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公开(公告)号：CN118295072A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410418542.4
申请日：2024-04-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于微环谐振器的全光半加器，利用三个微环谐振器对特定波长的光谐振的特性，将微环谐振器作为开关使用，与光波导巧妙组合，利用光学的方式来实现半加器功能，与现有的电子半加器相比，利用了光的自然特性代替了传统的电学逻辑器件，从而避免了传统电学器件对信号的干扰，实现了计算机的高速信息处理，同事在工艺方面实现了与CMOS工艺结合，使得器件的尺寸小，能够大规模集成。
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公开(公告)号：CN117996456A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410347314.2
申请日：2024-03-26
Applicant: 桂林电子科技大学 , 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯超表面结构及多频开关应用，属于可调谐超材料应用技术领域，超表面结构由从顶部至下依次包括顶层衬底、石墨烯曾单元结构、底层衬底；本发明适用于等离子体诱导透明技术领域，在传感器、多频开关和慢光器件方向有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN109240019B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201811450571.X
申请日：2018-11-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种二进制全光比较器，利用3个微环谐振器对特定波长的谐振特性，将微环谐振器作为开关使用，并与光波导巧妙组合，利用光学的方式来实现两个二进制数的比较，以实现计算机技术中的二进制比较运算，利用了光的自然特性代替传统的电学逻辑器件，避免了传统电学器件对信号的影响，实现了高速大容量的信息处理，提高了计算机的性能，降低了计算机的能耗；工艺方面实现了与CMOS工艺的兼容，使得器件的体积小，速度快，扩展性好以及低插入损耗特性，便于与其他器件的大规模集成。
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公开(公告)号：CN117712703A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410004195.0
申请日：2024-01-03
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及太赫兹超表面功能器件领域，尤其涉及一种宽带吸收与四波段吸收可切换的太赫兹器件，包括多个结构单元，每个结构单元由二氧化钒相变环形层、上部聚酰亚胺介质层、金属图案层、二氧化钒薄膜层、下部聚酰亚胺介质层和金属底层复合而成。所述金属图案层由L条形图案，十字形图案和正方形图案构成。通过外部激励改变二氧化钒电导率，当二氧化钒处于金属态时起宽带吸收作用，当二氧化钒处于绝缘态时起四波段吸收作用，且都具有极化不敏感和广角吸收的特点。本发明可以实现同一器件的不同功能切换，解决了现有太赫兹器件一旦制成其性质就被固定且不可调谐的缺陷。
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公开(公告)号：CN117317611A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311470126.0
申请日：2023-11-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及太赫兹波段超表面功能器件领域，尤其涉及一种基于二氧化钒双功能可切换太赫兹器件，包括多个结构单元，每个结构单元由二氧化钒环形图案层、上部二氧化硅介质层、工字型金图案层、二氧化钒薄膜层、下部二氧化硅介质层和金衬底层复合而成。当二氧化钒处于金属态时，超表面实现宽带吸收功能；当二氧化钒处于绝缘态时，超表面实现反射式线偏振转换功能。本发明利用二氧化钒的相变特性，将宽带吸收器与反射式线偏振转换器这两种功能器件特性集成到一个超表面结构中，实现同一器件的不同功能切换，同时在宽带吸收时具有偏振不敏感和广角吸收的特点，解决现有太赫兹器件功能单一且不可调谐的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117008389A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310658653.8
申请日：2023-06-05
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02F3/00
Abstract: 本发明公开了一种基于Y型石墨烯纳米带的光学数值比较器，属于硅基光子集成芯片技术领域，包括：Y型石墨烯纳米带Y1，与Y型石墨烯纳米带Y1级联设置的Y型石墨烯纳米带Y2和Y型石墨烯纳米带Y3，Y型石墨烯纳米带Y2和Y型石墨烯纳米带Y3相对于Y型石墨烯纳米带Y1对称设计；本发明设计的光学数值比较器在9.55μm的TM模式光作用下具有31.12dB的最小消光比和0.77dB的幅度调制；本发明设计的比较器位于0.4μm2的矩形介质层之上，主要由石墨烯纳米带通过Y型结构组成，其经由施加偏置电压改变石墨烯的化学势实现了石墨烯纳米带的通断效果，最终实现了一位光学数值比较器的功能。
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公开(公告)号：CN116958115A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310961323.6
申请日：2023-08-02
Applicant: 桂林电子科技大学 , 南宁桂电电子科技研究院有限公司
IPC: G06T7/00 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06V10/764 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于改进YOLOv7的带钢表面缺陷检测方法，包括以下步骤：构建带钢表面缺陷数据集；对数据集中的图片进行预处理，将得到的数据集重新进行标注，并将数据集按照比例划分为训练集、测试集和验证集；构建基于改进YOLOv7的带钢表面缺陷检测模型；将处理后的带钢表面缺陷训练集放入改进后的YOLOv7网络模型中进行训练，得到最优模型；训练完成后将测试集放入得到的最优模型中，检测钢材表面缺陷的类别及位置，得到识别结果。通过本发明提供的方案，有利于提高带钢表面缺陷检测的准确率。
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公开(公告)号：CN115020946B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210579653.4
申请日：2022-05-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明涉及太赫兹技术功能器件技术领域，具体涉及一种S型金属结构带割口的带阻滤波器；带阻滤波器包括多层单元结构，多层单元结构从上至下依次堆叠设置，每层单元结构均包括金属层、两组线条结构和方形基底，金属层设置于方形基底的顶侧，每层单元结构还具有四个形状为长方体的第一割口，每个第一割口的厚度等同于对应方形基底的厚度和对应金属层厚度之和，每个第一割口的底边为边长与方形基底的厚度相同正方形，解决的当前传统的基于金属‑介质滤波器结构的阻带普遍较窄，上升沿和下降沿不陡峭的缺点，并且该S型结构与线割结构复合相比于单线结构的滤波器，容易产生可需要的带宽及较优的滤波性能。
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公开(公告)号：CN113358238B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202110640132.0
申请日：2021-06-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于微环谐振器的小尺寸片上温度传感器，包括绝缘硅基底和设置在绝缘硅基底上的微环硅波导。微环硅波导由2条直硅波导、1条圆形硅波导和1条跑道形硅波导组成。绝缘硅基底由下层的硅基底和上层的二氧化硅基底叠加而成。本发明具有体积小、抗干扰能力强、功耗低、灵敏度高等特点，在一定程度上解决当前片上温度传感器较高灵敏度和较小尺寸不能共存的问题，在片上系统温度检测领域有较大的研究价值和应用潜力。
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