一种提高MnO2铵离子储能性能的方法

    公开(公告)号:CN118062898A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202410076216.X

    申请日:2024-01-18

    Applicant: 三峡大学

    Abstract: 本发明公开了一种提高MnO2铵离子储能性能的方法。首先采用水热法在碳布上生长MnO2纳米片纳米针复合阵列;然后对MnO2进行恒流充放电活化处理,活化过程中使大量NH4+嵌入MnO2晶格,并在晶格中产生氧空位,样品表面形貌变成纳米片;最后对MnO2进行循环伏安活化处理,调整Mn的配位情况,使MnO2结构更加稳固,样品表面形貌由纳米针与纳米片复合而成。在1 M CH3COOH电解液中对电极进行电化学性能测试,发现在10 mA/cm2电流密度下,是未经活化处理的MnO2电极容量的2.3倍及以上。电化学处理后的MnO2在25 mA/cm2的电流下,反复充放电20000次后,容量保持率仍然高达95%及以上。

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