公开(公告)号：CN107058840B

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201710277284.2

申请日：2017-04-25

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 张联盟 ,  康克家 ,  罗国强 ,  张建 ,  沈强 ,  王传彬 ,  朱佳文

IPC: C22C27/04 ,  C22C32/00 ,  C22C1/10

Abstract: 本发明公开了一种W‑Si‑C系反应体的高温制备方法，包括以下步骤：(a)称料：用天平称取一定量的SiC粉及W粉，二者质量比为(0.5：99.5)～(4：96)；(b)预制块体：将步骤(a)称得的W粉及SiC粉干燥处理后混合均匀，采用冷压且真空低温烧结的方法制得预制块体；(c)熔炼制备：对步骤(b)制得的预制块体进行熔炼反应，获得W‑Si‑C系反应体。本发明与传统的固相烧结方法相比，效率高、成本低，可制得优异性能的W‑Si‑C系反应体，该反应体可用于电子工业、核工业、航空航天与高压物理等领域。

公开(公告)号：CN105837224B

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201610374803.2

申请日：2016-05-31

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 王传彬 ,  王丹丹 ,  李美娟 ,  王广阳 ,  沈强 ,  张联盟

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明公开的氮化铝陶瓷的制备方法，是一种以氟化铵为添加剂的氮化铝陶瓷的制备方法，具体是：将氟化铵粉体和氮化铝粉体按质量配比(0.24～0.36):1分别称量，然后在刚玉研钵中充分研磨均匀，得到混合粉料；将制得的混合粉料装入模具中，再将模具置于等离子活化烧结炉中，在烧结温度1600～1800℃、保温时间3～5min、烧结压力30～40MPa和氮气气氛下进行致密化，最后得到氮化铝陶瓷。本发明采用氟化铵作为添加剂，克服了现有氧化物添加剂在氮化铝陶瓷烧结过程中引入新杂质的技术难题，在烧结过程中可有效减少AlON等杂相的生成，而又不引入其它杂质，同时也能促进陶瓷致密化，因而能够获得具有较高纯度和高致密度的氮化铝陶瓷。

公开(公告)号：CN104715287B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201410708998.0

申请日：2014-11-28

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 章嵩 ,  贺志强 ,  涂溶 ,  张联盟 ,  王传彬 ,  沈强

IPC: G06Q10/04 ,  C23C14/28

Abstract: 本发明属于脉冲激光沉积薄膜领域，具体涉及用于预测多元拼合靶材制备的薄膜成分的预测方法，具体包括如下步骤：根据薄膜脉冲激光沉积物化模型，推导薄膜产物各成分的摩尔比x1随激光能量、基板和靶材的距离以及多元拼合靶材中各单元靶材的圆心角之比x2的理论公式；固定基板和靶材的距离，简化上述理论公式，得到以激光能量和x2为变量的工程公式；根据工程公式方程，在确定激光能量和x2情况下，预测薄膜产物的成分。本发明方法可以用于特定沉积参数下薄膜成分的预测或生产特定成分薄膜时沉积参数的选择。本发明预测方法，对于任意体系的薄膜均可使用，仅需要少量实验数据就能得到可靠性高的工程公式，因而可以大大降低生产时间、成本。

公开(公告)号：CN105503184A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510900823.4

申请日：2015-12-08

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 王传彬 ,  吉祥 ,  沈强 ,  张联盟

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/468 ,  C04B35/624 ,  C04B35/626

CPC classification number: C04B35/49 ,  C04B35/468 ,  C04B35/624 ,  C04B35/626 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/449

Abstract: 本发明涉及一种锆钛酸钡钙压电陶瓷粉体的制备方法，具体是：先分别制得含Ba2+和Ca2+的A位前驱液、含Ti4+和Zr4+的B位前驱液，再将A位和B位前驱液水浴加热搅拌，溶液先转变成溶胶再固化成凝胶；将凝胶在空气中于室温～80℃下陈化12～24小时，然后干燥得到凝胶干粉；最后，将凝胶干粉装入刚玉坩埚，在马弗炉中经800～1200℃煅烧2～6小时后得到锆钛酸钡钙粉体。本发明克服了现有固相反应方法存在的成分偏离和引入杂质等问题，具有混料充分均匀、组分控制精确、合成粉体纯度高、合成温度低等优势，而且可有效提高锆钛酸钡钙粉体的烧结活性。

公开(公告)号：CN103952676B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201410191839.8

申请日：2014-05-07

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 李俊国 ,  王传彬 ,  王博 ,  沈强 ,  张联盟

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28

Abstract: 本发明公开了一种在电极材料上沉积b轴取向的BaTi2O5薄膜的制备技术。将BaTi2O5陶瓷采用激光脉冲沉积或磁控溅射的方式沉积在镀有Pt电极的基片上，得到非晶态的BaTi2O5薄膜；然后将沉积有薄膜的基片放在900-1000℃炉中退火，退火时将样品放在直流电场中，场强为200-3000V/cm，退火1-2小时即可得到高度b轴取向BaTi2O5薄膜。本发明可在Pt电极上制备出BaTi2O5薄膜，制备出的薄膜具有高度b轴取向；且本发明工艺简单，成本低廉，并可应用于制备其它取向薄膜，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN103964843B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201410190163.0

申请日：2014-05-07

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 李俊国 ,  王传彬 ,  彭健 ,  王博 ,  沈强 ,  张联盟

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种二钛酸钡陶瓷靶材的制备方法。BaTiO3粉末和TiO2粉末按摩尔比1:1混合烘干后用压片机压片；将压片放入电弧熔炼设备进行熔炼得到块体；然后破碎得到粒径10微米以下的二钛酸钡粉体；将粉体放入石墨模具然后移入FCT电场活化烧结炉中，施加40-60MPa的轴向压力并以95-105℃/min的升温速率升至1100℃，然后以8-12℃/min升温至1150℃，保温20-30min，降温、卸除压力并随炉冷却，最终得到物相为BaTi2O5、致密度为90％-95％的二钛酸钡陶瓷靶材。与现有BaTi2O5靶材制备方法相比烧结时间短、尺寸大、致密度高。

公开(公告)号：CN102925727B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201210454292.7

申请日：2012-11-14

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 罗国强 ,  陈平安 ,  沈强 ,  张联盟 ,  王传彬 ,  李美娟

IPC: C22C1/04 ,  C22C27/04 ,  B22F1/02 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C23C14/22

Abstract: 本发明是一种Zn@W-Cu热用复合材料的制备方法，其特征是采用磁控溅射的方法，以Zn块为靶材或者采用真空热镀工艺，以纯度为99.9%的Zn粉在W粉表面包覆一层高纯Zn膜，得到Zn@W粉，再将Zn@W粉、Cu粉按照体积百分比为W=70.0%~90.0%，Cu=10.0%~30.0%进行球磨混合均匀，然后将混合均匀粉末在100-400MPa下进行冷等静压获得坯体，最后将坯体放入氢气炉中进行气氛烧结，得到Zn@W-Cu热用复合材料。本发明可以在较低的烧结温度下获得致密度高、W-Cu之间结合力强、导热、导电性好的W-Cu复合材料，具有W-Cu复合材料结构可控，Zn的添加量极少且实现定向包覆等优点。

公开(公告)号：CN103964843A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410190163.0

申请日：2014-05-07

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 李俊国 ,  王传彬 ,  彭健 ,  王博 ,  沈强 ,  张联盟

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种二钛酸钡陶瓷靶材的制备方法。BaTiO3粉末和TiO2粉末按摩尔比1:1混合烘干后用压片机压片；将压片放入电弧熔炼设备进行熔炼得到块体；然后破碎得到粒径10微米以下的二钛酸钡粉体；将粉体放入石墨模具然后移入FCT电场活化烧结炉中，施加40-60MPa的轴向压力并以95-105℃/min的升温速率升至1100℃，然后以8-12℃/min升温至1150℃，保温20-30min，降温、卸除压力并随炉冷却，最终得到物相为BaTi2O5、致密度为90％-95％的二钛酸钡陶瓷靶材。与现有BaTi2O5靶材制备方法相比烧结时间短、尺寸大、致密度高。

公开(公告)号：CN103382534A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201310241546.1

申请日：2013-06-18

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 张联盟 ,  刘凰 ,  沈强 ,  罗国强 ,  王传彬 ,  李美娟

IPC: C22C9/00 ,  C22C27/04 ,  C22C30/00 ,  C22C32/00 ,  C22C1/05 ,  C22C1/10

Abstract: 本发明是一种新型的具有高致密结构的W-Cu-SiC三元热控复合材料及其制备方法，W-Cu-SiC三元复合材料是由W粉、SiC粉和Cu粉按比例混合后，经热压烧结而成。所述复合材料中含体积分数30～50vol%的Cu，50～70vol%的W与SiC,其中SiC的体积分数范围为20～80%，相对应W粉的体积分数范围为80～20%，在不同配比下W-Cu-SiC复合材料的致密度均高达98%以上，在40～300°C温度范围内，该复合材料的热膨胀系数均稳定在5.7×10-6—9.74×10-6/K。本发明是一种成型方便、成本低廉和高性能的新型的复合材料，在电子封装、半导体散热片等领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN101979317B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201010501066.0

申请日：2010-10-09

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 陈斐 ,  王志浩 ,  沈强 ,  王传彬 ,  张联盟

IPC: C01B33/021

Abstract: 本发明涉及一种高纯、晶粒尺寸均匀可控、表面钝化的纳米晶硅粉的低温球磨制备方法，即：以市售高纯硅粉（纯度：>99.9，粒度：50～500目）作为初始原料，采用液氮或者液氩作为球磨介质，不锈钢球作为研磨介质，通过低温球磨，精确控制球磨时间为1～48小时，球磨转速为100～1000转/分钟，球料质量比为10:1～100:1，即可得到一种物相单一、高纯、晶粒尺寸范围为10～100nm、表面钝化的纳米晶硅粉。本发明工艺简单，成本低廉，可重复性好，而且所制备的纳米晶硅粉具有纯度高、晶粒尺寸均匀可控、表面钝化等优异性能，可广泛应用于光电子信息和纳米技术领域。