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公开(公告)号：CN112889131A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201980069246.5
申请日：2019-10-17
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/02 , C09J5/02 , C09J5/06 , C09J201/00 , H01L21/52 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 一种基板层叠体的制造方法，其具备下述工序：在第一基板和第二基板中至少一者的表面上赋予接合材料的工序；使在上述表面上赋予的上述接合材料固化，形成23℃时的复合弹性模量为10GPa以下的接合层的工序；以及经由所形成的上述接合层将上述第一基板与上述第二基板进行接合的工序。
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公开(公告)号：CN119654696A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202380056974.9
申请日：2023-07-24
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 一种基板层叠体的制造方法及半导体装置，该制造方法具有：工序A，准备具备基板及电极和有机材料层的基板层叠体；工序B，对基板层叠体的具有有机材料层一侧的面进行研磨；及工序C，对研磨后的基板层叠体进行加热。在工序A中准备的基板层叠体中的有机材料层设置于基板的具有电极一侧的面，该有机材料层含有树脂等且固化率小于100％；在将实施工序C前的基板层叠体中的电极与有机材料层的高低差设为a、将实施工序C后的电极与有机材料层的高低差设为b、将实施工序C前的有机材料层的膜厚设为c时，a、b及c满足下述式(1)。〔(b‑a)/c〕＝0.001～0.500(1)。
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公开(公告)号：CN108028311A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680054146.1
申请日：2016-09-05
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L41/193 , B32B7/02 , B32B27/00 , B32B27/36 , D03D1/00 , D03D15/02 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/338 , H01L41/45
Abstract: 长条平板状压电体，其含有重均分子量为5万～100万的具有光学活性的螺旋手性高分子(A)，并具有厚度为0.001mm～0.2mm、宽度为0.1mm～30mm、宽度相对于厚度之比为2以上的长条平板形状，对于所述长条平板状压电体而言，长度方向与上述螺旋手性高分子(A)的主取向方向大致平行，利用DSC法测得的结晶度为20％～80％，且双折射率为0.01～0.03。
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公开(公告)号：CN115956098A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202180050465.6
申请日：2021-09-08
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C08G73/10 , C09J179/08 , H01L25/065
Abstract: 本发明提供一种组合物，其包含化合物(A)、化合物(B)和化合物(C)，化合物(A)具有包含选自伯氮原子和仲氮原子中的至少1个的阳离子性官能团以及Si‑O键，化合物(B)具有3个以上的‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳原子数1以上6以下的烷基)，所述‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，化合物(C)具有环结构以及与所述环结构直接结合的1个以上的伯氮原子，在化合物(A)所含的伯氮原子和仲氮原子与化合物(C)所含的伯氮原子的合计中，化合物(A)所含的伯氮原子和仲氮原子所占的比例为3摩尔％～95摩尔％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119497906A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202380051289.7
申请日：2023-07-04
Applicant: 三井化学株式会社
Abstract: 一种基板层叠体的制造方法，其包括：工序A，准备第一层叠体和第二层叠体，所述第一层叠体按照第一树脂层、第一基板、第一无机材料层的顺序层叠，所述第一树脂层配置在一个表面，所述第一无机材料层配置在另一个表面，所述第二层叠体按照第二树脂层、第二基板、第二无机材料层的顺序层叠，所述第二树脂层配置在一个表面，所述第二无机材料层配置在另一个表面；工序B，使所述第一层叠体的所述第一树脂层与所述第二层叠体的所述第二无机材料层接触而层叠所述第一层叠体和所述第二层叠体；以及工序C，在所述工序B之后，在100℃以上对所述第一层叠体和所述第二层叠体进行加热。
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公开(公告)号：CN117941037A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280059769.3
申请日：2022-08-29
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , C08G73/10
Abstract: 本发明是用于形成半导体用膜的组合物及其应用，所述组合物包含：特定结构的线形的硅氧烷化合物(A)，其包含选自伯氨基和仲氨基的氨基、硅原子以及与硅原子结合的非极性基团；特定结构的硅烷化合物(B)，其包含选自伯氨基和仲氨基的氨基、硅原子以及与硅原子结合的非极性基团；以及，特定结构的交联剂(C)，其在分子内至少包含‑C(＝O)OH基，重均分子量为200以上2000以下。
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公开(公告)号：CN117897799A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202280059797.5
申请日：2022-08-29
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L21/312 , C08G73/10
Abstract: 本发明是用于形成半导体用膜的组合物及其应用，所述组合物包含：脂肪族二胺(A)，其包含含有伯氨基和仲氨基以及碳原子的主链，伯氨基和仲氨基的合计为2个以上，构成所述主链的碳原子的数量为2以上180以下；以及交联剂(D)，其在分子内包含3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，重均分子量为200以上2000以下。
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公开(公告)号：CN115956098B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202180050465.6
申请日：2021-09-08
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: C08G73/10 , C09J179/08 , H01L25/065
Abstract: 本发明提供一种组合物，其包含化合物(A)、化合物(B)和化合物(C)，化合物(A)具有包含选自伯氮原子和仲氮原子中的至少1个的阳离子性官能团以及Si‑O键，化合物(B)具有3个以上的‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳原子数1以上6以下的烷基)，所述‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，化合物(C)具有环结构以及与所述环结构直接结合的1个以上的伯氮原子，在化合物(A)所含的伯氮原子和仲氮原子与化合物(C)所含的伯氮原子的合计中，化合物(A)所含的伯氮原子和仲氮原子所占的比例为3摩尔％～95摩尔％。
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公开(公告)号：CN108028311B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201680054146.1
申请日：2016-09-05
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: H01L41/193 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/338 , H01L41/45 , D03D1/00 , D03D15/02 , B32B7/025 , B32B27/12 , B32B27/36 , B32B27/20 , B32B5/02 , B32B33/00
Abstract: 长条平板状压电体，其含有重均分子量为5万～100万的具有光学活性的螺旋手性高分子(A)，并具有厚度为0.001mm～0.2mm、宽度为0.1mm～30mm、宽度相对于厚度之比为2以上的长条平板形状，对于所述长条平板状压电体而言，长度方向与上述螺旋手性高分子(A)的主取向方向大致平行，利用DSC法测得的结晶度为20％～80％，且双折射率为0.01～0.03。
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