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公开(公告)号:CN102073093A
公开(公告)日:2011-05-25
申请号:CN201010556038.9
申请日:2010-11-24
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: G02B6/02 , C03B37/018 , C03B37/025
CPC classification number: C03B37/01838 , C03B2201/40 , C03B2203/22
Abstract: 本发明涉及光纤制造技术领域,具体说是一种高衰减光纤及其制造方法,包括芯层和围绕芯层的包层,在包层外表面涂覆有有机涂层材料,所述芯层由对1250nm~1625nm波长的光有较大吸收能力、且在该波段内具有平坦的吸收特性的金属离子组成,所述金属离子包括金属钴离子和金属铁离子,或金属钴离子和金属铬离子。本发明所述的高衰减光纤及其制造方法,能够满足大容量密集波分通信系统、大功率CATV系统,以及其它电信系统的应用需求,改善系统的传输与接收性能。
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公开(公告)号:CN102073093B
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:CN201010556038.9
申请日:2010-11-24
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: G02B6/02 , C03B37/018 , C03B37/025
CPC classification number: C03B37/01838 , C03B2201/40 , C03B2203/22
Abstract: 本发明涉及光纤制造技术领域,具体是一种高衰减光纤及其制造方法,包括芯层和围绕芯层的包层,在包层外表面涂覆有有机涂层材料,所述芯层由对1250nm~1625nm波长的光有较大吸收能力、且在该波段内具有平坦的吸收特性的金属离子组成,所述金属离子包括金属钴离子和金属铁离子,或金属钴离子和金属铬离子。本发明所述的高衰减光纤及其制造方法,能够满足大容量密集波分通信系统、大功率CATV系统,以及其它电信系统的应用需求,改善系统的传输与接收性能。
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