公开(公告)号：CN1171291C

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN98124471.8

申请日：1998-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄錤铉 ,  金炳錤

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明公开了一种改进的形成沟槽绝缘的方法，其中，用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺，以至少两种不同气体组成的混合气体作为硅源气体，形成富含硅氮化物层作为蚀刻半导体基片的掩模。这种改进的方法和富含硅氮化物层能防止栅氧化层的可靠性降低，并且晶片上及每一批都具有良好的均匀性。

公开(公告)号：CN1239323A

公开(公告)日：1999-12-22

申请号：CN98125264.8

申请日：1998-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄錤铉 ,  南硕佑

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: 一种形成槽隔离的方法包括在半导体衬底上依次形成垫氧化层和有源氮化层。通过腐蚀氮化层和垫氧化层形成槽掩模层。通过使用槽掩模层作掩模腐蚀半导体衬底以形成槽。在槽的底和两侧壁上形成氮化层。在氧化层上形成氧化掩模层，例如氮化物衬垫。淀积槽隔离层足以填满槽。通过使用平面化腐蚀除去槽隔离层直到氮化物衬垫的上表面暴露为止。进行离子注入或等离子体处理以破坏有源氮化层但不破坏衬底。除去槽隔离层直到半导体衬底上表面暴露为止。

公开(公告)号：CN1218987A

公开(公告)日：1999-06-09

申请号：CN98124471.8

申请日：1998-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄錤铉 ,  金炳錤

IPC: H01L21/469

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明公开了一种改进的形成沟槽绝缘的方法,其中,用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺,以至少两种不同气体组成的混合气体作为硅源气体,形成富含硅氮化物层作为蚀刻半导体基片的掩模。这种改进的方法和富含硅氮化物层能防止栅氧化层的可靠性降低,并且晶片上及每一批都具有良好的均匀性。

公开(公告)号：CN1112726C

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN98125264.8

申请日：1998-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄錤铉 ,  南硕佑

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: 一种形成槽隔离的方法包括在半导体衬底上依次形成垫氧化层和有源氮化层。通过腐蚀氮化层和垫氧化层形成槽掩模层。通过使用槽掩模层作掩模腐蚀半导体衬底以形成槽。在槽的底和两侧壁上形成氮化层。在氧化层上形成氧化掩模层，例如氮化物衬垫。淀积槽隔离层足以填满槽。通过使用平面化腐蚀除去槽隔离层直到氮化物衬垫的上表面暴露为止。进行离子注入或等离子体处理以破坏有源氮化层但不破坏衬底。除去槽隔离层直到半导体衬底上表面暴露为止。