公开(公告)号：CN1839215A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200480023856.5

申请日：2004-08-04

Applicant: 株式会社日矿材料

Inventor： 栗原敏也

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414

Abstract: 一种ITO溅射靶，其特征在于，在ITO溅射靶中，以王水腐蚀时或溅射腐蚀时，表面出现的粒径在100nm以上的粒子的个数为1个/μm2以下，并且密度在7.12g/cm3以上。其有效地抑制溅射特性，特别抑制电弧放电的产生，抑制由于该电弧放电而生成的ITO膜的缺陷的产生，抑制ITO膜的品质降低。

公开(公告)号：CN1633516A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN02803276.4

申请日：2002-02-15

Applicant: 株式会社日矿材料

Inventor： 古仲充之 ,  栗原敏也

IPC: C23C14/34 ,  C01G19/00

CPC classification number: C23C14/086 ,  C01G15/00 ,  C01G19/00 ,  C01G19/02 ,  C01P2002/54 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明提供ITO溅射靶用氧化锡粉末，其特征在于，由粒度分布求得的中径在0.40～1.0μm的范围内，且从粒度分布求得的90％粒径在3.0μm以下的范围内。本发明还提供可以得到具有优良的适合形成ITO薄膜的高密度化和成分均匀性的烧结体的氧化锡粉末及使用该粉末烧结的用于形成ITO膜的溅射靶，由此可以以低成本提供用于形成ITO膜的氧化锡－氧化铟靶，该靶可以抑制在形成ITO薄膜时产生小结等或其引起的质量下降。