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公开(公告)号：CN113335228A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202011411353.2
申请日：2020-12-04
Applicant: 现代自动车株式会社 , 起亚自动车株式会社 , 韩国产业技术大学校产学协力团
Abstract: 本发明提供一种车辆钥匙及其制造方法，具体地提供一种能够通过能量收集而自行产生电能的车辆钥匙以及制造车辆钥匙的方法。所述车辆钥匙包括：发电装置，其包括：能量产生模块，其配置为利用能量收集来产生电能；以及蓄电器，其配置为存储所产生的电能；输入器，其配置为接收用户输入；通信器，其配置为与车辆通信；以及控制器，其配置为控制通信器向车辆发送与接收到的用户输入相对应的控制信号。所述输入器、所述通信器和所述控制器中的至少一个可以配置为从发电装置接收电力。
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公开(公告)号：CN110891258B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN201811491928.9
申请日：2018-12-07
Applicant: 现代自动车株式会社 , 起亚自动车株式会社 , 韩国产业技术大学校产学协力团
Abstract: 本发明涉及车辆到车辆V2V通信方法及使用该方法的装置，用于考虑事件类型而改变与周围车辆的通信方法，可以包括：当事件发生时，确定事件是否是重要事件；当事件是重要事件时，广播事件数据；当事件不是重要事件时，根据与周围车辆的通信情形来确定传输方法；以及根据所确定的传输方法来多播或广播事件数据。
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公开(公告)号：CN113335228B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202011411353.2
申请日：2020-12-04
Applicant: 现代自动车株式会社 , 起亚自动车株式会社 , 韩国产业技术大学校产学协力团
Abstract: 本发明提供一种车辆钥匙及其制造方法，具体地提供一种能够通过能量收集而自行产生电能的车辆钥匙以及制造车辆钥匙的方法。所述车辆钥匙包括：发电装置，其包括：能量产生模块，其配置为利用能量收集来产生电能；以及蓄电器，其配置为存储所产生的电能；输入器，其配置为接收用户输入；通信器，其配置为与车辆通信；以及控制器，其配置为控制通信器向车辆发送与接收到的用户输入相对应的控制信号。所述输入器、所述通信器和所述控制器中的至少一个可以配置为从发电装置接收电力。
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公开(公告)号：CN110635933B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201811496308.4
申请日：2018-12-07
Applicant: 现代自动车株式会社 , 起亚自动车株式会社 , 韩国产业技术大学校产学协力团
Abstract: 一种用于管理SDN的网络的装置、控制方法及记录介质，该装置包括：SDN控制器，包括被配置为存储多个异构协议信息项的第一管理单元：以及SDN交换机，由SDN控制器控制，并且所述SDN交换机包括第二管理单元和网关，所述第二管理单元存储从SDN控制器获取的至少一个异构协议信息项，所述网关与车辆网络通信。具体而言，当从外部源接收与尚未用于接入的新协议对应的分组时，SDN交换机向SDN控制器发送请求以分析接收的分组，并且SDN控制器将存储在与第一管理单元中的多个异构信息项中的接收的分组对应的协议信息转发到SDN交换机。
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公开(公告)号：CN103912843B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201410007113.4
申请日：2014-01-07
Applicant: 高一智股份公司 , 韩国产业技术大学校产学协力团 , 高亚光学股份公司
IPC: G02B3/04 , G02B3/06 , F21V5/04 , G02F1/13357
CPC classification number: G02B19/0047 , G02B3/04 , G02B13/06 , G02F1/133603 , G02F2001/133607 , H01L33/58
Abstract: 本文公开了一种宽辐射角透镜。该透镜包括弯曲的光入射表面和弯曲的光出射表面。弯曲的光入射表面包括：第一球面，该第一球面具有从光轴沿-X的方向移位距离D1的曲率中心和负曲率半径R1；以及第二球面，该第二球面具有在光轴上的曲率中心和负曲率半径R2。弯曲的光出射表面包括：第三球面，该第三球面具有从光轴沿+X的方向移位距离D2并且从X轴沿-Z的方向移位距离H的曲率中心和负曲率半径R3；以及第四球面，该第四球面具有在光轴上的曲率中心和正曲率半径R4。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109072162A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780025033.3
申请日：2017-03-31
Applicant: T&R , 碧欧法博有限公司 , 韩国产业技术大学校产学协力团
Abstract: 本发明涉及一种使用多种墨的打印装置及使用该打印装置的打印方法，更具体而言，本发明涉及一种使用多种墨的打印装置，该打印装置包括墨挤出构件，所述墨挤出构件包括：存储部件，该存储部件被分隔成用于分别容纳多种墨的多个容纳部件；和挤出部件，该挤出部件具有单个通道，容纳在存储部件中的多种墨通过该单个通道；本发明还涉及一种具有横截面图案的打印输出的三维打印方法，该方法包括如下步骤：使用打印装置向分隔空间中提供不同的墨并向所容纳的墨施加相同的压力条件，以便将容纳在两个或更多个分隔空间中的墨通过单个挤出口挤出，从而产生墨挤出产品并进行打印。
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公开(公告)号：CN103912843A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410007113.4
申请日：2014-01-07
Applicant: 高一智股份公司 , 韩国产业技术大学校产学协力团 , 高亚光学股份公司
IPC: F21V5/04
CPC classification number: G02B19/0047 , G02B3/04 , G02B13/06 , G02F1/133603 , G02F2001/133607 , H01L33/58
Abstract: 本文公开了一种宽辐射角透镜。该透镜包括弯曲的光入射表面和弯曲的光出射表面。弯曲的光入射表面包括：第一球面，该第一球面具有从光轴沿-X的方向移位距离D1的曲率中心和负曲率半径R1；以及第二球面，该第二球面具有在光轴上的曲率中心和负曲率半径R2。弯曲的光出射表面包括：第三球面，该第三球面具有从光轴沿+X的方向移位距离D2并且从X轴沿-Z的方向移位距离H的曲率中心和负曲率半径R3；以及第四球面，该第四球面具有在光轴上的曲率中心和正曲率半径R4。
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公开(公告)号：CN102549778A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080038305.1
申请日：2010-08-27
Applicant: 首尔OPTO仪器股份有限公司 , 韩国产业技术大学校产学协力团
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 提供了一种高质量非极性/半极性半导体器件及其制造方法。通过在能够生长非极性/半极性氮化物半导体层的蓝宝石晶面上形成氮化物半导体晶体来消除在极性氮化物半导体的活性层中产生的压电效应。模板层形成在沿预定方向倾斜的蓝宝石晶面的相应的轴外，从而降低了半导体器件的缺陷密度，并提高了其内部量子效率和光提取效率。在制造所述半导体器件的方法中，在具有用于生长非极性或半极性氮化物半导体层的晶面的蓝宝石基底上形成模板层和半导体器件结构。所述蓝宝石基底的所述晶面沿预定方向倾斜，并且模板层包括位于倾斜的蓝宝石基底上的氮化物半导体层和GaN层。
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公开(公告)号：CN102576780B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201080038311.7
申请日：2010-08-27
Applicant: 首尔伟傲世有限公司 , 韩国产业技术大学校产学协力团
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0062 , H01L33/16
Abstract: 提供了一种具有降低的缺陷密度以及提高的内部量子效率和光提取效率的高质量非极性/半极性半导体器件及其制造方法。所述制造方法是用于制造半导体器件的方法，在所述半导体器件中，模板层和半导体器件结构形成在具有用于生长非极性或半极性氮化物半导体层的晶面的蓝宝石基底上。蚀刻所述蓝宝石基底，以形成不平坦图案，并且在其中形成有所述不平坦图案的所述蓝宝石基底上形成包括氮化物半导体层和GaN层的模板层。
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公开(公告)号：CN102598317A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080046603.5
申请日：2010-08-27
Applicant: 首尔OPTO仪器股份有限公司 , 韩国产业技术大学校产学协力团
IPC: H01L33/16
CPC classification number: H01L33/16 , H01L29/2003 , H01L31/0304 , H01L31/1856 , H01L33/0062 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01S5/0213 , H01S5/3202 , H01S5/32341 , H01S2304/12 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 提供了一种非极性/半极性半导体器件及其制造方法，该非极性/半极性半导体器件具有降低的氮化物半导体层的缺陷密度及提高的内部量子效率和光提取效率。用于制造半导体器件的方法在具有用于生长非极性或半极性氮化物半导体层的晶面的蓝宝石基底、SiC基底或Si基底上形成模板层和半导体器件结构。所述制造方法包括：在基底上形成氮化物半导体层；执行多孔表面改性，使得氮化物半导体层具有多个孔；通过在表面改性的氮化物半导体层上再生长氮化物半导体层来形成模板层；以及在模板层上形成半导体器件结构。
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