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公开(公告)号：CN116893569A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310167932.4
申请日：2023-02-27
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
Inventor： 金文子 , 刘址范 , 南基捧 , 呂振浩 , 丁昶荣 , 胡启诚
IPC: G03F1/72 , G03F1/64 , G03F1/68
Abstract: 一种制造薄膜结构的方法，包括：在临时衬底上形成金属层；在金属层上形成隔膜；通过将临时衬底与金属层分离来暴露金属层的底表面；以及通过蚀刻金属层的暴露的底表面来暴露隔膜的底表面。
