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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1295292C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN03812996.5
申请日：2003-06-03
Applicant: 三星康宁株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: B82Y30/00 , C01F7/02 , C01F17/0043 , C01G1/02 , C01P2004/04 , C01P2004/50 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种用于高精密度抛光的金属氧化物粉末及其制备方法，所述金属氧化物粉末包含由初级颗粒聚集形成的聚集体，其具有1.1至2.0的聚集度(α)及3至10的聚集等级(β)，所述聚集度(α)和聚集等级(β)可分别由式(Ⅰ)和式(Ⅱ)定义：α＝6/(S×ρ×d(XRD)) (Ⅰ)β＝重量平均粒径/d(XRD)(Ⅱ)其中，S为该粉末的比表面积；ρ为密度；及d(XRD)为由X射线衍射分析所测得的粉末粒径。本发明的粉末可提供高抛光速度并减少刮伤。
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公开(公告)号：CN1543492A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN02816212.9
申请日：2002-08-20
Applicant: 三星康宁株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1445 , H01L21/31053 , Y10T428/325
Abstract: 一种用于CMP的抛光淤浆组合物，包括0.5－5重量％的分散在水介质中的二氧化硅涂覆铈土粉末，其可有利地用于平整各种半导体和场致发光器件的薄膜层。
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公开(公告)号：CN1295291C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN02816212.9
申请日：2002-08-20
Applicant: 三星康宁株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1445 , H01L21/31053 , Y10T428/325
Abstract: 一种用于CMP的抛光淤浆组合物，包括0.5-5重量%的分散在水介质中的二氧化硅涂覆铈土粉末，其可有利地用于平整各种半导体和场致发光器件的薄膜层。
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公开(公告)号：CN1840602A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610058484.0
申请日：2006-03-28
Applicant: 三星康宁株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/31053
Abstract: 本发明涉及一种用于制备抛光浆料的改进方法，该方法包括：将抛光颗粒和阴离子聚合酸分散在水中；然后按抛光颗粒的重量份数为100份计将以重量份数为0.1到8份的量的碱性材料添加到所得分散体系中。通过本发明方法得到的抛光浆料显示出了良好的分散稳定性和非－Prestonian抛光性能，这能有益地用在各种精密电子器件的化学机械抛光中。
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公开(公告)号：CN1659252A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN03812996.5
申请日：2003-06-03
Applicant: 三星康宁株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: B82Y30/00 , C01F7/02 , C01F17/0043 , C01G1/02 , C01P2004/04 , C01P2004/50 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种用于高精密度抛光的金属氧化物粉末及其制备方法，所述金属氧化物粉末包含由初级颗粒聚集形成的聚集体，其具有1.1至2.0的聚集度(α)及3至10的聚集等级(β)，所述聚集度(α)和聚集等级(β)可分别由式(I)和式(II)定义：α=6/(S ×ρ× d(XRD)) (I)β＝重量平均粒径/d(XRD) (II)其中，S为该粉末的比表面积；ρ为密度；及d(XRD)为由X射线衍射分析所测得的粉末粒径。本发明的粉末可提供高抛光速度并减少刮伤。
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