公开(公告)号：CN107123591A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710321968.8

申请日：2017-05-09

Applicant: 潍坊星泰克微电子材料有限公司

Inventor： 孙逊运 ,  孟祥龙 ,  刘运 ,  王安栋 ,  于凯

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/26

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明公开一种GPP芯片制造的光刻工艺，包括如下步骤：（1）涂胶：在清洁干燥的硅片基材表面涂布不含二甲苯溶剂的负性光刻胶；（2）前烘，以去除胶膜中的溶剂；（3）曝光；（4）显影：采用碱性水溶液进行恒温显影；（5）定影：采用去离子水对基材进行冲洗；（6）后烘：去除残存溶剂，使胶膜固化致密；（7）腐蚀：以酸混合液腐蚀基材；（8）去胶。重复光刻工艺以制作复杂图形。本发明工艺避免了使用含有毒有害二甲苯的环化橡胶系负性光刻胶，以碱性水溶液和去离子水取代了有害的易挥发有机显影液和定影液，使光刻工艺过程变的安全健康环保。

公开(公告)号：CN107092161A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710075800.3

申请日：2017-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金良男

IPC: G03F1/46

CPC classification number: G03F1/46 ,  G03F7/039 ,  G03F7/16 ,  G03F7/2008 ,  G03F7/26 ,  G03F7/38 ,  G11C8/10 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/22 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28017 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/66568

Abstract: 一种光掩模包括：中间掩模衬底；设置在中间掩模衬底上并限定在半导体衬底上实现的光致抗蚀剂图案的主图案；以及与主图案相邻的抗反射图案。彼此相邻的一对抗反射图案之间的距离是第一长度，并且所述一对抗反射图案中的至少一个的宽度是第二长度。第一长度和第二长度之和等于或小于由曝光工艺的分辨率限定的最小间距。主图案和最靠近主图案的抗反射图案之间的距离等于或小于第一长度。

公开(公告)号：CN106066582A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610431734.4

申请日：2016-06-17

Applicant: 北京中科紫鑫科技有限责任公司

Inventor： 陈哲 ,  张睿 ,  王者馥 ,  王绪敏 ,  殷金龙 ,  任鲁风

IPC: G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/38 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40

Abstract: 本发涉及一种SU8模具的制备方法，包括以下步骤：匀胶；将璇涂有SU8涂层的光纤面板放置在干燥加热的环境中，使SU8层成膜；采用紫外光将覆盖有掩膜的SU8膜曝光；将上覆曝光后SU8膜的光纤面板干燥加热的环境中后烘；将上覆后烘处理过的SU8膜的光纤面板放入氦气柜中使SU8膜和光纤面板降至室温；显影；和将所形成的SU8模具以及光纤面板放入烘箱中进行坚模处理。本发明采用氦气冷却的手段可以降低因温度变化产生的内应力；还添加坚模步骤，使光刻胶显影后形成的模型或结构更加坚固，更加耐磨。另外，本发明还优化了前烘和后烘的参数，使最终SU8成模结构出现形变和/或开裂的几率降低，提高了工艺重复率以及成品率。

公开(公告)号：CN105739243A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610260626.5

申请日：2016-04-22

Applicant: 长葛市汇达感光材料有限公司

Inventor： 张朝阳

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/16 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明涉及感光材料板生产技术领域，一种感光材料板的制造方法，包括清洗—中和—电解—氧化—干燥—涂布工序，其特征是：在所述干燥后面对要涂布感光材料基板的表面还有一个剖光过程，所述的剖光过程就是用硅橡胶对这个表面进行打磨的过程，所述剖光过程是指用硅橡胶按压在基板的表面并沿着基板表面拉扯，其按压力是50—60g/c㎡。这样的感光材料板的制造方法可以生产出耐印程度更高、使用寿命长、印刷清晰程度高的感光材料。

公开(公告)号：CN105428318A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201610033975.3

申请日：2016-01-19

Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

Inventor： 徐涛 ,  陈宏 ,  王卉 ,  曹子贵

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/30

CPC classification number: H01L27/115 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/30 ,  H01L21/027 ,  H01L21/0274

Abstract: 一种闪存结构的制造方法，包括：提供衬底，包括逻辑区和存储单元区；在衬底上形成字线层；采用显影剂对字线层表面进行中和处理；进行中和处理后，通过曝光显影工艺在字线层表面形成图形化的光刻胶层，图形化的光刻胶层暴露出逻辑区的字线层表面；以图形化的光刻胶层为掩膜，去除逻辑区的字线层，在存储单元区形成字线。本发明在进行曝光显影工艺之前，先采用显影剂对所述字线层表面进行中和处理，避免所述曝光显影工艺中采用的显影剂的离子与字线层表面发生酸碱中和反应，从而提高所述显影剂的显影效果，曝光显影工艺的显影剂对光刻胶层充分显影，避免逻辑区的字线层表面有光刻胶残留，使逻辑区的字线层可以被去除完全，进而提高闪存结构的良率。

公开(公告)号：CN105355726A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510646006.0

申请日：2015-10-08

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 梁宇恒 ,  刘国和

IPC: H01L33/00

CPC classification number: G02B5/201 ,  B82Y20/00 ,  G02B5/206 ,  G02B5/223 ,  G02F1/133516 ,  G02F1/133617 ,  G03F7/0007 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  Y10S977/774 ,  H01L33/0062

Abstract: 本发明提供一种量子点层图形化的方法及量子点彩膜的制备方法。本发明的量子点层图形化的方法，利用具有图案结构的光阻层为遮蔽层，对单色量子点层进行刻蚀，得到图形化的量子点层，该方法简化了用于形成量子点层的量子点胶的组成成分，即简化量子点的表面化学环境，从而提高了量子点的发光效率，且该方法能够制备出精细的量子点图形，大大提高了图形化的量子点层的显示分辨率；本发明的量子点彩膜的制备方法，根据上述量子点层图形化的方法制备量子点彩膜，制备的量子点彩膜具有精细的量子点图形，且量子点的发光效率高，进而有效提高了显示装置的分辨率、及背光利用率。

公开(公告)号：CN105294537A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510583865.X

申请日：2013-05-06

Applicant: 巴斯夫欧洲公司

Inventor： 西前祐一 ,  仓久敏 ,  国本和彦 ,  山上隆平 ,  田中庆太

IPC: C07D209/86 ,  G03F7/027

CPC classification number: G03F7/027 ,  C07D209/86 ,  C07D209/88 ,  C08F122/20 ,  C09D135/02 ,  G02B5/20 ,  G03F7/0007 ,  G03F7/031 ,  G03F7/033 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/26 ,  G03F7/30

Abstract: 式I、II、III、IV或V的肟酯化合物为有效的光敏引发剂，其中Z为例如(式A)；Z1为例如NO2、未经取代或经取代的C7-C20芳酰基或未经取代或经取代的C4-C20杂芳酰基；条件为至少一个Z1不同于NO2；Z2为例如未经取代或经取代的C7-C20芳酰基；R1、R2、R3、R4、R5和R6为例如氢、卤素、或未经取代或经取代的C1-C20烷基、未经取代或经取代的C6-C20芳基、或未经取代或经取代的C4-C20杂芳基；R9、R10、R11、R12和R13为例如氢、卤素、OR16、未经取代或经取代的C1-C20烷基；条件为R9与R13不为氢或氟；R14为例如未经取代或经取代的C6-C20芳基或C3-C20杂芳基；Q为例如C6-C20亚芳基或C3-C20亚杂芳基；Q1为-C1-C20亚烷基-CO-；Q2为亚萘甲酰基；Q3为例如亚苯基；L为例如O-亚烷基-O-；R15为例如氢或C1-C20烷基；R20为例如氢、或未经取代或经取代的C1-C20烷基。

公开(公告)号：CN105034499A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510274617.7

申请日：2015-05-26

Applicant: 深圳市中联讯科技有限公司

Inventor： 高建民

IPC: B32B27/06 ,  B32B27/32 ,  B32B27/36 ,  B32B37/12 ,  B32B38/14 ,  B32B38/16 ,  B32B38/04 ,  B32B38/00 ,  B32B43/00 ,  G03F7/26

CPC classification number: B32B27/06 ,  B32B27/32 ,  B32B27/36 ,  B32B37/1284 ,  B32B38/0036 ,  B32B38/04 ,  B32B38/145 ,  B32B38/164 ,  B32B43/003 ,  B32B2038/042 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明涉及片材表面处理工艺技术领域，尤其涉及一种防冲墨的片材制作方法，其为在拉丝片材表面进行底盖印刷，漏空LOGO位不印刷，印LOGO后再整面盖底，包括LOGO位，最后再印粘合剂。本发明有益效果：将现有技术的印刷顺序变更，解决了先印LOGO再盖底不易对位，影响效率，易印偏、印斜，印刷漏空、重印等不良问题，变更印刷顺序及参数调整后，增加了印刷层的附着力，有效的改善了套啤冲墨的技术问题。

公开(公告)号：CN104950359A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510131909.5

申请日：2015-03-24

Applicant: 索尼公司

Inventor： 佐藤真 ,  竹内太一 ,  手岛飞鸟

IPC: G02B3/00 ,  G02B5/00 ,  G02B1/11 ,  G03F7/00

CPC classification number: G02B1/118 ,  B29D11/0074 ,  B29D17/005 ,  G02B1/12 ,  G02B3/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明涉及一种光学器件、原板、原板的制造方法和成像装置。光学器件包括：弯曲表面和多个结构体，所述多个结构体以在要被降低反射的光的波长以下的间隔螺旋状地设置于所述弯曲表面上。所述多个结构体的每一个是在光轴方向上凸出的凸部或在所述光轴方向上凹陷的凹部。所述弯曲表面在其中心处具有其中没有所述多个结构体的区域。

公开(公告)号：CN104102028A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201310560061.9

申请日：2013-11-12

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 崔玄武 ,  金智惠 ,  安暻源 ,  柳娥凛 ,  任宰范 ,  田桓承 ,  许健宁

IPC: G02F1/13

CPC classification number: G03F7/26 ,  G03F7/027 ,  G03F7/16

Abstract: 本发明公开了表面处理氧化铟锌基板的有机溶液及显示基板制备方法，具体地公开了一种用于表面处理氧化铟锌（IZO）基板的有机溶液和一种使用该有机溶液制备显示基板的方法，该有机溶液用于氧化铟锌（IZO）基板的表面处理，并且包含有机物质。