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公开(公告)号：CN105388138B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510981044.1
申请日：2015-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于氧化钨作为乙醇气体传感材料的光学测量方法，它涉及一种基于氧化钨作为乙醇气体传感材料的测量方法。本发明是要解决现有基于氧化钨的电学式乙醇气敏传感测量方法存在工作温度高，器件加工复杂，且容易受到外界电磁场干扰的技术问题。本发明：一、水热法制备氧化钨纳米棒；二、制备氧化钨气敏传感元件；三、标准荧光强度值地确定；四、检测未知浓度的乙醇气体。本发明的有益效果：本发明方法不需要电学式设备加工中的电极加工过程，不需要氧化钨内部的导通性，简化工艺过程，可在常温下工作，不需要电学式器件加工中的加热部件测温部件的加工过程，降低了加工成本，不受电磁干扰，可实现远程遥控操作。本发明应用于测量乙醇气体的浓度。
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公开(公告)号：CN104987072B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510423779.2
申请日：2015-07-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/499 , C04B35/64
Abstract: 高电学性能的铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅弛豫铁电织构陶瓷及应用，本发明涉及压铁电材料领域。本发明要解决现有PIN-PMN-PT单晶组分分凝、可用尺寸受限、力学性能差、PIN-PMN-PT陶瓷电学性能低的问题。化学通式为xPb(In1/2Nb1/2)O3-(1-x-y)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-yPbTiO3-avol.％BaTiO3；方法：二步合成法制备PIN-PMN-PT细晶基体粉体，局部化学微晶取代法制备BaTiO3片状微晶模板，采用模板晶粒定向生长技术制备沿[001]高度取向的PIN-PMN-PT基三元系弛豫铁电织构陶瓷。应用于超声换能器、压电驱动器及压电传感器领域。
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公开(公告)号：CN104593733B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510079267.9
申请日：2015-02-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 铜掺杂氧化锌纳米棒的脉冲激光沉积制备方法，它涉及一种气敏纳米材料的沉积方法。本发明是要解决现有制备铜掺杂氧化锌纳米棒的方法存在化学原料种类多、反应过程复杂，容易引入杂质的问题。本方法如下：一、制备掺铜氧化锌陶瓷靶材；二、利用脉冲激光对靶材进行烧蚀，获得籽晶层；三、激光烧蚀靶材20-120min，得掺铜氧化锌纳米结构。本发明采用脉冲激光沉积法制备掺铜氧化锌纳米棒，使用原料简单，只需两种原料，并且在真空腔中进行生产，样品结晶质量高，避免引入杂质，且掺杂组分可控性好。本发明属于铜掺杂氧化锌纳米棒的制备领域。
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公开(公告)号：CN105388138A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510981044.1
申请日：2015-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: G01N21/643 , C01G41/02 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/16 , C01P2004/64
Abstract: 一种基于氧化钨作为乙醇气体传感材料的光学测量方法，它涉及一种基于氧化钨作为乙醇气体传感材料的测量方法。本发明是要解决现有基于氧化钨的电学式乙醇气敏传感测量方法存在工作温度高，器件加工复杂，且容易受到外界电磁场干扰的技术问题。本发明：一、水热法制备氧化钨纳米棒；二、制备氧化钨气敏传感元件；三、标准荧光强度值地确定；四、检测未知浓度的乙醇气体。本发明的有益效果：本发明方法不需要电学式设备加工中的电极加工过程，不需要氧化钨内部的导通性，简化工艺过程，可在常温下工作，不需要电学式器件加工中的加热部件测温部件的加工过程，降低了加工成本，不受电磁干扰，可实现远程遥控操作。本发明应用于测量乙醇气体的浓度。
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公开(公告)号：CN103193805B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310107909.2
申请日：2013-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种有机蓝色发光材料锌配合物及其制备方法，它涉及一种有机蓝色发光材料锌配合物及其制备方法。本发明的目的是要解决现有的蓝色有机发光材料及其制备方法中存在的原料较贵，成本较高的问题。一种有机蓝色发光材料锌配合物的分子式为C16H22N8O8Zn；方法：一、N-乙酸基-2，2′-联咪唑的制备；二、以N-乙酸基-2，2′-联咪唑为配体与醋酸锌反应制备锌配合物。本发明的制备方法产率达45％以上，以365nm为激发波长，有机蓝色发光材料锌配合物呈现蓝色荧光，最大发射波长为485nm，有机发光材料锌配合物的荧光寿命为9.75μs，是一种新型的有机蓝色发光材料，主要用于制备有机蓝色发光材料锌配合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103193812B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201310108136.X
申请日：2013-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种含草酸的二维铽配位聚合物绿色荧光材料及其制备方法，它涉及一种绿色荧光材料及其制备方法。本发明是要解决现有的有机绿色发光材料稳定性差和现有方法制备的有机绿色发光材料产率低的问题。本发明一种含草酸的二维铽配位聚合物绿色荧光材料的分子式为C9H12NO9Tb。制备方法：一、搅拌混合；二、加热；三、洗涤及干燥；即得到含草酸的二维铽配位聚合物绿色荧光材料。本发明的优点：一、本发明制备的含草酸的二维铽配位聚合物绿色荧光材料颜色艳丽且稳定性好；二、本发明方法简单易操作且产率达到84～87%，与现有技术产率为60%～70%相比，提高了14%以上。本发明可用于制备含草酸的二维铽配位聚合物绿色荧光材料。
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公开(公告)号：CN104535222A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201510032957.9
申请日：2015-01-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01K11/32
Abstract: 一种基于三价镨离子发光特性的高灵敏度温度测量方法，本发明涉及温度传感技术领域，它为了解决现有基于镨离子热耦合能级的温度传感材料的灵敏度较低的问题。温度测量方法：一、将Pr3+掺杂到无机氧化物或氟化物中，制备得到Pr3+摩尔掺杂浓度为1％～10％的荧光温度传感材料；二、在不同温度下测试荧光温度传感材料的光致发光谱，建立荧光峰强度比依赖于环境温度的标准曲线；三、将荧光温度传感材料置于待测温度的环境中，计算对应的荧光峰荧光强度比，代入步骤二的标准曲线中，得到待测环境的温度测量值。本发明通过对氧化物或氟化物的高浓度Pr3+离子掺杂，提高了荧光温度传感材料的灵敏度。
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公开(公告)号：CN103265945B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201310194839.9
申请日：2013-05-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 有机白光材料邻吡啶对苯双亚胺镉/汞配合物及其制备方法，它涉及有机发光材料及其制备方法。本发明要解决现有有机白色发光材料的合成工艺复杂、收率低和荧光寿命短的问题。有机白光材料为邻吡啶对苯双亚胺镉配合物[N,N′-二(2-乙酰基吡啶亚甲基)苯-1,4-二胺]CdCl2和邻吡啶对苯双亚胺汞配合物[N,N′-二(2-乙酰基吡啶亚甲基)苯-1,4-二胺]HgCl2。制备：一、将N,N′-二(2-乙酰基吡啶亚甲基)苯-1,4-二胺与CdCl2或HgCl2溶解于甲醇，加热回流；二、过滤浑浊反应液，收集固体粉末；三、使用甲醇洗涤得到有机白光材料。本发明合成工艺简单，收率可在60%以上，荧光寿命较长。
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公开(公告)号：CN103091318B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201310049642.6
申请日：2013-02-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/78
Abstract: 石墨烯/聚二丁炔复合薄膜的制备方法，它涉及一种复合薄膜的制备方法。石墨烯/聚二丁炔复合薄膜的制备方法：一、制备石墨烯薄膜；二、10,12-二十五二炔酸的氯仿溶液；三、将石墨烯薄膜浸泡在10,12-二十五二炔酸的氯仿溶液中，然后在避光的条件下反应，再用紫外灯照射，即得。本发明制备的石墨烯层数为2～5层，且透过率在蓝光区达到82％，在红光区达到76.9％。如此高的透过率，使传感器与有毒挥发性气体反应后，有利于传感器呈现颜色信号，且通过这种方法制备的石墨烯分散性很好，并且灵敏度高，为制备石墨烯/PDA薄膜传感器提供高质量的基底材料。
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公开(公告)号：CN102628186B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210131057.6
申请日：2012-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基无铅压电单晶的制备方法，它涉及一种功能性单晶材料的制备方法。本发明解决了铌酸钾钠基压电单晶生长困难、尺寸小、压电性能低的技术问题。本方法如下：一、制备料浆；二、合成多晶；三、化料；四、缩颈；五、放肩；六、等径；七、降温。本发明方法工艺简单，生长周期短，成本低廉。本生长工艺生长出的铌酸钾钠基压电单晶径向大小约8mm，长约20mm，尺寸较大，质量均匀，电学性能良好。本发明的正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为纯钙钛矿结构，无其它杂相。室温下锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为正交相结构。正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶具有非常良好的压电性能。
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