公开(公告)号：CN115663040A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211267871.0

申请日：2022-10-17

Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司

Inventor： 李巧艳 ,  秦媛 ,  徐希翔 ,  何博 ,  顾小兵 ,  何永才

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0392

Abstract: 本申请公开了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括基底，在所述基底上依次层叠有所述空穴传输层以及钙钛矿吸收层，所述空穴传输层包含Cs2Snɑaβbγc，其中ɑ、β、γ分别独立地为Cl、Br或I中的一种或两种以上；0≤a≤6，0≤b≤6，0≤c≤6，a+b+c＝6。本申请还提供一种太阳能电池的制备方法。本申请提供的太阳能电池，采用Cs2Snɑaβbγc作为太阳能电池的空穴传输层，旨在设计具有与钙钛矿传输层合理的能级梯度，合适的光伏带隙，进而提升太阳能电池的性能。

公开(公告)号：CN115588698A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202211385088.4

申请日：2022-11-07

Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司

Inventor： 章金生 ,  吴帅 ,  罗飞 ,  田小强 ,  唐喜颜 ,  叶枫 ,  方亮 ,  徐希翔

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件，涉及光伏技术领域。背接触太阳能电池包括：硅基底，位于硅基底第一表面上的第一半导体层、第二半导体层、第一绝缘层；第二半导体层的第一部分与第一半导体层交替设置并具有间隙，第二半导体层的第二部分与第一部分连续，且沿着垂直于第一表面的第二方向延伸到第一半导体层远离硅基底的一侧上；第一绝缘层至少位于间隙中，且第一绝缘层靠近第一导电半导体层端部。第一导电半导体层和第二导电半导体层之间，除了具有第二本征半导体层起到钝化和绝缘作用之外，第一绝缘层对第一导电半导体层和第二导电半导体层起到良好的绝缘补强作用，降低了不同类型的导电半导体层之间漏电的概率。

公开(公告)号：CN115513307A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202211053775.6

申请日：2022-08-31

Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司

Inventor： 张东威 ,  吴帅 ,  李云朋 ,  叶枫 ,  方亮 ,  徐希翔

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明公开了背接触太阳能电池及其制备方法，背接触太阳能电池包括：半导体基底，所述半导体基底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面包括多个第一区域、第二区域和交错叠置区域；遂穿氧化层和P型掺杂晶硅层；第一本征非晶硅层和N型掺杂非晶硅层；隔离结构，所述隔离结构包括隔离层和隔离槽。本发明通过将不同温度选择性钝化接触技术结合到IBC结构得到了一种杂化的背接触电池技术，进而解决了HBC结构n区工艺窗口窄而导致的容易伤害n区的问题以及传统HBC电池制造过程成本高和制备工艺复杂的问题，降低了工艺难度和制造成本。

公开(公告)号：CN115440890A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202211194077.8

申请日：2022-09-28

Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司

Inventor： 顾小兵 ,  丁蕾 ,  王永磊 ,  何永才 ,  董鑫 ,  何博 ,  李勃超 ,  李巧艳 ,  张富 ,  徐希翔

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制造方法、叠层太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域，用于增强电子传输层具有的电子传输能力，利于提升包括该电子传输层的钙钛矿太阳能电池的光电转换效率。所述钙钛矿太阳能电池包括：光吸收层、空穴传输层和电子传输层。上述空穴传输层形成在光吸收层的一侧。电子传输层形成在光吸收层背离空穴传输层的一侧。电子传输层的材料包括氧化锡和锡氧化物。该锡氧化物内锡元素和氧元素的化学计量比大于1:2，且小于等于1:1。所述钙钛矿太阳能电池的制造方法用于制造所述钙钛矿太阳能电池。所述叠层太阳能电池包括的顶电池为所述钙钛矿太阳能电池。

公开(公告)号：CN115188837A

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202210736805.7

申请日：2022-06-27

Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司

Inventor： 邱浩然 ,  章金生 ,  唐喜颜 ,  曹玉甲 ,  叶枫 ,  方亮 ,  徐希翔

IPC: H01L31/0224 ,  H01L21/268 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/078 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0236

Abstract: 本发明提供了一种背接触太阳能电池及制备方法、电池组件，涉及太阳能电池技术领域。背接触太阳能电池包括：硅基底，硅基底的背光面包括紧邻的第一区域和第二区域；依次层叠在所述第一区域上的本征钝化层、第一掺杂类型的第一导电层、TCO层；依次层叠在第二区域上的隧穿钝化层、硅介质层、含有第二掺杂类型的元素的掺杂介质层、本征钝化层、第一导电层、TCO层；其中，硅介质层的局部区域形成有第二导电层，第二导电层中含有所述第二掺杂类型的元素；位于第一区域上的第一导电层和第二导电层之间绝缘。本发明中，背接触太阳能电池的接触电阻较小，暗态饱和电流密度较小，可以提升背接触太阳能电池的填充因子，进而提升背接触太阳能电池的发电效率。

公开(公告)号：CN115064609A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202210795202.4

申请日：2022-07-07

Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司

Inventor： 薛朝伟 ,  魏超锋 ,  李杰 ,  孙士洋 ,  方亮 ,  魏俊喆 ,  曲铭浩 ,  徐希翔

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/048

Abstract: 本发明提供了太阳能电池制备方法、太阳能电池及电池组件，涉及光伏技术领域。方法包括：在太阳能电池本体上形成第一导电图案或第一导电膜层；在压印模板上形成第二导电图案；在第二导电图案与所述第一导电图案之间，通过电镀或化学镀的方式形成第三导电图案，通过第三导电图案将第二导电图案与第一导电图案连接在一起；或，在第二导电图案与第一导电膜层中待形成电极的区域之间，通过电镀或化学镀的方式形成第三导电图案，通过第三导电图案将第二导电图案与第一导电膜层中待形成电极的区域连接在一起；去除压印模板。第二导电图案是在压印模板上制备的，可以减少对太阳能电池本体的影响，且易于实现量产，工艺简单且成熟，可以降低制备成本。

公开(公告)号：CN119855297A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202510122322.1

申请日：2025-01-24

Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司

Inventor： 邱浩然 ,  李鹏 ,  何博 ,  方亮 ,  徐希翔

IPC: H10F77/20 ,  H10F77/70 ,  H10F19/90

Abstract: 本申请提供了一种太阳能电池，属于太阳能电池技术领域。该太阳能电池包括：电池本体，电池本体具有绒面结构和抛光面结构，位于所述电池本体的相同或不同表面；电极结构，包括第一电极和第二电极，第一电极与绒面结构相接触，第二电极与抛光面结构相接触，第一电极和第二电极分别包括球状和片状金属颗粒；其中，位于第一电极与绒面结构的接触区域内球状金属颗粒的占比大于位于第二电极与绒面结构的接触区域内球状金属颗粒的占比。本申请改善了电极与绒面的接触能力，实现绒面和抛光面接触电阻的匹配，从而提升太阳能电池的光电转换效率和稳定性。

公开(公告)号：CN119604037A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411547613.7

申请日：2024-10-31

Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司

Inventor： 蔡永安 ,  车俊瑾 ,  徐希翔

IPC: H10F10/14 ,  H10F77/14 ,  H10F77/20 ,  H10F10/166 ,  H10F71/00

Abstract: 一种太阳能电池，包括：电池基底，具有相对的第一面和第二面；第一面具有交替间隔分布的第一区和第二区、以及位于相邻的第一区和第二区之间的间隔区；第一掺杂层，至少位于第一区上；第二掺杂层，至少位于第二区上，第一掺杂层与第二掺杂层极性相反；第一导电层，设置在第一掺杂层背离电池基底的一侧；第二导电层设置在第二掺杂层背离电池基底的一侧。第一导电层和第二导电层中的至少一个延伸接触连接第一掺杂层和第二掺杂层，第二导电层与第一导电层电隔离。通过导电层使第二掺杂层和第一掺杂层局部相连形成微短路，降低电池片工作时的温度，防止热斑现象的发生。本申请还提供包含该太阳能电池的光伏组件和该太阳能电池的制备方法。

公开(公告)号：CN115832065B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202211516779.3

申请日：2022-11-29

Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司

Inventor： 张东威 ,  吴帅 ,  李云朋 ,  叶枫 ,  方亮 ,  徐希翔

IPC: H10F77/30 ,  H10F77/20 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开了一种背接触电池及其制造方法、光伏组件，涉及太阳能电池技术领域，用于同时防止第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层的横向界面和纵向界面处产生漏电。所述背接触电池包括：硅基底、第一钝化层、第一掺杂半导体层、第二钝化层、第二掺杂半导体层和绝缘层。第一钝化层和第一掺杂半导体层依次层叠设置于硅基底具有的背光面上。第二钝化层和第二掺杂半导体层依次层叠设置于背光面上。层叠设置的第二钝化层和第二掺杂半导体层覆盖层叠设置的第一钝化层和第一掺杂半导体层的部分区域，第二掺杂半导体层和第一掺杂半导体层的导电类型相反。绝缘层至少位于第二钝化层和第一掺杂半导体层之间，用于将第二钝化层和第一掺杂半导体层间隔开。

公开(公告)号：CN118712243B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410772306.2

申请日：2024-06-14

Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司

Inventor： 唐清 ,  吕恒基 ,  顾嘉昊 ,  李鹏 ,  罗飞 ,  王瑞齐 ,  李二磊 ,  李云朋 ,  叶枫 ,  方亮 ,  徐希翔

IPC: H10F77/20 ,  H10F10/14 ,  H10F71/00

Abstract: 本申请公开了一种背接触光伏电池及其制备方法，其中，背接触光伏电池，包括硅衬底，所述硅衬底具有正面和背面，所述背面依次交替设置有多个第一区域和多个第二区域，各所述第一区域设置有第一半导体层，各所述第二区域设置有第二半导体层；所述第一半导体层连接第一透明电极图案，所述第二半导体层连接第二透明电极图案，所述第一透明电极图案和所述第二透明电极图案之间通过第一间隙相互隔离；在所述第一透明电极图案靠近所述第一间隙的边缘的厚度小于所述第一透明电极图案中部区域的厚度；和/或；所述第二透明电极图案靠近第一间隙的边缘的厚度小于所述第二透明电极图案中部区域的厚度。本申请方案可以提升背接触光伏电池的转换效率。