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公开(公告)号：CN102073093B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201010556038.9
申请日：2010-11-24
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: G02B6/02 , C03B37/018 , C03B37/025
CPC classification number: C03B37/01838 , C03B2201/40 , C03B2203/22
Abstract: 本发明涉及光纤制造技术领域，具体是一种高衰减光纤及其制造方法，包括芯层和围绕芯层的包层，在包层外表面涂覆有有机涂层材料，所述芯层由对1250nm～1625nm波长的光有较大吸收能力、且在该波段内具有平坦的吸收特性的金属离子组成，所述金属离子包括金属钴离子和金属铁离子，或金属钴离子和金属铬离子。本发明所述的高衰减光纤及其制造方法，能够满足大容量密集波分通信系统、大功率CATV系统，以及其它电信系统的应用需求，改善系统的传输与接收性能。
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公开(公告)号：CN101672951B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200910180592.9
申请日：2009-10-21
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: G02B6/255
Abstract: 本发明涉及光纤器件制造领域，是一种光纤熔融拉锥机，包括机架、拉伸装置、加热装置和控制系统。机架上设有两条平行的直线导轨。拉伸装置包括固定座、主动拉伸座和拉伸装置，固定座固定在直线导轨的一端，主动拉伸座滑动设置在直线导轨上；拉伸装置包括固定在直线导轨两端的第一、第二步进电机和与第一、第二步进电机输出轴连接的第一、第二滚珠丝杠，第一、第二滚珠丝杠设置在两条直线导轨之间且二者同轴设置，主动拉伸座设置在第一滚珠丝杠上，加热座设置在第二滚珠丝杠上。本发明，在控制系统的控制下，主动拉伸座与加热座联动，通过加热器的往复移动保证光纤熔融变形均匀。
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公开(公告)号：CN111542166B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202010383326.2
申请日：2020-05-08
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种环形微波等离子体谐振腔，涉及微波等离子体谐振腔领域，包括：谐振腔壳体，其内设有一腔体；第一截止波导，其固定在谐振腔壳体的一端，第一截止波导包括一收容于腔体内的筒体，筒体与谐振腔壳体形成一环形空腔，且筒体上设有多条狭缝；第二截止波导，其固定在谐振腔壳体的另一端，第二截止波导至少部分伸入腔体内以与筒体相连，并与筒体连通形成一用于收容石英反应管的安装孔。本发明中的环形微波等离子体谐振腔能使负载反射系数S11维持在较低的水平，并能够提高微波能量的耦合率，以获得高密度的等离子体。
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公开(公告)号：CN111542166A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010383326.2
申请日：2020-05-08
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司 , 烽火藤仓光纤科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种环形微波等离子体谐振腔，涉及微波等离子体谐振腔领域，包括：谐振腔壳体，其内设有一腔体；第一截止波导，其固定在谐振腔壳体的一端，第一截止波导包括一收容于腔体内的筒体，筒体与谐振腔壳体形成一环形空腔，且筒体上设有多条狭缝；第二截止波导，其固定在谐振腔壳体的另一端，第二截止波导至少部分伸入腔体内以与筒体相连，并与筒体连通形成一用于收容石英反应管的安装孔。本发明中的环形微波等离子体谐振腔能使负载反射系数S11维持在较低的水平，并能够提高微波能量的耦合率，以获得高密度的等离子体。
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公开(公告)号：CN102060439B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201010549988.9
申请日：2010-11-19
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: C03B37/025 , C03B37/014
CPC classification number: C03B37/01202 , C03B37/0122 , C03B37/01228 , C03B37/01861 , C03B2203/14 , C03B2203/42
Abstract: 本发明是一种光子晶体光纤的制造工艺，使用PCVD工艺与设备在衬底管内壁沉积高纯石英材料，用溶蚀法将衬底管去掉，用火焰抛光将高纯石英管进行整形光滑去除杂质，对高纯石英管进行纯化，在密闭的洁净度在100以上的环境下，将高纯石英管在拉丝塔上拉制成毛细管。将毛细管进行纯化和保护，并用机械化点阵排列装置将毛细管集合成束，并最终形成光子晶体光纤预制棒，将之在拉丝塔上按一定的拉丝工艺拉制成光子晶体光纤。本发明对制造光子晶体光纤的原材料制备工艺，毛细管保护工艺和集合成束技术进行了优化，并形成了相应的高洁净度、高精度可控的制备装置，并对光子晶体光纤制备的拉丝工艺进行了优化，可用于制造低损耗的光子晶体光纤，具有很好的应用效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102354019A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110355519.8
申请日：2011-11-11
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: G02B6/02
Abstract: 本发明公开了一种弯曲不敏感微结构光纤及其制造方法，弯曲不敏感微结构光纤包括掺锗的纤芯和覆盖在纤芯外围的石英包层，纤芯周围均匀分布有12个空气孔。方法包括步骤：利用制棒设备制备掺锗的纤芯；将12根石英管沿纤芯外围的圆周方向均匀排列，12根石英管的尾端固定，形成聚束的纤芯加石英管结合的一体棒；在一体棒的外围套上石英套管，形成弯曲不敏感微结构光纤预制棒；利用光纤拉丝塔，将弯曲不敏感微结构光纤预制棒拉制成弯曲不敏感微结构光纤。本发明能够有效克服实际制造过程中微孔不对称性带来的弯曲损耗效果不佳的问题，并且能提供更好的小弯曲半径低损耗特性。
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公开(公告)号：CN102225843A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110123043.5
申请日：2011-05-13
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: C03B37/014
CPC classification number: C03B37/01211 , C03B2201/12 , C03B2203/24
Abstract: 一种光纤预制棒的制造方法，包括：(1)采用轴向气相沉积VAD工艺制备光纤芯棒；(2)采用等离子化学气相沉积PCVD工艺制备掺氟下陷包层，与(1)中制备的光纤芯棒熔缩成光纤芯棒预制件；(3)采用外部气相沉积OVD工艺制备光纤芯棒预制件的外包层，最终烧结成透明的光纤预制棒；所述光纤芯棒包含包层，光纤芯棒的包层直径与光纤芯棒的芯直径二者比值在3.2～4.6之间；所述掺氟下陷包层起始位置的直径与所述芯直径的比值在3.2～4.6之间，所述掺氟下陷包层的宽度与芯直径的比值在0.24～0.49之间。本方法解决了单模光纤高效规模化生产的关键技术，大幅度提高弯曲不敏感单模光纤预制棒的制造效率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN102096146A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010592544.3
申请日：2010-12-17
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: G02B6/036 , G02B6/028 , G02B6/02 , C03B37/027 , H04B10/18
CPC classification number: C03B37/01807 , C03B2201/12 , C03B2201/31 , C03B2203/22 , Y02P40/57
Abstract: 本发明公开了一种高负色散光纤、制造方法及色散补偿模块，高负色散光纤包括芯层和围绕芯层的包层，芯层包括中心层和依次围绕中心层的第一、第二、第三、第四纤芯分层，第一纤芯分层的相对折射率Δb％为1.9％～2.9％；第二纤芯分层的相对折射率Δc％为-1.2％～2.9％；第三纤芯分层的相对折射率Δe％为-0.8％～-1.2％；第四纤芯分层的相对折射率Δf％为0.2％～0.7％，四个纤芯分层的半径从第一纤芯分层开始向外分别为0.2～0.6微米，1.2～19微米，3.6～5.6微米，6.6～8.5微米。本发明提供的高负色散光纤，具有较高的色散补偿率和较高的品质因数，较低的弯曲损耗，有助于通信系统链路累积正色散的补偿，提高密集波分通信系统的传输速率与容量。
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公开(公告)号：CN102073093A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010556038.9
申请日：2010-11-24
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: G02B6/02 , C03B37/018 , C03B37/025
CPC classification number: C03B37/01838 , C03B2201/40 , C03B2203/22
Abstract: 本发明涉及光纤制造技术领域，具体说是一种高衰减光纤及其制造方法，包括芯层和围绕芯层的包层，在包层外表面涂覆有有机涂层材料，所述芯层由对1250nm～1625nm波长的光有较大吸收能力、且在该波段内具有平坦的吸收特性的金属离子组成，所述金属离子包括金属钴离子和金属铁离子，或金属钴离子和金属铬离子。本发明所述的高衰减光纤及其制造方法，能够满足大容量密集波分通信系统、大功率CATV系统，以及其它电信系统的应用需求，改善系统的传输与接收性能。
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公开(公告)号：CN102092936A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010610166.7
申请日：2010-12-29
Applicant: 烽火通信科技股份有限公司
IPC: C03B37/018
CPC classification number: C03B37/01413 , C03B37/01807 , C03B2201/12 , C03B2203/22
Abstract: 本发明公开了一种光纤预制棒的制造方法，包括步骤：(1)采用轴向气相沉积VAD工艺制备光纤芯棒，采用等离子化学气相沉积PCVD工艺制备掺氟下陷包层；(2)将步骤(1)中制备的光纤芯棒和掺氟下陷包层，熔缩成光纤芯棒预制件；(3)将所述光纤芯棒预制件安置在外部气相沉积OVD车床上，进行外包层的沉积，沉积完成后，将其烧结成透明的光纤预制棒。本发明能够大幅度提高弯曲不敏感单模光纤预制棒的制造效率，降低生产成本，便于规模化生产的推广，以满足高速宽带接入网络对弯曲不敏感单模光纤发展的需求，而且提升了氟的沉积效率，增大了氟沉积包层的下陷深度，显著提升了光纤的抗弯能力。
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