公开(公告)号：CN117452766A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310811505.5

申请日：2023-07-03

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 金文子 ,  李承炫 ,  郑在善 ,  刘炳哲 ,  李炳勋 ,  丁昶荣 ,  金德铉 ,  曹德贤

IPC: G03F1/62

Abstract: 本发明涉及用于光刻的保护膜片、包括其的表膜和其形成方法。本文中提供用于光刻的保护膜片，其包括：包括碳的芯层、在所述芯层上的界面层、和在所述界面层上的保护层。所述界面层包括键合至所述芯层的碳原子的反应性基团，并且所述反应性基团包括氧或氮。所述保护层包括元素“M”，并且元素“M”键合至所述反应性基团的氧或氮。

公开(公告)号：CN114437651A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111240134.7

申请日：2021-10-25

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 金文子 ,  刘炳哲 ,  李海臣 ,  丁昶荣 ,  李允汉

IPC: C09J129/04 ,  C09J11/06 ,  C09J11/04 ,  G03F1/62

Abstract: 提供了一种粘合剂组合物、用于制备该粘合剂组合物的方法、包括该粘合剂组合物的光刻版组件以及用于制造包括该粘合剂组合物的光刻版组件的方法。该粘合剂组合物包括包括单宁酸的多酚化合物、包括聚乙烯醇的聚合物以及包括水和醇的溶剂。

公开(公告)号：CN117250824A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310215581.X

申请日：2023-03-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 金文子 ,  南基捧 ,  吕振浩 ,  刘炳哲 ,  刘址范 ,  丁昶荣

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/22 ,  H01L21/033

Abstract: 提供了用于极紫外线曝光的薄膜及其制造方法。所述方法包括：在催化剂衬底上形成含石墨层；对所述含石墨层的第一表面进行表面处理以形成第一处理层；和在所述第一处理层上形成第一钝化层，其中，形成所述第一处理层包括通过对所述第一表面的所述表面处理去除所述含石墨层中包括的C‑O‑C键。