公开(公告)号：CN103339749A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201280006927.5

申请日：2012-01-13

Applicant: 首尔OPTO仪器股份有限公司

Inventor： 徐大雄 ,  李贞勋

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/36 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/486 ,  H01L33/50 ,  H01L33/507 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开晶片级发光二极管封装件及制造此的方法。该方法包括：在第一基板上形成多个半导体层叠结构体；准备第二基板，该第二基板具有对应于所述多个半导体层叠结构体而排列的第一电极和第二电极；将所述多个半导体层叠结构体结合到所述第二基板；在进行所述结合之后，将所述第一基板及所述第二基板分割为多个封装件。据此，提供晶片级发光二极管封装件。

公开(公告)号：CN103222074A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201180055825.8

申请日：2011-02-28

Applicant: 首尔OPTO仪器股份有限公司

Inventor： 金艺瑟 ,  金京完 ,  尹余镇 ,  李珍雄 ,  郑多娟 ,  禹尚沅 ,  李锦珠 ,  吴尚炫

IPC: H01L33/36

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/10 ,  H01L33/20 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/385 ,  H01L33/40 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0066

Abstract: 这里公开了一种包括电极焊盘的LED芯片。该LED芯片包括：半导体堆叠，包括第一导电类型半导体层、在第一导电类型半导体层上的第二导电类型半导体层以及设置在第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的活性层；第一电极焊盘，位于第二导电类型半导体层上，与第一导电类型半导体层相反；第一电极延伸体，从第一电极焊盘延伸并连接到第一导电类型半导体层；第二电极焊盘，电连接到第二导电类型半导体层；以及绝缘层，设置在第一电极焊盘与第二导电类型半导体层之间。该LED芯片包括在第二导电类型半导体层上的第一电极焊盘，从而增大了发光面积。

公开(公告)号：CN103081139A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180041118.3

申请日：2011-04-05

Applicant: 首尔OPTO仪器股份有限公司

Inventor： 金艺瑟 ,  郑多娟 ,  金京完 ,  尹馀镇 ,  吴尚炫

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/60

Abstract: 公开了一种发光二极管(LED)，该LED包括发光堆叠结构以及在发光堆叠结构上形成为具有图案的电极结构。该LED的电极结构包括：反射体的集群，在发光堆叠结构上沿所述图案设置；以及焊盘材料层，形成为完全地覆盖反射体。

公开(公告)号：CN103069584A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201180039456.3

申请日：2011-01-18

Applicant: 首尔OPTO仪器股份有限公司

Inventor： 南基范 ,  吴德焕 ,  徐原哲

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L33/10 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0083

Abstract: 本发明提供了一种UV发光二极管及其制造方法。UV发光二极管包括：第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，顺序地形成在基底上；电极，形成在第二导电类型半导体层上；以及开口，通过去除第一导电类型半导体层、有源层、第二导电类型半导体层、反射结构和透明电极中的至少部分形成，以穿过所述开口来暴露部分第一导电类型半导体层。在UV发光二极管中，UV光从有源层发射，穿过开口，然后传播到外部。

公开(公告)号：CN102804414A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080026251.7

申请日：2010-06-10

Applicant: 首尔OPTO仪器股份有限公司

Inventor： 酒井士郎

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体基底的方法，该半导体基底包括：基底；第一半导体层，布置在基底上；金属材料层，布置在第一半导体层上；第二半导体层，布置在第一半导体层和金属材料层上；腔，形成在位于金属材料层下方的第一半导体层中。

公开(公告)号：CN102640307A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201080038363.4

申请日：2010-07-22

Applicant: 首尔OPTO仪器股份有限公司

Inventor： 金彰渊 ,  酒井士郎 ,  金华睦 ,  李俊熙 ,  文秀荣 ,  金京完

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体基底的方法和一种制造发光装置的方法。制造半导体基底的方法包括：在基底上形成第一半导体层；在第一半导体层上以预定图案形成金属材料层；在第一半导体层和金属材料层上形成第二半导体层，同时在第一半导体层的位于金属材料层下方的部分中形成孔隙；利用孔隙使基底从第二半导体层分离。这些方法不使用激光束来分离生长基底，从而降低了半导体基底的制造成本。

公开(公告)号：CN102598317A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080046603.5

申请日：2010-08-27

Applicant: 首尔OPTO仪器股份有限公司 ,  韩国产业技术大学校产学协力团

Inventor： 南玉铉 ,  李东轩 ,  俞根镐

IPC: H01L33/16

CPC classification number: H01L33/16 ,  H01L29/2003 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供了一种非极性/半极性半导体器件及其制造方法，该非极性/半极性半导体器件具有降低的氮化物半导体层的缺陷密度及提高的内部量子效率和光提取效率。用于制造半导体器件的方法在具有用于生长非极性或半极性氮化物半导体层的晶面的蓝宝石基底、SiC基底或Si基底上形成模板层和半导体器件结构。所述制造方法包括：在基底上形成氮化物半导体层；执行多孔表面改性，使得氮化物半导体层具有多个孔；通过在表面改性的氮化物半导体层上再生长氮化物半导体层来形成模板层；以及在模板层上形成半导体器件结构。

公开(公告)号：CN102576782A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080038644.X

申请日：2010-08-25

Applicant: 首尔OPTO仪器股份有限公司

Inventor： 柳泓在 ,  芮景熙

IPC: H01L33/12

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/12

Abstract: 这里公开了一种具有高位错密度的中间层的发光二极管及其制造方法。所述发光二极管包括：基底；缓冲层，设置在基底上；基于氮化镓的n型接触层，设置在缓冲层上；基于氮化镓的p型接触层，设置在n型接触层上；活性层，插入在n型接触层和p型接触层之间；基于氮化镓的第一下半导体层，插入在缓冲层和n型接触层之间；基于氮化镓的第一中间层，插入在第一下半导体层和n型接触层之间，其中，第一中间层的位错密度低于缓冲层的位错密度，并且高于第一下半导体层的位错密度。通过这种构造，可以通过具有相对高位错密度的第一中间层来防止在第一下半导体层内形成的位错转移到n型接触层。

公开(公告)号：CN101689584B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200880016875.3

申请日：2008-05-16

Applicant: 首尔OPTO仪器股份有限公司 ,  德岛大学

Inventor： 酒井士郎 ,  直井美贵

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明提供了一种制造发光二极管的方法，该方法包括以下步骤：在基底上形成化合物半导体层，所述化合物半导体层包括下半导体层、有源层和上半导体层；通过用研磨剂摩擦所述基底来刮擦所述基底的表面。根据本发明，使用所述研磨剂来摩擦并刮擦发光二极管的表面，由此可以使得从所述有源层发射的光有效地出射到外面。因此，可以提高发光二极管的光出射效率。

公开(公告)号：CN102255022A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110140245.0

申请日：2011-05-18

Applicant: 首尔OPTO仪器股份有限公司

Inventor： 金多慧 ,  李俊熙 ,  柳宗均 ,  金彰渊 ,  林弘澈

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/20 ,  H01L33/36 ,  H01L33/00 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265

Abstract: 本发明的示例性实施例涉及一种高效发光二极管(LED)。根据示例性实施例的LED包括：基底；半导体堆叠件，布置在基底上，其中，半导体堆叠件具有p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一金属层，设置在基底和半导体堆叠件之间，第一金属层与半导体堆叠件欧姆接触；第一电极焊盘，布置在半导体堆叠件上；电极延伸件，从第一电极焊盘延伸，其中，电极延伸件具有与n型半导体层接触的接触区；第一绝缘层，设置在基底和半导体堆叠件之间，其中，第一绝缘层覆盖p型半导体层的在电极延伸件的接触区下方的表面区域；第二绝缘层，设置在第一电极焊盘和半导体堆叠件之间。