FTTH用微结构光纤预制棒的制造方法

    公开(公告)号:CN102730959B

    公开(公告)日:2014-12-31

    申请号:CN201210185121.9

    申请日:2012-06-06

    CPC classification number: C03B37/0122 C03B37/01231 C03B2203/14 C03B2203/42

    Abstract: 本发明公开了一种FTTH用微结构光纤预制棒的制造方法,涉及新材料领域,该方法包括步骤:采用常规通信光纤制备方法制备出光纤棒,在该光棒的外侧沿圆周方向等角度的钻一定数量的直径相同的孔,将钻好孔的光棒用酸液清洗干净,再使用去离子水清洗净、烘干后,在光棒一端接续一根尾管,并在尾管接续一根尾棒,在光棒另一端接续一段锥形石英头子。本发明实现了FTTH用微结构光纤预制棒的微孔高纯制备和微孔精确定型,有效改善FTTH用微结构光纤的偏振模特性和弯曲损耗特性,避免了常见的微结构光纤制造工艺中微孔形成环节所带来的二次杂质引入和污染问题,保障FTTH用微结构光纤的衰减特性。

    低损耗光纤及其制造方法
    84.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103472529A

    公开(公告)日:2013-12-25

    申请号:CN201310409732.1

    申请日:2013-09-10

    CPC classification number: C03B2203/22

    Abstract: 本发明公开了一种低损耗光纤及其制造方法,涉及光纤领域,该低损耗光纤包括阶跃形波导,阶跃形波导包括由内到外依次排列的芯层、芯包过渡层、芯包界面过渡层、深掺氟包层、包套过渡层、包套界面过渡层和套管层,芯层采用纯硅芯微掺氟或微掺硼制成,芯层与纯硅芯之间的相对折射率差为0~0.1%;深掺氟包层采用纯二氧化硅深掺氟制成,深掺氟包层与芯层的相对折射率差为0.24%~0.28%;芯包过渡区中的折射率按照抛物线曲线呈梯度变化分布,应力系数的绝对值范围在0.005~0.015之间;基点温度从900℃~950℃逐渐上升到1150℃~1200℃之间。本发明制造出的光纤在1550nm波段的衰减系数能降低到0.158dB/km以下。

    一种光子晶体光纤的制造工艺

    公开(公告)号:CN102060439B

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:CN201010549988.9

    申请日:2010-11-19

    Abstract: 本发明是一种光子晶体光纤的制造工艺,使用PCVD工艺与设备在衬底管内壁沉积高纯石英材料,用溶蚀法将衬底管去掉,用火焰抛光将高纯石英管进行整形光滑去除杂质,对高纯石英管进行纯化,在密闭的洁净度在100以上的环境下,将高纯石英管在拉丝塔上拉制成毛细管。将毛细管进行纯化和保护,并用机械化点阵排列装置将毛细管集合成束,并最终形成光子晶体光纤预制棒,将之在拉丝塔上按一定的拉丝工艺拉制成光子晶体光纤。本发明对制造光子晶体光纤的原材料制备工艺,毛细管保护工艺和集合成束技术进行了优化,并形成了相应的高洁净度、高精度可控的制备装置,并对光子晶体光纤制备的拉丝工艺进行了优化,可用于制造低损耗的光子晶体光纤,具有很好的应用效果。

    弯曲不敏感微结构光纤及其制造方法

    公开(公告)号:CN102354019A

    公开(公告)日:2012-02-15

    申请号:CN201110355519.8

    申请日:2011-11-11

    Abstract: 本发明公开了一种弯曲不敏感微结构光纤及其制造方法,弯曲不敏感微结构光纤包括掺锗的纤芯和覆盖在纤芯外围的石英包层,纤芯周围均匀分布有12个空气孔。方法包括步骤:利用制棒设备制备掺锗的纤芯;将12根石英管沿纤芯外围的圆周方向均匀排列,12根石英管的尾端固定,形成聚束的纤芯加石英管结合的一体棒;在一体棒的外围套上石英套管,形成弯曲不敏感微结构光纤预制棒;利用光纤拉丝塔,将弯曲不敏感微结构光纤预制棒拉制成弯曲不敏感微结构光纤。本发明能够有效克服实际制造过程中微孔不对称性带来的弯曲损耗效果不佳的问题,并且能提供更好的小弯曲半径低损耗特性。

    光纤预制棒的制造方法

    公开(公告)号:CN102225843A

    公开(公告)日:2011-10-26

    申请号:CN201110123043.5

    申请日:2011-05-13

    CPC classification number: C03B37/01211 C03B2201/12 C03B2203/24

    Abstract: 一种光纤预制棒的制造方法,包括:(1)采用轴向气相沉积VAD工艺制备光纤芯棒;(2)采用等离子化学气相沉积PCVD工艺制备掺氟下陷包层,与(1)中制备的光纤芯棒熔缩成光纤芯棒预制件;(3)采用外部气相沉积OVD工艺制备光纤芯棒预制件的外包层,最终烧结成透明的光纤预制棒;所述光纤芯棒包含包层,光纤芯棒的包层直径与光纤芯棒的芯直径二者比值在3.2~4.6之间;所述掺氟下陷包层起始位置的直径与所述芯直径的比值在3.2~4.6之间,所述掺氟下陷包层的宽度与芯直径的比值在0.24~0.49之间。本方法解决了单模光纤高效规模化生产的关键技术,大幅度提高弯曲不敏感单模光纤预制棒的制造效率,降低生产成本。

Patent Agency Ranking