公开(公告)号：CN118062898A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410076216.X

申请日：2024-01-18

Applicant: 三峡大学

Inventor： 肖婷 ,  唐灿 ,  谭新玉 ,  向鹏 ,  姜礼华 ,  肖业权 ,  李欣义 ,  杨雄波

IPC: C01G45/02 ,  H01G11/84 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明公开了一种提高MnO2铵离子储能性能的方法。首先采用水热法在碳布上生长MnO2纳米片纳米针复合阵列；然后对MnO2进行恒流充放电活化处理，活化过程中使大量NH4+嵌入MnO2晶格，并在晶格中产生氧空位，样品表面形貌变成纳米片；最后对MnO2进行循环伏安活化处理，调整Mn的配位情况，使MnO2结构更加稳固，样品表面形貌由纳米针与纳米片复合而成。在1 M CH3COOH电解液中对电极进行电化学性能测试，发现在10 mA/cm2电流密度下，是未经活化处理的MnO2电极容量的2.3倍及以上。电化学处理后的MnO2在25 mA/cm2的电流下，反复充放电20000次后，容量保持率仍然高达95%及以上。

公开(公告)号：CN118156056A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410181486.7

申请日：2024-02-18

Applicant: 三峡大学

Inventor： 肖婷 ,  林鸿翔 ,  姜礼华 ,  肖业权 ,  向鹏 ,  李欣义 ,  谭新玉

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/22 ,  G01N27/26 ,  G01N27/30

Abstract: 本发明公开了VO2/Ni3(VO4)2复合材料的制备方法及电化学性能的检测方法。首先采用一次水热法在泡沫镍基底上制备氢氧化镍前驱体；然后再利用二次水热法在氢氧化镍前驱体上合成VO2/Ni3(VO4)2复合材料，接着使用不同的电解液对电极材料进行电化学性能评价。同在10mA/cm2电流密度下，采用1M KOH与1M LiNO3混合电解液测试的容量也为3.67F/cm2，循环充放电10000次后，容量保持率仍然高达93%，这说明使用1M KOH与1M LiNO3混合电解液不仅让该电极材料保持在碱性环境下的容量，而且其循环稳定性得到很大的提升。

公开(公告)号：CN105386002A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510778898.X

申请日：2015-11-16

Applicant: 三峡大学

Inventor： 姜礼华 ,  肖业权 ,  谭新玉 ,  肖婷 ,  向鹏 ,  孙宜华

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/505

CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C16/505

Abstract: 本发明公开了一种非晶碳薄膜材料的低温制备方法，该方法包括以下步骤：（1）单晶硅片的清洗；（2）以硅烷和氨气为反应气体采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅片上沉积氮化硅薄膜；（3）以甲烷为反应气体采用等离子体增强化学气相沉积技术在（2）中的氮化硅薄膜上沉积非晶碳薄膜。经过上述步骤所制备的非晶碳薄膜具有工艺简单、沉积温度低、能耗少、成本低、碳膜均匀性好以及大面积制备等优点。

公开(公告)号：CN119965008A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510219291.1

申请日：2025-02-26

Applicant: 三峡大学

Inventor： 肖婷 ,  梅雨婷 ,  肖业权 ,  姜礼华 ,  乔豫龙 ,  谭新玉

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/30 ,  H01G11/58

Abstract: 本发明公开了一种Mo掺杂MnO2电极材料的方法及储铵材料。以碳布为基底，采用水热法，制备了Mo6+掺杂的MnO2电极材料。Mo6+促进电解液中H+的产生并与NH4+离子共嵌入，同时调控MnO2电极材料的层间距使其结构更稳定，最终提高MnO2电极的容量和循环稳定性能。在乙酸铵电解液所构成的三电极体系中，对得到的样品进行电化学性能评价，发现适量Mo6+掺杂后得到的电极材料在10mA cm‑2电流密度下，比容量高达2.92 F cm‑2，与没有掺杂的MnO2相比提升了3.5倍；并且掺杂后的电极材料在17200次充放电循环后，容量保持率为91.9%。

公开(公告)号：CN119650308A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411656969.4

申请日：2024-11-19

Applicant: 三峡大学

Inventor： 肖婷 ,  李秀茹 ,  肖业权 ,  姜礼华 ,  谭新玉

IPC: H01G11/22 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明公开了一种表面工程提高MoO3储铵性能的方法。首先采用水热法，在碳布基底上生长MoO3。接着对MoO3磷化处理，得到MoO3‑P，引入P‑O键的同时，使MoO3产生大量O空位；进一步将MoO3‑P浸入硫酸铵溶液中浸泡后，即可得到最终产物。在硫酸铵电解质所构成的三电极电化学系统中，对得到的样品进行电化学性能评价，发现在10 mA cm‑2电流密度下，样品的比容量高达260.7 mAh g‑1，并且在2100次充放电循环后，保持98.87%的容量值。

公开(公告)号：CN117854949A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410043554.3

申请日：2024-01-11

Applicant: 三峡大学

Inventor： 肖婷 ,  魏冲 ,  姜礼华 ,  肖业权 ,  向鹏 ,  李欣义 ,  杨雄波 ,  谭新玉

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/30 ,  H01G11/32

Abstract: 本发明公开了VO2(H2O)0.5/CoVO3/(NH4)0.38V2O5/NH4V10O25•8H2O复合电极的制备方法及其超级电容器应用。首先采用水热法在泡沫镍基底上制备钴基前驱体；然后利用二次水热法引入钒源和铵根，获得VO2(H2O)0.5/CoVO3/(NH4)0.38V2O5/NH4V10O25•8H2O复合电极。所得复合电极在5mA cm‑2电流密度下，容量高达6.8 F cm‑2。在60 mA/cm2的大电流密度下循环2000次后，容量保持率约为86.6%。当用于混合型超级电容器时，器件功率密度为4 mW cm‑2时，能量密度达到0.347 mWh cm‑2，且循环20000次后，容量保持率仍然高达90%。说明钴源和钒源以VO2(H2O)0.5/CoVO3/(NH4)0.38V2O5/NH4V10O25•8H2O方式组合时，获得的复合电极具有较好的超级电容器应用前景。

公开(公告)号：CN107863401A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201711003470.3

申请日：2017-10-24

Applicant: 三峡大学

Inventor： 谭新玉 ,  肖业权 ,  朱宏伟 ,  李昌黎 ,  张礼

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种硫化锑基全无机薄膜太阳能电池的制备方法，首先采用溶胶-凝胶法在FTO上制备一层致密的二氧化钛薄膜；二氧化钛薄膜经过退火后使用热蒸镀沉积硫化锑薄膜；然后使用硫代乙酰胺对硫化锑薄膜进行表面硫化同时进行退火处理；最后将化学气相沉积法生长的石墨烯薄膜转移到硫化锑薄膜上，形成TiO2/Sb2S3/Gr薄膜结构。器件在室温、100mW/cm2的模拟太阳光源照射下得到为560 mV的开路光电压、6.8 mA/cm2的短路光电流、1.17%的光电转换效率。本发明采用石墨烯作为硫化锑基太阳能电池的空穴传输层及透明导电电极具有价格低廉，制备简单且相较于硫化锑基太阳能电池大多使用的有机空穴传输具有更加稳定的器件性能。

公开(公告)号：CN107819044A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201711002158.2

申请日：2017-10-24

Applicant: 三峡大学

Inventor： 谭新玉 ,  肖业权 ,  朱宏伟 ,  李昌黎 ,  张礼

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及了一种硫化锑基可见光光电探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域，首先采用溶胶-凝胶法在FTO上制备一层致密的二氧化钛薄膜；二氧化钛薄膜经过退火后使用热蒸镀沉积硫化锑（Sb2S3）薄膜；然后使用硫代乙酰胺对硫化锑薄膜进行表面硫化同时进行退火处理；最后将化学气相沉积（CVD）法生长的石墨烯薄膜（Gr）转移到硫化锑薄膜上，形成TiO2/Sb2S3/Gr薄膜结构的可见光探测器，为制作高性能的可见光探测器提供了新的方法。该光电探测器可以在可见光有很高的响应且对不同波长的可见光具有不同的响应电流，同时随入射光强的增加响应电流线性增加。

公开(公告)号：CN105551934A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510910126.7

申请日：2015-12-10

Applicant: 三峡大学

Inventor： 姜礼华 ,  肖业权 ,  谭新玉 ,  孙宜华 ,  向鹏 ,  肖婷

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/202

Abstract: 本发明公开了一种含硅量子点碳硅基薄膜材料制备方法，步骤为：采用标准RCA清洗技术清洗单晶硅基片；采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅基片表面沉积非化学计量比碳化硅薄膜，硅量子点在非化学计量比碳化硅薄膜沉积过程中形成；采用等离子体增强化学气相沉积技术在非化学计量比碳化硅薄膜上沉积非晶碳薄膜；依次上述重复，制备周期性多层膜。经过上述步骤所制备的含硅量子点碳硅基薄膜材料具有制备工艺简单、能耗小、薄膜面积大、均匀性好、缺陷态少以及载流子遂穿势垒低等优点。本发明所提供的方法在硅量子点光电器件制备与应用方面有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN118538549A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410779656.1

申请日：2024-06-17

Applicant: 三峡大学

Inventor： 肖婷 ,  林鸿翔 ,  姜礼华 ,  肖业权 ,  向鹏 ,  李欣义 ,  杨雄波 ,  谭新玉

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/30

Abstract: 本发明公开了一种低晶态钒掺杂氢氧化镍超级电容器电极材料及其制备方法。首先通过水热方法和退火处理在泡沫镍上制备钒掺杂的氢氧化镍，记作V‑Ni(OH)2，接下来通过退火使其转变成非晶态，进一步采用循环伏安（CV）技术使V‑Ni(OH)2转变成低晶态，得到V‑Ni(OH)2‑A0。测试结果表明，结合V掺杂及CV处理，V‑Ni(OH)2‑A0不仅拥有高比电容（在10mA cm‑2下比容量为3.9 F cm‑2），而且具有优异的循环稳定性，在30 mA cm‑2的电流密度下进行10000次循环后比电容保持率为88%。此外，由V‑Ni(OH)2‑A0和碳布组装的水性不对称超级电容器的能量密度为0.497 mWh cm−2，功率密度为10.924 mW cm−2，在25mA cm−2电流密度下循环30000次后依旧能够保持96%的初始比电容，具有超高的循环性能和应用价值。