公开(公告)号：CN119654696A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202380056974.9

申请日：2023-07-24

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 茅场靖刚 ,  冈太航 ,  中村雄三 ,  高村一夫 ,  四釜拓生 ,  田村佳保里 ,  古正力亚

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 一种基板层叠体的制造方法及半导体装置，该制造方法具有：工序A，准备具备基板及电极和有机材料层的基板层叠体；工序B，对基板层叠体的具有有机材料层一侧的面进行研磨；及工序C，对研磨后的基板层叠体进行加热。在工序A中准备的基板层叠体中的有机材料层设置于基板的具有电极一侧的面，该有机材料层含有树脂等且固化率小于100％；在将实施工序C前的基板层叠体中的电极与有机材料层的高低差设为a、将实施工序C后的电极与有机材料层的高低差设为b、将实施工序C前的有机材料层的膜厚设为c时，a、b及c满足下述式(1)。〔(b‑a)/c〕＝0.001～0.500(1)。