公开(公告)号：CN108987456A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201710437128.8

申请日：2017-06-12

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  鹫谷哲 ,  大野阳平 ,  保立伦则 ,  熊仓弘道

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7823 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括碳化硅漂移层、掩埋碳化硅层和氧化物半导体层；所述掩埋碳化硅层位于所述碳化硅漂移层内，并且所述掩埋碳化硅层被所述氧化物半导体层覆盖。因此，可以进一步提高半导体装置的击穿特性和/或长时间可靠性。

公开(公告)号：CN109216434A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201710540831.1

申请日：2017-07-05

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  鹫谷哲 ,  大野阳平 ,  保立伦则 ,  熊仓弘道

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/02008

Abstract: 一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括碳化硅基板以及保护膜，所述保护膜至少部分地覆盖所述碳化硅基板的主表面以及一个或多个侧壁。因此，可以避免该碳化硅基板的表面与吸水性材料的接触，且半导体器件的耐压表现和长期可靠性会得到进一步的提升。

公开(公告)号：CN109979838B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN201810058084.2

申请日：2018-01-22

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  保立伦则 ,  田中雄季 ,  工藤真二

IPC: H01L21/66 ,  G01N27/00 ,  G01N27/04

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及检测半导体器件的裂纹的方法。该半导体器件包括裂纹传感器，该裂纹传感器具有SBD结构；该SBD结构至少配置在半导体本体的第一面上，并且配置为检测该半导体本体的第一面上的裂纹。因此，该裂纹传感器能够检测该半导体器件的表面上的裂纹，精度高且结构简单。

公开(公告)号：CN110071033A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201810151850.X

申请日：2018-02-14

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  保立伦则 ,  田中雄季 ,  工藤真二

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L23/12

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体晶片以及形成半导体的方法。该半导体晶片包括：第一半导体元件，该第一半导体元件具有第一器件；第二半导体元件，该第二半导体元件具有第二器件；绝缘层，该绝缘层侧向延伸到该第一半导体元件和该第二半导体元件；以及研磨层，该研磨层配置在该半导体晶片的背面上或临近于该半导体晶片的背面。因此，在制薄过程中(例如背面研磨)将研磨层暴露时，可以减少或避免碎屑或裂纹。

公开(公告)号：CN110071033B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201810151850.X

申请日：2018-02-14

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  保立伦则 ,  田中雄季 ,  工藤真二

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L23/12

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体晶片以及形成半导体的方法。该半导体晶片包括：第一半导体元件，该第一半导体元件具有第一器件；第二半导体元件，该第二半导体元件具有第二器件；绝缘层，该绝缘层侧向延伸到该第一半导体元件和该第二半导体元件；以及研磨层，该研磨层配置在该半导体晶片的背面上或临近于该半导体晶片的背面。因此，在制薄过程中(例如背面研磨)将研磨层暴露时，可以减少或避免碎屑或裂纹。

公开(公告)号：CN108987456B

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN201710437128.8

申请日：2017-06-12

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  鹫谷哲 ,  大野阳平 ,  保立伦则 ,  熊仓弘道

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括碳化硅漂移层、掩埋碳化硅层和氧化物半导体层；所述掩埋碳化硅层位于所述碳化硅漂移层内，并且所述掩埋碳化硅层被所述氧化物半导体层覆盖。因此，可以进一步提高半导体装置的击穿特性和/或长时间可靠性。

公开(公告)号：CN109979838A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201810058084.2

申请日：2018-01-22

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鹿内洋志 ,  保立伦则 ,  田中雄季 ,  工藤真二

IPC: H01L21/66 ,  G01N27/00 ,  G01N27/04

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及检测半导体器件的裂纹的方法。该半导体器件包括裂纹传感器，该裂纹传感器具有SBD结构；该SBD结构至少配置在半导体本体的第一面上，并且配置为检测该半导体本体的第一面上的裂纹。因此，该裂纹传感器能够检测该半导体器件的表面上的裂纹，精度高且结构简单。