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发明公开
MoO3-P材料，制备方法及储铵材料审中-实审

公开(公告)号：CN119650308A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411656969.4

申请日：2024-11-19

Applicant: 三峡大学

Inventor： 肖婷 , 李秀茹 , 肖业权 , 姜礼华 , 谭新玉

IPC: H01G11/22 , H01G11/30 , H01G11/86

Abstract: 本发明公开了一种表面工程提高MoO3储铵性能的方法。首先采用水热法，在碳布基底上生长MoO3。接着对MoO3磷化处理，得到MoO3‑P，引入P‑O键的同时，使MoO3产生大量O空位；进一步将MoO3‑P浸入硫酸铵溶液中浸泡后，即可得到最终产物。在硫酸铵电解质所构成的三电极电化学系统中，对得到的样品进行电化学性能评价，发现在10 mA cm‑2电流密度下，样品的比容量高达260.7 mAh g‑1，并且在2100次充放电循环后，保持98.87%的容量值。

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