公开(公告)号：CN117452766A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310811505.5

申请日：2023-07-03

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 金文子 ,  李承炫 ,  郑在善 ,  刘炳哲 ,  李炳勋 ,  丁昶荣 ,  金德铉 ,  曹德贤

IPC: G03F1/62

Abstract: 本发明涉及用于光刻的保护膜片、包括其的表膜和其形成方法。本文中提供用于光刻的保护膜片，其包括：包括碳的芯层、在所述芯层上的界面层、和在所述界面层上的保护层。所述界面层包括键合至所述芯层的碳原子的反应性基团，并且所述反应性基团包括氧或氮。所述保护层包括元素“M”，并且元素“M”键合至所述反应性基团的氧或氮。

公开(公告)号：CN114437651A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111240134.7

申请日：2021-10-25

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 金文子 ,  刘炳哲 ,  李海臣 ,  丁昶荣 ,  李允汉

IPC: C09J129/04 ,  C09J11/06 ,  C09J11/04 ,  G03F1/62

Abstract: 提供了一种粘合剂组合物、用于制备该粘合剂组合物的方法、包括该粘合剂组合物的光刻版组件以及用于制造包括该粘合剂组合物的光刻版组件的方法。该粘合剂组合物包括包括单宁酸的多酚化合物、包括聚乙烯醇的聚合物以及包括水和醇的溶剂。

公开(公告)号：CN110119064B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN201910066838.3

申请日：2019-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文勇升 ,  金熙范 ,  丁昶荣

IPC: G03F1/48

Abstract: 本发明涉及表膜和包括其的掩模版。提供待用于光刻工艺的表膜。该表膜包括如下的膜，所述膜的至少一部分包括碳同素异形体。所述膜具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，该膜包括包含掺杂剂的掺杂区域，该掺杂区域与所述第一表面相邻，所述掺杂剂包括硼或氮的至少一种，以及所述掺杂区包括所述掺杂剂的至少一种的原子与碳原子之间的键。

公开(公告)号：CN110609435A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201910504878.1

申请日：2019-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金文子 ,  丁昶荣

IPC: G03F1/48 ,  G03F1/22

Abstract: 公开用于光掩模的表膜及其制造方法。所述用于光掩模的表膜包括表膜膜片。所述表膜膜片包括具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的基础层、和覆盖所述基础层的所述第一表面的第一恢复层。在所述第一恢复层中包含的碳原子之间的SP2共价键的含量小于或等于在所述基础层中包含的碳原子之间的SP2共价键的含量。

公开(公告)号：CN116893569A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310167932.4

申请日：2023-02-27

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 金文子 ,  刘址范 ,  南基捧 ,  呂振浩 ,  丁昶荣 ,  胡启诚

IPC: G03F1/72 ,  G03F1/64 ,  G03F1/68

Abstract: 一种制造薄膜结构的方法，包括：在临时衬底上形成金属层；在金属层上形成隔膜；通过将临时衬底与金属层分离来暴露金属层的底表面；以及通过蚀刻金属层的暴露的底表面来暴露隔膜的底表面。

公开(公告)号：CN110643308A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910478848.8

申请日：2019-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金文子 ,  丁昶荣

IPC: C09J129/04 ,  C09J179/02 ,  C09J11/06 ,  G03F1/48

Abstract: 提供一种用于护膜的粘合剂、用于光掩模的护膜和制造该护膜的方法。所述粘合剂包括：酚化合物，所述酚化合物具有至少两个羟基；聚合物，具有羟基或胺基；以及水。

公开(公告)号：CN110609435B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN201910504878.1

申请日：2019-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金文子 ,  丁昶荣

IPC: G03F1/48 ,  G03F1/22

Abstract: 公开用于光掩模的表膜及其制造方法。所述用于光掩模的表膜包括表膜膜片。所述表膜膜片包括具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的基础层、和覆盖所述基础层的所述第一表面的第一恢复层。在所述第一恢复层中包含的碳原子之间的SP2共价键的含量小于或等于在所述基础层中包含的碳原子之间的SP2共价键的含量。

公开(公告)号：CN110643308B

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN201910478848.8

申请日：2019-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金文子 ,  丁昶荣

IPC: C09J129/04 ,  C09J179/02 ,  C09J11/06 ,  G03F1/48

Abstract: 提供一种用于护膜的粘合剂、用于光掩模的护膜和制造该护膜的方法。所述粘合剂包括：酚化合物，所述酚化合物具有至少两个羟基；聚合物，具有羟基或胺基；以及水。

公开(公告)号：CN108663898B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN201810264409.2

申请日：2018-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全桓徹 ,  金文子 ,  权星元 ,  金熙范 ,  丁昶荣

IPC: G03F1/48 ,  G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  G03F7/20

Abstract: 根据示例性实施例，提供一种用于暴露到极紫外光(extreme ultraviolet light，EUVL)的护膜以及一种光刻系统，所述护膜包括护膜膜片以及贴合到所述护膜膜片的框架，其中所述护膜膜片包括碳系主层以及硼系增强层，所述碳系主层具有彼此相对的第一表面与第二表面，所述硼系增强层覆盖选自所述第一表面与所述第二表面中的至少一个表面。根据示例性实施例的护膜可在极紫外光曝光环境中使用较长的时间段。

公开(公告)号：CN108663898A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810264409.2

申请日：2018-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全桓徹 ,  金文子 ,  权星元 ,  金熙范 ,  丁昶荣

IPC: G03F1/48 ,  G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/64 ,  G03F1/22 ,  G03F1/24 ,  G03F1/62 ,  G03F7/2008 ,  G03F1/48 ,  G03F7/2004

Abstract: 根据示例性实施例，提供一种用于暴露到极紫外光(extreme ultraviolet light，EUVL)的护膜以及一种光刻系统，所述护膜包括护膜膜片以及贴合到所述护膜膜片的框架，其中所述护膜膜片包括碳系主层以及硼系增强层，所述碳系主层具有彼此相对的第一表面与第二表面，所述硼系增强层覆盖选自所述第一表面与所述第二表面中的至少一个表面。根据示例性实施例的护膜可在极紫外光曝光环境中使用较长的时间段。