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公开(公告)号：CN115275017A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210902941.9
申请日：2022-07-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种感存算一体的柔性有机存储器及其制备方法。该感存算一体的柔性有机存储器包括：具有ITO导电层的柔性衬底；阻挡层，其为有机聚合物介质，形成在ITO导电层上；CsPbBr3量子点俘获层，形成在所述阻挡层上；隧穿层，形成在所述量子点俘获层上；有机半导体层，其为对紫外光敏感的有机半导体材料，形成在所述隧穿层上；顶电极，形成在所述有机半导体层上，通过调控施加的紫外光的参数，调控有机半导体层的光生载流子的数量，从而实现对突触后电流的调制，模拟各种突触行为。
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公开(公告)号：CN115275006A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210918681.4
申请日：2022-08-01
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开一种基于ZrO2插层的多比特铁电场效应晶体管及其制备方法。该基于ZrO2插层的多比特铁电场效应晶体管，包括：衬底；界面层，形成在所述衬底上；多层HZO铁电层，形成在所述界面层上，且在相邻HZO铁电层间形成有ZrO2插层；栅极，形成在所述HZO铁电层上；源极和漏极形成在所述衬底中所述栅极两侧；通过调整所述各层HZO铁电层的厚度，控制铁电畴尺寸，使之具有不同的矫顽场，当施加不同电压时使特定HZO铁电层完全极化，获得具有稳定的中间极化状态的多比特铁电场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN115266844A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210896284.1
申请日：2022-07-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种低维感存算一体化器件及其制备方法。该低维感存算一体化器件包括：衬底，其为具有氧化层的高掺杂硅片；存储功能层，其为金属纳米晶颗粒，形成在所述衬底上；过渡层，形成在所述存储功能层上；气体探测层，其为经金属纳米晶颗粒修饰的二维半导体层，以提高对二氧化氮气体的探测灵敏度，形成在所述过渡层上；源电极和漏电极，形成在所述气体探测层两侧，在同一器件单元实现对二氧化氮气体的探测、识别与记录。
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公开(公告)号：CN115207125A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210692657.3
申请日：2022-06-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种极化增强的铁电神经突触器件及其制备方法。该极化增强的铁电神经突触器件包括：衬底；二维铁电薄膜，形成在所述衬底上，作为沟道；源电极和漏电极，形成在所述二维铁电薄膜两侧；铁电栅介质层，其为铪基铁电薄膜，形成在上述器件上；栅电极，形成在所述铁电栅介质层上，且位于所述沟道上方；向栅电极施加正向电压，铪基铁电薄膜发生极化翻转，器件电阻变小，这时极化强度仅取决于铪基铁电薄膜；继续施加正向电压，铪基铁电薄膜和二维铁电薄膜均发生极化翻转，器件的电阻变为最小，极化强度变为最大，实现极化增强以及阻态调控范围增加的效果。
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公开(公告)号：CN115084364A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210609621.4
申请日：2022-05-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种太赫兹神经突触忆阻器件及其制备方法。该太赫兹神经突触忆阻器件包括：衬底；有源区，形成在所述衬底上；两个电极，其为叉指状，包括测试部和指状部，两个电极的测试部分别形成在所述有源区两侧，指状部以一定间隔交错排列在所述有源区上，并且相邻指状部间的间距控制在纳米级；将两个电极分别作为神经突触的突触前端和突触后端，在突触前端施加高频电压信号作为神经突触的激励源，对突触后端的电流信号响应进行采集，从而实现太赫兹神经形态计算功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115084363A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210609606.X
申请日：2022-05-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种铁电半导体结型神经形态忆阻器件及其制备方法。该铁电半导体结型神经形态忆阻器件包括：衬底，其为高掺杂硅片；阻挡层，形成在衬底上，设有凹槽，使底部的高掺杂硅片露出作为底电极；铁电层，形成在凹槽中，与底电极相接触；顶电极，形成在铁电层上，其延伸方向与底电极的延伸方向正交，通过调节施加在顶电极的电压的大小和正负，实现神经形态计算中所需的电导权重逐级调节过程：在顶电极施加正向电压时，铁电层中的铁电畴极化方向翻转向下，器件处于低电阻的状态；施加较小的正向电压时，铁电层中铁电畴发生不完全翻转，器件处于中间电阻状态；施加负向电压时，铁电层中的铁电畴极化方向发生翻转，器件处于高电阻的状态。
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公开(公告)号：CN115084362A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210609538.7
申请日：2022-05-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种具有垂直双栅结构的铁电神经突触存储器及其制备方法。该具有垂直双栅结构的铁电神经突触存储器包括：衬底；背栅电极，形成在所述衬底上；铪基铁电背栅介质，其为正交相，覆盖所述背栅电极；二维沟道材料，形成在所述铪基铁电背栅介质上，其在水平方向的投影与背栅电极在水平方向的投影有交叠；源电极和漏电极，形成在所述二维沟道材料两端；铪基铁电顶栅介质，其为正交相，覆盖上述器件；顶栅电极，形成在所述铁电顶栅介质上，其在水平方向的投影与二维沟道材料和背栅电极在水平方向的投影有交叠，在垂直方向上实现基于双铁电耦合的双突触调控，完成时间与空间信息调整。
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公开(公告)号：CN115050890A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210780821.6
申请日：2022-07-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种量子点修饰的柔性视觉突触忆阻器及其制备方法。该量子点修饰的柔性视觉突触忆阻器包括：柔性衬底；底层电极，形成在所述柔性衬底上；复合功能薄膜，由钙钛矿量子点和有机铁电聚合物组成，形成在所述底层电极上；多个相互间隔的透明顶层电极，形成在所述复合功能薄膜上，对器件施加光源信号与电学脉冲信号，利用钙钛矿量子点的光电响应以及铁电聚合物的电导调制功能，模拟人工视觉系统的光信号感知、数据存储与计算。
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公开(公告)号：CN115036419A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210780823.5
申请日：2022-07-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种柔性存算一体忆阻器及其制备方法。该柔性存算一体忆阻器包括：底电极，其为第一金属织物；铁电功能薄膜叠层，其包括三层以上掺杂铪基高k介质薄膜，包覆在所述底电极上；顶电极，其为第二金属织物，以与所述底电极交叉的方式形成在所述底电极上，通过对两个顶电极施加电压序列脉冲，实现存储数据与逻辑计算双重功能。
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公开(公告)号：CN114944440A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210693525.2
申请日：2022-06-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/18 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开一种仿生视觉神经突触器件及其制备方法。该仿生视觉神经突触器件包括：衬底，作为栅电极；栅介质层，形成在所述栅电极上；沟道，形成在所述栅介质层上，包括能带相匹配的第一二维半导体薄膜和第二二维半导体薄膜，两者相互邻接且有重叠的区域，形成异质结；源电极和漏电极分别形成在所述沟道两侧，通过光脉冲输入图像信息，利用两种二维半导体薄膜构建的异质结形成的光电响应增强效果，对光电信息进行采集、处理与存储，实现视觉系统的图像处理功能，用于构建感存算一体化的神经形态感知系统。
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