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公开(公告)号:CN101730936A
公开(公告)日:2010-06-09
申请号:CN200880010785.3
申请日:2008-01-28
IPC: H01L23/36 , C09K5/08 , H01L23/373 , H05K7/20
CPC classification number: F28F3/02 , B23P15/26 , C09K5/14 , F28F2013/006 , H01L23/34 , H01L23/3733 , H01L23/3737 , H01L23/433 , H01L2924/0002 , Y10T29/49352 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的传热片具有传热层,所述传热层具有第一部分和第二部分,该第二部分在俯视时设置在与所述第一部分不同的位置上且根据温度变化在厚度方向上以比所述第一部分更大的伸缩率进行伸缩;在使用状态中,当传热层的温度处于规定温度以下时,在第二部分与放热对象物和/或配对体之间产生空隙,以使放热对象物与上述配对体之间的导热性降低,另一方面,当传热层的温度处于规定温度以上时,实质上消除上述空隙,以使放热对象物与配对体之间的导热性提高。
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公开(公告)号:CN109072478B
公开(公告)日:2021-12-03
申请号:CN201780026022.7
申请日:2017-04-27
IPC: C30B29/36
Abstract: 在由包含TaC的材料组成的TaC容器(2)内收容由包含多晶SiC的材料组成的SiC容器(3),且在将衬底基板(40)收容在该SiC容器(3)内部的状态下,以该TaC容器(2)内成为Si蒸气压力的方式且以产生温度梯度的环境加热TaC容器(2)。其结果,通过因SiC容器(3)的内表面被蚀刻而升华的C原子和环境中的Si原子键合,在衬底基板(40)上生长单晶3C‑SiC的外延层(41)。
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公开(公告)号:CN101730936B
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN200880010785.3
申请日:2008-01-28
IPC: H01L23/36 , C09K5/08 , H01L23/373 , H05K7/20
CPC classification number: F28F3/02 , B23P15/26 , C09K5/14 , F28F2013/006 , H01L23/34 , H01L23/3733 , H01L23/3737 , H01L23/433 , H01L2924/0002 , Y10T29/49352 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的传热片具有传热层,所述传热层具有第一部分和第二部分,该第二部分在俯视时设置在与所述第一部分不同的位置上且根据温度变化在厚度方向上以比所述第一部分更大的伸缩率进行伸缩;在使用状态中,当传热层的温度处于规定温度以下时,在第二部分与放热对象物和/或配对体之间产生空隙,以使放热对象物与上述配对体之间的导热性降低,另一方面,当传热层的温度处于规定温度以上时,实质上消除上述空隙,以使放热对象物与配对体之间的导热性提高。
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