化阻挡层，如氮化层，以便阻止氧通过扩散进入位线结构中，从而防止位线的氧化。

公开(公告)号：CN1202003A

公开(公告)日：1998-12-16

申请号：CN98103740.2

申请日：1998-02-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴泳雨 ,  卢俊镛 ,  具本荣 ,  姜昌珍 ,  郑澈 ,  南硕佑

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885

Abstract: 一种可防止由于图形化存储电极时发生套刻失准而造成的位线氧化的半导体存储器件制造方法和半导体存储器件。在此方法中,在位线上或接触孔中形成氧化阻挡层,如氮化层,以便阻止氧通过扩散进入位线结构中,从而防止位线的氧化。