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公开(公告)号：CN108281480B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201810136624.4
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种表征不同类型粒子辐照诱导电离和位移缺陷形成与退火状态的一种同时产生电离和位移缺陷信号的器件及其制备方法，属于核科学与技术领域。本发明包括集电区、基区、n个发射区、发射极、基极和集电极；集电区的掺杂浓度小于1E15/cm3；基区外边缘的长边距集电区外边缘的距离d范围为0.1～300μm，基区外边缘的宽边距集电区外边缘的距离e的范围为0.1～300μm；基区掺杂浓度为1E15/cm3～1E17/cm3；发射区的长边a与宽边b的比值在500:1～1:500范围内，扩散结深度在0.1μm至3.0μm之间；相邻两个发射区的间距不小于a/2、不大于5a；发射区掺杂浓度为5E15/cm3～1E20/cm3。
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公开(公告)号：CN111043900B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010001052.6
申请日：2020-01-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种中低温高速撞击试验装置及其试验方法，防护罐体作为弹丸撞击试验的安全防护装置；防护罐体开设有穿线和管道的通孔，防护罐体的一端设有罐门；所述防护罐体内部设有一个试验台面、照明灯具；火药炮、环境箱安装在试验台面上内；环境箱内设置有靶架、液氮蒸发板；温控装置的测控线缆与环境箱连接，温控装置的制冷管路连接自增压液氮罐；自增压液氮罐与液氮蒸发板连接；电磁测速器与火药炮的可拆卸炮管连接，并通过线缆与示波器相连。本发明装置具有制造费用低，体积小，结构较简单，操作方便，发射安全可靠性高，降低了操作的专业性要求。
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公开(公告)号：CN113300564A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110655314.5
申请日：2021-06-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02K41/03
Abstract: 高功率因数横向磁通永磁同步直线电机，属于永磁电机领域，本发明为解决现有横向磁通永磁同步直线电机永磁体利用率低、永磁体和电枢漏磁大、功率因数低的问题。本发明包括初级和次级，初级设置于次级外部；初级包括h个沿轴向并列排布、结构相同的圆盘型电枢铁心，每个圆盘型电枢铁心沿周向设置m×k个U型电枢模块，初级中所有U型电枢模块上设置m相初级电枢，各相沿圆周方向均布且依次占360°/m角度；每相包括k个电枢单元；k个电枢单元中绕组可以通过串联或者并联构成一相绕组；每个电枢单元由h个沿轴向方向均匀分布的U型电枢模块构成，相邻U型电枢模块的绕组反向串联，且相邻U型电枢模块中心的轴向距离为τ。
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公开(公告)号：CN108335984B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201810135795.5
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 一种判断电子器件费米能级发生钉扎效应的方法，涉及一种电子器件发生费米能级钉扎效应的确定方法。本发明为了解决目前还没有一种针对粒子辐射环境用电子器件发生费米能级钉扎效应的确定方法的问题。本发明首先利用软件计算辐照粒子在芯片材料中单个辐照粒子产生的空位数量，确定辐照粒子种类和能量，然后选择不同辐照注量进行辐照试验，辐照注量点不少于3个并对辐照后器件进行深能级瞬态谱测试；对比按照不同辐照注量的DLTS结果曲线，分别比较深能级缺陷和浅能级缺陷对应的信号峰，如果随着辐照注量的增大，深能级缺陷浓度升高且浅能级缺陷浓度降低，则器件材料发生了费米能级的钉扎效应。本发明适用于电子器件发生费米能级钉扎效应的确定。
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公开(公告)号：CN109873511B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201910159553.4
申请日：2019-03-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 反凸极式切向充磁型多相永磁容错电机，属于永磁容错电机领域，本发明为解决传统多相永磁容错电机中正常运行性能与容错能力相互制约的问题。本发明电机直轴电抗大于交轴电抗；转子的转子铁心的外表面均匀开有p个完全一致的转子凹槽，在2p个转子凹槽之间形成2p个铁磁极，在相邻两个铁磁极之间的转子铁心的轭部沿径向方向交替开有2p个槽；p个第一永磁体以及p个第二永磁体交错嵌入在2p个槽中；隔磁环固定在转轴上，转子铁心固定在隔磁环的外圆表面上；通过调整定子绕组中的电流来改变p个第二永磁体的工作点，以改变磁通大小或方向，进而实现p个第二永磁体对p个第一永磁体在气隙L中的永磁磁场进行正向或反向叠加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108267657B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201810106963.8
申请日：2018-02-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种基于S变换的电能质量扰动检测方法及系统，涉及一种分段改进S变换分析方法。该方法在S变换方法的基础上，对改进S变换进行分段处理，解决了改进S变换对于复合扰动测量不准确的缺点。该方法在改进S变换的基础上，通过对电力系统中扰动信号的类型和频段分布进行综合分析，选取峰度为分析对象，并选取最能代表扰动信号的特征区域作为峰度分析区域，综合考虑窗宽因子g和峰度的关系，经过原理分析和实验确定，最终确定各个频段的窗宽调节因子g的值，使其可以根据不同扰动具有更突出的时域检测能力或频域检测能力。
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公开(公告)号：CN109941313A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910311877.5
申请日：2019-04-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B61L1/16
Abstract: 本发明提供了一种单侧计轴传感器的感应电动势计算方法及装置，所述感应电动势计算方法，包括：获取所述单侧计轴传感器的尺寸参数；分析在无车轮时的磁通路径，建立无车轮时的等效磁路网络模型；分析在有车轮时的磁通路径，建立有车轮时的等效磁路网络模型；将无车轮时和有车轮时的磁场划分为多个磁通区域；对无车轮时的和有车轮时的所述等效磁路网络模型进行简化；对所述单侧计轴传感器无车轮时和有车轮时的感应电动势进行计算。本发明所述的通过磁路法进行划分，从而可以快速有效地提供优化方向，大大减少计算时间。
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公开(公告)号：CN109596245A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811201824.X
申请日：2018-10-16
Abstract: 本发明公开一种佳拉洁雅磁阱中电子温度及等离子体密度测量方法及系统，包括：Langmuir探针模块，包括多个以阵列形式排列的Langmuir探针，Langmuir探针的总个数和位置由佳拉洁雅磁阱中的等离子体分布状况、电子温度和等离子体密度的数量级以及磁场区域的空间位形决定；外围电路模块，与Langmuir探针模块连接，用于探测每一Langmuir探针中的电流信号及其两端的电压信号；信号选择模块，与外围电路模块连接，用于选择性接收Langmuir探针的电流信号和电压信号；信号采集模块，与信号选择模块连接；信号处理模块，与信号采集模块连接，用于根据Langmuir探针采集到的电流信号和电压信号得到Langmuir探针的特性曲线，进而计算各通道的电子温度和等离子体密度。本发明方便、快捷、准确、高效率、可靠性高。
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公开(公告)号：CN108345023A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810135793.6
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01T1/02
CPC classification number: G01T1/02
Abstract: 本发明提供基于吸收剂量深度分布计算辐射敏感部位电离吸收剂量的方法，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明首先选取一种已知一维电离吸收剂量深度分布的材料，并将其吸收剂量深度分布转化为吸收剂量随等效厚度的分布；对辐射敏感部位所处的结构进行区域划分，确定各区域材料种类、材料厚度以及辐射敏感部位与区域连线的最大角度；然后将各个区域的材料的厚度转化为等效厚度，确定各个等效厚度的吸收剂量和单向吸收剂量，最终计算得到结构中敏感部位的电离吸收剂量。本发明解决了现有技术辐射敏感部位电离吸收剂量计算复杂、耗时长的问题。本发明可用于快速评估航天器等复杂结构的电离吸收剂量。
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公开(公告)号：CN108335984A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810135795.5
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 一种判断电子器件费米能级发生钉扎效应的方法，涉及一种电子器件发生费米能级钉扎效应的确定方法。本发明为了解决目前还没有一种针对粒子辐射环境用电子器件发生费米能级钉扎效应的确定方法的问题。本发明首先利用软件计算辐照粒子在芯片材料中单个辐照粒子产生的空位数量，确定辐照粒子种类和能量，然后选择不同辐照注量进行辐照试验，辐照注量点不少于3个并对辐照后器件进行深能级瞬态谱测试；对比按照不同辐照注量的DLTS结果曲线，分别比较深能级缺陷和浅能级缺陷对应的信号峰，如果随着辐照注量的增大，深能级缺陷浓度升高且浅能级缺陷浓度降低，则器件材料发生了费米能级的钉扎效应。本发明适用于电子器件发生费米能级钉扎效应的确定。
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