公开(公告)号：CN1764845A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200480007964.3

申请日：2004-03-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 棚田好文

IPC: G01R31/317 ,  G09G3/20

Abstract: 提供一种半导体装置的检查电路及检查方法，其中，具有由多个NAND电路经多个反相器串联的结构与多个NOR电路经上述多个反相器串联的结构，将像素部中设置的多个源信号线分别与NAND电路及NOR电路的一个输入端相连接，从串联的NAND电路及NOR电路的最后级得到检查输出。这样，就可以提供一种可以使用小规模的电路进行简单并且正确的不良判定的检查电路及检查方法。

公开(公告)号：CN1742305A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200380109181.1

申请日：2003-11-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 棚田好文 ,  安西彩

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/30 ,  G09G3/2022 ,  G09G3/32 ,  G09G2300/0452 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0814 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0235 ,  G09G2310/0267 ,  G09G2310/027

Abstract: 其特征在于，用以选择层叠形成的第1至第3发光元件112－114的发光和不发光的图像信号，通过唯一的切换用晶体管107输入，通过控制第1至第3电流供给线103－105的电位，有选择地使特定的发光元件发光。

公开(公告)号：CN1518221A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410002830.4

申请日：2004-01-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 长尾祥 ,  棚田好文 ,  盐野入丰 ,  三宅博之

IPC: H03K3/013 ,  H03K3/353 ,  G09G3/20

CPC classification number: G11C19/28 ,  G09G3/3688 ,  G09G2310/0275 ,  G11C19/00

Abstract: 一种显示装置驱动电路，包括单一导电类型的TFT，并输出标准幅度的输出信号。一个脉冲被输入TFT101和104以导通这些TFT，节点α的电位升高。当节点α的电位达到(VDD－VthN)时，该节点α变为浮置状态。相应地，TFT105导通，当时钟信号变为高电平时，一个输出节点的电位升高。另一方面，当所述输出节点的电位升高时，由于电容装置107的操作使得TFT105的栅极电位进一步升高，从而TFT105的栅极电位变得高于(VDD－VthN)。这样，输出节点的电位升高到VDD，而不会由于TFT105的阈值电压导致电压下降。然后在下一级一个输出被输入到TFT103，使TFT103导通，同时TFT102和106的节点α的电位下降，使得TFT105截止。结果，输出节点的电位变为低电平。

公开(公告)号：CN1437178A

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN03120679.4

申请日：2003-01-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 木村肇 ,  棚田好文

IPC: G09G3/32 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L27/3276 ,  G09G3/20 ,  G09G3/2011 ,  G09G3/2022 ,  G09G3/2077 ,  G09G3/30 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/3258 ,  G09G3/3266 ,  G09G3/3275 ,  G09G3/3283 ,  G09G3/3291 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/043 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/027 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/043 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265

Abstract: 阻止发光器件中的不规则显示以增加发光器件的图像质量，发光器件中的不规则显示是由于每一像素的供给电流到发光元件的TFT阈值离散形成的。在电容器装置(108)中存储从复位信号线(110)的电位加上或减去TFT(105)的阈值电压后得到的电位。其中相应的阈值电压加入到图像信号的电压施加到TFT(106)的栅电极。像素内的TFT邻近地排列，且不易形成IFT特性离散。即使每一像素中TFT(106)的阈值不同，TFT(105)的阈值被抵销，并且可以提供给EL元件(109)预定的漏极电流。

公开(公告)号：CN1427451A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN02156953.3

申请日：2002-12-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小久保千穗 ,  志贺爱子 ,  棚田好文 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供一种使用薄膜晶体管有效地配置要求高的器件间一致性的电路的方法。半导体层被形成在衬底上并被图形化为所需要的形状以形成第一半导体岛。通过在其表面区域内辐照激光均匀地晶化第一半导体岛。此后，该半导体层被图形化为所需要的形状以成为薄膜晶体管层的有源层。在这种情况下，构成一个单元电路的所有薄膜晶体管的有源层由第一半导体岛之一形成。于是，各TFT相互实现高一致性。

公开(公告)号：CN1421907A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02152794.6

申请日：2002-11-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 棚田好文 ,  中岛和哉

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01S3/00

CPC classification number: H01L27/1285 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，其特征是，提供了高速的运行和高可靠性，其中由CW激光结晶的半导体层用于TFT的有源层。当由CW激光结晶一个半导体层时，由于宽度方向上的能量密度分布，一部分形成大晶粒，而另一部分形成微型晶粒。前者展现了良好的电气特性。后者的电气特性很差，因为晶粒边界阻碍电荷的移动，由此当用作一个晶体管的有源层时会引起麻烦。因此，对电路进行设置，将大晶粒形成的半导体层用于每个TFT的有源层。

公开(公告)号：CN1384546A

公开(公告)日：2002-12-11

申请号：CN02118504.2

申请日：2002-04-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浅见宗广 ,  长尾祥 ,  棚田好文

IPC: H01L27/02 ,  G02F1/33 ,  G09G3/00

CPC classification number: H01L29/786 ,  H03K19/01714 ,  H03K19/01721

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件,仅仅用一种导电类型的TFT构成一个电路,从而减少制造步骤,并且能正常获得一个输出信号的电压振幅。在连接到输出节点的一个TFT(203)的栅极和源极之间形成一个电容(205),并且由TFT(201)和(202)构成的电路具有使节点α进入浮动状态的功能。当节点α处在浮动状态时,通过电容(205)使节点α的电位高于采用TFT(203)的栅极－源极电容耦合获得的VDD,这样就能获得振幅为VDD－GND的输出信号,不会因TFT的门限值造成振幅衰减。