公开(公告)号：CN109216434A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201710540831.1

申请日：2017-07-05

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  鹫谷哲 ,  大野阳平 ,  保立伦则 ,  熊仓弘道

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/02008

Abstract: 一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括碳化硅基板以及保护膜，所述保护膜至少部分地覆盖所述碳化硅基板的主表面以及一个或多个侧壁。因此，可以避免该碳化硅基板的表面与吸水性材料的接触，且半导体器件的耐压表现和长期可靠性会得到进一步的提升。

公开(公告)号：CN108987456B

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN201710437128.8

申请日：2017-06-12

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  鹫谷哲 ,  大野阳平 ,  保立伦则 ,  熊仓弘道

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括碳化硅漂移层、掩埋碳化硅层和氧化物半导体层；所述掩埋碳化硅层位于所述碳化硅漂移层内，并且所述掩埋碳化硅层被所述氧化物半导体层覆盖。因此，可以进一步提高半导体装置的击穿特性和/或长时间可靠性。

公开(公告)号：CN108987456A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201710437128.8

申请日：2017-06-12

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  鹫谷哲 ,  大野阳平 ,  保立伦则 ,  熊仓弘道

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7823 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括碳化硅漂移层、掩埋碳化硅层和氧化物半导体层；所述掩埋碳化硅层位于所述碳化硅漂移层内，并且所述掩埋碳化硅层被所述氧化物半导体层覆盖。因此，可以进一步提高半导体装置的击穿特性和/或长时间可靠性。