-
公开(公告)号：CN116947051A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210386212.2
申请日：2022-04-13
Applicant: 烟台万华电子材料有限公司
Abstract: 本发明提供了一种丙硅烷的制备方法，包含以下步骤：(1)将多孔碳材料置于耐压容器中，在抽真空条件下对耐压容器进行加热，冷却至室温后继续维持抽真空条件；(2)将耐压容器的温度降低至‑160～‑50℃后，并在该温度下将低阶硅烷以0.2L/min～0.8L/min的流速通入至耐压容器中，静置30～120min；(3)将耐压容器中的温度升至室温，静置后收集挥发出的丙硅烷；其中，多孔碳材料的比表面积≥500m2/g，孔径分布在0.4nm～5nm。本发明提供了一种利用高比表面积的多孔碳材料催化转化低阶硅烷合成高阶硅烷的方法，本发明的制备方法极大地降低了原料的损失、催化低阶硅烷合成转化为高阶硅烷。
-
公开(公告)号：CN116924335A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210342801.0
申请日：2022-04-02
Applicant: 烟台万华电子材料有限公司
IPC: C01B6/06
Abstract: 本发明提供一种在液氨中反应生产乙锗烷的方法，包括如下步骤：将多元金属‑锗复合物和氯化铵在液氨介质中进行化学反应，得到乙锗烷；所述多元金属‑锗复合物的结构式为XYGe,其中X,Y分别代表不同的元素，且其中至少一种为金属元素；所述多元金属‑锗复合物由Ge以及下列元素中的两种成分组成：Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Ga、Sn、Pb、Ti、V、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Si。本发明方法可以通过提升锗的转化率来生产甲锗烷和高产率的乙锗烷。
-
公开(公告)号：CN112858555B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202110024322.X
申请日：2021-01-08
Applicant: 烟台万华电子材料有限公司
IPC: G01N30/88
Abstract: 本发明提供了一种分析高纯乙硅烷中的杂质含量的方法。所述方法包括：进样步骤；分离步骤：高纯氦气作为载气，将第一定量管中的样品送入第一分离系统分离，通过控制阀门，排出第三类杂质和大部分乙硅烷，进一步分离第一类杂质和第二类杂质；同时，将第二定量管中的样品送入第二分离系统分离，通过控制阀门，进一步分离第三类杂质，而排出样品中的其它部分；和检测步骤。使用本发明所述的分析装置，可以一次进样即可实现乙硅烷中杂质的全分析，具有检测限低、分离效果好、分析速度快的优点。
-
公开(公告)号：CN109626379A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201710929291.6
申请日：2017-10-09
Applicant: 烟台万华电子材料有限公司
Inventor： 贺孝鸣
CPC classification number: C01B33/043 , C01B33/04 , C01B33/046 , C22C1/1084 , C22C1/1094 , C22C29/00 , C22F1/00
Abstract: 本发明提供了采用合金化的氢‑金属‑硅复合物与氯化铵在液氨介质中进行化学反应生产硅烷类产品的方法和设备，利用机械过程促进氢‐金属‐硅复合及相应的合金化过程，进而通过与氯化铵在液氨介质中进行化学反应来生产甲硅烷和硅烷类产品，甲硅烷用回流式甲硅烷吸收转换器控制输出，粗硅烷类产品经分离提纯制取高产率硅烷类产品。其中，氢‑金属‑硅复合物由Si、H以及下列元素中至少两种以上的成分组成：Mg、Ca、Sr、Ba、Li、Na、K、B、Al、Ti、Fe、V，经机械过程、或者热机械过程、或者机械化学成键过程合成，再经热处理合金化后即可使用。
-
公开(公告)号：CN118666245B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202410705153.X
申请日：2024-06-03
Applicant: 烟台万华电子材料有限公司
IPC: C01B6/06 , B01J4/00 , B01J19/18 , B01J4/02 , B01F33/83 , B01F35/221 , B01J19/00 , B01D53/04 , B01D53/26
Abstract: 本发明提供氢化锗的生产方法和氢化锗制备系统，采用本发明的方法制备氢化锗，能够提升氢化锗产率，能适用于氢化锗大规模产业化生产。所述生产方法包括如下步骤：(1)将第一部分卤化铵在第一研磨器中研磨并用热氮气吹扫，之后向所述第一研磨器中投入所述锗化镁，继续研磨和混合，得到物料A；将第二部分卤化铵在第二研磨器中研磨并用热氮气吹扫，得到物料B；(2)将所述物料B投入反应器中与所述溶剂混合，然后将所述物料A投入所述反应器中，经反应得到氢化锗粗产品；(3)将所述氢化锗粗产品进行精制处理，得到氢化锗产品。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119000230A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202310559081.8
申请日：2023-05-16
Applicant: 烟台万华电子材料有限公司
IPC: G01N1/40 , G01N1/34 , G01N27/626
Abstract: 本发明提供一种乙硅烷中痕量杂质元素的检测方法，采用本发明的方法能够有效去除硅基质对关键杂质元素的检测干扰，利于准确灵敏的同步检测乙硅烷中多种痕量杂质元素。所述检测方法包括如下步骤：1)对乙硅烷待测样品进行前处理：将所述乙硅烷待测样品用碱液进行吸收反应，得到吸收液，然后将所述吸收液和氢氟酸接触反应，之后将所得反应液进行加热，挥发其中的液体，然后加入硝酸溶解其中的残余物并定容，得到待测样液；2)将所述待测样液进行所述痕量杂质元素的检测，根据检测结果确定所述待测样品中痕量杂质元素的含量。
-
公开(公告)号：CN118458696A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310094384.7
申请日：2023-02-07
Applicant: 烟台万华电子材料有限公司
Abstract: 本发明提供了一种乙硼烷的提纯制备方法及其提纯系统,通过第一次吸附、第一次精馏、第二次精馏、第二次吸附和第三次吸附，以除去其中的金属元素和杂质气体，特别是与乙硼烷沸点相近的杂质气体。控制提纯过程中的工艺参数，如：压力和温度，上述工艺参数的设置能显著增强提纯效果并提高杂质的分离效率，得到纯度符合要求的纯化的乙硼烷。
-
公开(公告)号：CN117623318A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210957026.X
申请日：2022-08-10
Applicant: 烟台万华电子材料有限公司
IPC: C01B33/04
Abstract: 本发明提供一种粗甲硅烷纯化方法和粗甲硅烷纯化装置，采用本发明的纯化方法纯化粗甲硅烷，对低含量的难去除杂质具有良好的去除效果，且纯化过程中损失率低，吸附塔中的吸附剂不需要频繁的进行周期性活化、钝化处理。所述粗甲硅烷纯化的方法，包括如下步骤：1)将待纯化的粗甲硅烷物料I送入脱轻精馏塔内，得到脱除了部分轻组分的甲硅烷物料II；2)将步骤1)得到的所述甲硅烷物料II送入脱重精馏塔内，得到脱除了部分重组分的甲硅烷物料III；3)将步骤2)得到的所述甲硅烷物料III送入吸附塔内，经一系列升压、降压、降温、升温等得到纯化甲硅烷。
-
公开(公告)号：CN115597789A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202110776007.2
申请日：2021-07-08
Applicant: 烟台万华电子材料有限公司(CN)
IPC: G01M3/18
Abstract: 本发明公开一种密封接头的密封性检测装置及检测方法，属于密封性检测领域。该密封性检测装置包括：氦检仪，安装于所述氦检仪的输入口处的变径接头，安装于所述变径接头上的多通接头，以及连接于所述多通接头上的至少两个检测支管，所述检测支管上固定连接待检测密封接头；还包括与供气单元连通的密封气室，所述密封气室可拆卸地套接于所述检测支管上，所述待检测密封接头位于所述密封气室内。本发明解决了现有的密封性检测装置无法对不同尺寸及种类的密封接头进行检测的问题。
-
公开(公告)号：CN112723359B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202011620831.0
申请日：2020-12-30
Applicant: 烟台万华电子材料有限公司
IPC: C01B33/04
Abstract: 本发明提供多元金属硅化物与氯化铵反应制备乙硅烷的方法及系统，本发明提供的方法能解决传统硅化镁法的不足，可以获得高产率的乙硅烷，能适用于乙硅烷的大规模产业化生产。本发明提供一种多元金属硅化物与氯化铵反应制备乙硅烷的方法，包括如下步骤：1)将用于合成多元金属硅化物的原料通入融合包覆机中进行预处理，预处理后所得物料送入硅化物合成装置中反应生成所述多元金属硅化物；2)将所述多元金属硅化物和氯化铵溶液加入反应釜中在液氨的存在下反应获得产物物料；3)将所述产物物料通过冷凝回流装置去除其中的氨气后，再送入杂质分离装置去除其中的氢气和残留的氨气，然后将产物物料送入硅烷分离装置分离获得甲硅烷粗品和乙硅烷粗品。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
49
records
(took 0.152 seconds)
