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公开(公告)号：CN113972318A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111280578.3
申请日：2021-10-29
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种基于同质结的多比特存储器及其制备方法。该基于同质结的多比特存储器，包括：衬底；底电极，形成在所述衬底上；功能层，其为不同氧含量的多层非晶氧化物薄膜，形成在所述底电极上；顶电极，形成在所述功能层上，在向顶电极施加电压时，各层非晶氧化物薄膜自上而下依次形成氧空位导电通道，实现阻态的逐级调制，使得单一器件具有多态存储的功能。
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公开(公告)号：CN112349787A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011155933.X
申请日：2020-10-26
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/792 , H01L29/24 , H01L21/34 , H01L31/032 , H01L31/113 , H01L31/18 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开一种光电双调制的二维柔性神经突触器件及其制备方法。该光电双调制的二维柔性神经突触器件包括：涂覆有电极的柔性衬底；阻挡层，电荷俘获层和隧穿层，自下而上依次形成在所述电极上；作为沟道的二维材料，间隔分布在所述隧穿层上；源电极和漏电极，分别形成在所述二维材料上，并与所述隧穿层相接触，其中，所述二维材料的电导值用于模拟神经突触中的权重值，利用电脉冲与光脉冲刺激可实现仿生神经突触特性的模拟。通过将二维材料优异的光电响应特性、机械柔韧性与柔性神经突触器件相结合，从而实现灵活的光电双模式调节。
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公开(公告)号：CN112331773A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011155925.5
申请日：2020-10-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种全透明的防水柔性有机忆阻器件及其制备方法。该全透明的防水柔性有机忆阻器件，包括：柔性衬底；底层电极，形成在柔性衬底上；经过低温退火的PEDOT:PSS有机功能层，形成在底层电极上；顶层电极，相互隔离分布在PEDOT:PSS有机功能层上。本发明解决了有机材料器件易受到水的影响而使得器件性能衰减或失效的问题，为有机忆阻器件的防水应用场景提供了可能。
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公开(公告)号：CN119584855A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202410974703.8
申请日：2024-07-19
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种三维集成铪基铁电器件及其制备方法，包括：衬底；底电极层包括多个叠层结构，底电极层包括多个并列的台阶结构，所有台阶结构设于衬底上；每一个台阶结构包括第一金属层、多个叠层结构和第一绝缘层；第一金属层设于衬底上，所有叠层结构依次堆叠于第一金属层上，第一绝缘层设于顶部的叠层结构上；铁电材料层覆盖于底电极层；顶电极层覆盖于铁电材料层。本发明具有能在平面器件的面积不减小的前提下，提高剩余极化和电容值，提高铁电存储器的性能。
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公开(公告)号：CN118922058A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410974708.0
申请日：2024-07-19
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种反铁电神经形态器件及其制备方法，包括：提供衬底；在衬底上生成第一金属层，作为第一电极；在第一金属层上形成铪锆氧化物薄膜；在铪锆氧化物薄膜上形成第二金属层。本发明的有益效果在于：实现铪锆氧化物反铁电材料的非易失性，在非易失性基础上，能够实现包括配对脉冲促进、兴奋性突触后电流和长期增强/抑制的神经突触形态学特征与功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118922057A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410974686.8
申请日：2024-07-19
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种反铁电人工神经元器件及其制备方法，包括：提供衬底；在衬底上形成第一金属层，作为第一电极；在第一金属层上形成铪锆氧化物薄膜；在铪锆氧化物薄膜上形成第二金属层；通过快速热处理使铪锆氧化物薄膜结晶并产生反铁电性；去除第二金属层；在铪锆氧化物薄膜上形成第三金属层，作为第二电极。本发明的有益效果在于：可实现神经元积累/泄露功能，避免额外的硬件和操作成本，进而实现了包括积累、激发和自恢复的基本神经元特性，能够模拟生物神经元特性。
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公开(公告)号：CN118921994A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410974695.7
申请日：2024-07-19
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体异质结的光电存算一体器件及其制备方法，包括：依次设于衬底表面上的电荷阻挡层、电荷俘获层、电荷隧穿层和沟道层，以及设于所述沟道层的两端上的源漏电极；所述沟道层包括以一端相连并形成异质结的二维半导体层和有机半导体层，所述源漏电极分设于所述二维半导体层和所述有机半导体层上；其中，通过所述二维半导体层和所述有机半导体层形成的异质结，同时实现载流子调控和光电信号响应，以及实现能带匹配调控，并与所述电荷俘获层配合，以完成信息的原位计算与存储。本发明利用二维材料与有机材料的异质结构建沟道材料，制备具有光电存储效果的神经形态电子器件，适合于光电神经形态计算与应用。
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公开(公告)号：CN117737698A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311748793.0
申请日：2023-12-19
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/52 , C23C16/56 , H10B51/30
Abstract: 本发明公开一种铁电薄膜制备方法、铁电薄膜及包含其的铁电器件。该铁电薄膜制备方法，以TEMAH为铪前驱体，以La‑FMD为镧前驱体，以氧等离子体或水源为氧源，通过原子层沉积技术生长HfLaO薄膜；通过HfO2和La2O3的交替沉积周期，对La掺杂浓度以及薄膜厚度进行可控调整；通过快速热退火促进HfLaO薄膜o相的形成，激活铁电性，其中，基于La元素离子半径大和电负性低特性，使得HfLaO薄膜中的o相的比例提升，提高薄膜的剩余极化强度和耐压特性。基于HfLaO薄膜较高的剩余极化强度，在铁电隧穿结器件中可以实现更高隧穿势垒变化，表现出更高的开关比，提高铁电存储器的存储密度。
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公开(公告)号：CN117729776A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311748781.8
申请日：2023-12-19
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种高耐久存算一体器件及其制备方法。该器件包括：衬底；底层电极，形成在衬底上，沿第一方向排列；Hf基掺杂薄膜/四(乙基甲基氨基)锆薄膜叠层，包括两周期以上循环，形成在底层电极上，其中，四(乙基甲基氨基)锆薄膜用于实现对Hf基掺杂薄膜的锆元素掺杂，对Hf基掺杂薄膜形成夹持效果，诱导整体薄膜产生反铁电特性；顶层电极，形成在Hf基掺杂薄膜/四(乙基甲基氨基)锆薄膜叠层上，沿第二方向排列，与底层电极呈垂直交叠；以顶层电极作为神经形态器件的前端，以底层电极作为神经形态器件的后端，在顶层电极施加脉冲激励，在底层电极捕捉电流，用以读取器件的权重状态，实现连续可调的反铁电存算一体权重调控功能。
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公开(公告)号：CN114944440B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202210693525.2
申请日：2022-06-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/18 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开一种仿生视觉神经突触器件及其制备方法。该仿生视觉神经突触器件包括：衬底，作为栅电极；栅介质层，形成在所述栅电极上；沟道，形成在所述栅介质层上，包括能带相匹配的第一二维半导体薄膜和第二二维半导体薄膜，两者相互邻接且有重叠的区域，形成异质结；源电极和漏电极分别形成在所述沟道两侧，通过光脉冲输入图像信息，利用两种二维半导体薄膜构建的异质结形成的光电响应增强效果，对光电信息进行采集、处理与存储，实现视觉系统的图像处理功能，用于构建感存算一体化的神经形态感知系统。
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