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公开(公告)号：CN1295425A
公开(公告)日：2001-05-16
申请号：CN00133705.X
申请日：2000-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/00
CPC classification number: H01L51/5262 , G02F1/133602 , H01L27/3244 , H01L27/3281 , H01L51/525 , H01L51/5271 , H01L2251/5315 , H01L2251/5361 , H01L2251/558
Abstract: 提供一种使用有机EL材料的自发光设备的取光效率的改进方法。在EL层(102)夹置于透明电极(103)和阴极(101)之间的自发光设备中,使EL层(102)的膜厚和透明电极(103)的膜厚等于不产生导入光的膜厚,和在透明电极(103)与覆盖材料(105)之间的空间中填充惰性气体。
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公开(公告)号：CN1284694A
公开(公告)日：2001-02-21
申请号：CN00122263.5
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/52 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L51/0005 , H01L51/0038 , H01L51/0042 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/0087 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/529
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有高运行性能和稳定性的EL显示器。第三钝化膜45设置在包括象素电极(阳极)46、EL层47和阴极48的EL元件之下,从而避免从由喷墨法形成的EL元件203中出来的碱金属扩散到TITs中。此外,第三钝化膜45能够防止水分和氧从TFTs中透出,并且能够通过散失EL元件203产生的热量来抑制EL元件203的老化。
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公开(公告)号：CN1278660A
公开(公告)日：2001-01-03
申请号：CN00122575.8
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L23/3171 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L29/78621 , H01L51/529 , H01L51/56 , H01L2924/0002 , Y10S428/917 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种EL显示装置,该显示装置具有高操作性能和高可靠性。第三钝化膜45设置在EL元件203的下面,该EL元件包括像素电极(阳极)46、EL层47和阴极48,以形成一种能够辐射由EL元件203产生的热量的结构。此外,第三钝化膜45可防止在EL元件中的碱金属扩散到TFT侧,并可防止湿气和氧气从TFT侧渗透到EL元件203中。更好的是,第四钝化膜50也具有热辐射作用,以使EL元件203能够被热辐射层包住。
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公开(公告)号：CN1266996A
公开(公告)日：2000-09-20
申请号：CN00103639.4
申请日：1995-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13624 , G02F2001/13685 , G09G3/3648 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2320/0214 , H01L27/124 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 一种减小有源矩阵显示器的截止电流的结构。在有源矩阵显示器中,多个TFT与第一个象素电极串联连接。在这些串联的TFT中,除了位于相对两端的TFT以外,至少要将一个TFT保持在导通状态。另外,至少要将一个电容器连接在串联连接的每个TFT的源极和漏极的结合部与交流接地点之间。于是,减小了在TFT截止期间从附加电容器释放的电荷量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1121617A
公开(公告)日：1996-05-01
申请号：CN95108515.8
申请日：1995-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13624 , G02F2001/13685 , G09G3/3648 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2320/0214 , H01L27/124 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 一种减小有源矩阵显示器的截止电流的结构。在有源矩阵显示器中，多个TFT与每一个象素电极串联连接。在这些串联的TFT中，除了位于相对两端的TFT以外，至少要将一个TFT保持在导通状态。另外，至少要将一个电容器连接在串联连接的每个TFT的源极和漏极的结合部与交流接地点之间。于是，减小了在TFT截止期间从附加电容器释放的电荷量。
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公开(公告)号：CN1107257A
公开(公告)日：1995-08-23
申请号：CN94112813.X
申请日：1994-10-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L21/28079 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , Y10S438/981
Abstract: 在一半导体集成电路中，在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘，所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压，至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模，通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。
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公开(公告)号：CN1025383C
公开(公告)日：1994-07-06
申请号：CN86107793
申请日：1986-11-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/35
CPC classification number: G02F1/133345
Abstract: 本发明说明一种改进的，不受液晶污染影响的液晶装置，该液晶凭借其间的氮化物层来跟游离物质隔离，如：玻璃基质、透明电极等等。
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公开(公告)号：CN1005944B
公开(公告)日：1989-11-29
申请号：CN85109696
申请日：1985-12-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/12
Abstract: 在透光的绝缘衬底上形成一层制有图形的不透光的导电层或半导体层部分，再用一个绝缘层围住上述层部分，使绝缘层的厚度与导电层或半导体层部分的厚度相同，但不要使绝缘层覆盖住上述层部分。形成绝缘层的方法如下：在有导电层或半导体层部分的整个衬底上形成一层光敏有机树脂。在此例中，使有机树脂漫延到层部分上面。然后，从衬底那一侧对有机树脂层爆光，并进行显影和热处理等工艺，最后形成上述绝缘层。
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公开(公告)号：CN87106448A
公开(公告)日：1988-05-11
申请号：CN87106448
申请日：1987-09-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/12
Abstract: 在透光的绝缘衬底上形成一层制有图形的不透光的导电层或半导体层部分，再用一个绝缘层围住上述层部分。使绝缘层的厚度与导电层或半导体层部分的厚度相同，但不要使绝缘层覆盖住上述层部分。形成绝缘层的方法如下：在有导电层或半导体层部分的整个衬底上形成一层光敏有机树脂。在此例中，使有机树脂漫延到层部分上面。然后，从衬底那一侧对有机树脂层曝光，并进行显影和热处理等工艺，最后形成上述绝缘层。
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