公开(公告)号：CN107863401A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201711003470.3

申请日：2017-10-24

Applicant: 三峡大学

Inventor： 谭新玉 ,  肖业权 ,  朱宏伟 ,  李昌黎 ,  张礼

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种硫化锑基全无机薄膜太阳能电池的制备方法，首先采用溶胶-凝胶法在FTO上制备一层致密的二氧化钛薄膜；二氧化钛薄膜经过退火后使用热蒸镀沉积硫化锑薄膜；然后使用硫代乙酰胺对硫化锑薄膜进行表面硫化同时进行退火处理；最后将化学气相沉积法生长的石墨烯薄膜转移到硫化锑薄膜上，形成TiO2/Sb2S3/Gr薄膜结构。器件在室温、100mW/cm2的模拟太阳光源照射下得到为560 mV的开路光电压、6.8 mA/cm2的短路光电流、1.17%的光电转换效率。本发明采用石墨烯作为硫化锑基太阳能电池的空穴传输层及透明导电电极具有价格低廉，制备简单且相较于硫化锑基太阳能电池大多使用的有机空穴传输具有更加稳定的器件性能。

公开(公告)号：CN107819044A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201711002158.2

申请日：2017-10-24

Applicant: 三峡大学

Inventor： 谭新玉 ,  肖业权 ,  朱宏伟 ,  李昌黎 ,  张礼

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及了一种硫化锑基可见光光电探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域，首先采用溶胶-凝胶法在FTO上制备一层致密的二氧化钛薄膜；二氧化钛薄膜经过退火后使用热蒸镀沉积硫化锑（Sb2S3）薄膜；然后使用硫代乙酰胺对硫化锑薄膜进行表面硫化同时进行退火处理；最后将化学气相沉积（CVD）法生长的石墨烯薄膜（Gr）转移到硫化锑薄膜上，形成TiO2/Sb2S3/Gr薄膜结构的可见光探测器，为制作高性能的可见光探测器提供了新的方法。该光电探测器可以在可见光有很高的响应且对不同波长的可见光具有不同的响应电流，同时随入射光强的增加响应电流线性增加。

公开(公告)号：CN107863401B

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201711003470.3

申请日：2017-10-24

Applicant: 三峡大学

Inventor： 谭新玉 ,  肖业权 ,  朱宏伟 ,  李昌黎 ,  张礼

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种硫化锑基全无机薄膜太阳能电池的制备方法，首先采用溶胶‑凝胶法在FTO上制备一层致密的二氧化钛薄膜；二氧化钛薄膜经过退火后使用热蒸镀沉积硫化锑薄膜；然后使用硫代乙酰胺对硫化锑薄膜进行表面硫化同时进行退火处理；最后将化学气相沉积法生长的石墨烯薄膜转移到硫化锑薄膜上，形成TiO2/Sb2S3/Gr薄膜结构。器件在室温、100mW/cm2的模拟太阳光源照射下得到为560 mV的开路光电压、6.8 mA/cm2的短路光电流、1.17%的光电转换效率。本发明采用石墨烯作为硫化锑基太阳能电池的空穴传输层及透明导电电极具有价格低廉，制备简单且相较于硫化锑基太阳能电池大多使用的有机空穴传输具有更加稳定的器件性能。

公开(公告)号：CN107819044B

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201711002158.2

申请日：2017-10-24

Applicant: 三峡大学

Inventor： 谭新玉 ,  肖业权 ,  朱宏伟 ,  李昌黎 ,  张礼

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及了一种硫化锑基可见光光电探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域，首先采用溶胶‑凝胶法在FTO上制备一层致密的二氧化钛薄膜；二氧化钛薄膜经过退火后使用热蒸镀沉积硫化锑（Sb2S3）薄膜；然后使用硫代乙酰胺对硫化锑薄膜进行表面硫化同时进行退火处理；最后将化学气相沉积（CVD）法生长的石墨烯薄膜（Gr）转移到硫化锑薄膜上，形成TiO2/Sb2S3/Gr薄膜结构的可见光探测器，为制作高性能的可见光探测器提供了新的方法。该光电探测器可以在可见光有很高的响应且对不同波长的可见光具有不同的响应电流，同时随入射光强的增加响应电流线性增加。