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公开(公告)号：CN101783314A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200910146985.8
申请日：2009-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/50 , H01L21/306 , H01L21/768 , H01L27/04 , H01L23/12
CPC classification number: H01L23/522 , H01L21/6836 , H01L21/76256 , H01L21/76898 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L2221/6834 , H01L2924/0002 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体衬底的方法，包括提供具有正面和背面半导体衬底，在半导体衬底正面形成第一电路和第二电路，把半导体衬底正面键合到承载衬底，减薄半导体衬底的背面，并形成从半导体衬底背面到正面的沟槽从而把第一电路和第二电路隔离开。
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公开(公告)号：CN101179090B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710153264.0
申请日：2007-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/14683 , H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/1464
Abstract: 本发明揭示一种背照式图像传感器及其制造方法。所述图像传感器的制造方法包括提供一基底，其具有一第一导电型及一第一电位。在基底内形成具有一第二导电型的一耗尽区。延伸耗尽区。缩减基底的厚度。在基底的一背表面注入具有第一导电型及一第二电位的离子，以形成一掺杂层。对掺杂层进行激光退火，以激活具有第一导电型的离子。本发明的背照式图像传感器及其制造方法通过在P-基底背表面注入P+离子之前，缩减P-基底的厚度而形成用以提供电性接地并降低漏电流的浅P+层。另外，进行激光退火以激活注入的离子，传感器的金属层不会因此而受到影响，因此光灵敏度可在不影响装置效能及无需考虑外扩散的情形下获得改善。
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公开(公告)号：CN100563018C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200710101189.3
申请日：2007-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
Abstract: 一种背照式传感器，包括：具有正面与背面的半导体基板；形成于该半导体基板的该正面上的多个像素；置于该半导体基板的该正面上方的介电层；以及根据该多个像素而配置的多个阵列区域。其中，至少第一、第二阵列区域具有彼此相异的辐射响应特性，例如，该第一阵列区域的结深大于该第二阵列区域的结深，或是该第一阵列区域的掺杂物浓度大于该第二阵列区域的掺杂物浓度。
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公开(公告)号：CN100539172C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200710001220.6
申请日：2007-01-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/102 , H01L21/822 , H01L21/265 , H01L31/18
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/1464
Abstract: 本发明提供了一种背照明图像传感装置，包括：基底；第一掺杂区，位于该基底内；以及第二掺杂区，位于该基底内并位于该第一掺杂区上方，其中该第一掺杂区较佳地深达该基底厚度的50%以上。本发明还提供了一种背照明图像传感装置的制造方法，包括：制备基底；对该基底进行第一离子注入，以在该基底内形成第一掺杂区；在该基底上形成多晶硅层；以及对该基底进行第二离子注入，以在该第一掺杂区上方形成第二掺杂区，其中该第一掺杂区深达该基底厚度的50%以上。本发明能够改善传感装置的感光特性，且不会对其中各组件的表现造成影响。
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公开(公告)号：CN100539169C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200610149597.1
申请日：2006-11-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L31/0203 , H01L2224/48463 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种背照式影像感测元件，此元件具有金属延伸。在一实施例中，此元件包括第一及第二焊垫组，以及电性连接两者的金属层；并且此元件还包括一开口，其穿过该基板以从该第二焊垫的背面探测该第二焊垫。在另一实施例中，第二焊垫直接位于第一焊垫组下方，两者电性连接且此第二焊垫自元件表面露出以作为测试用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101409300A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810127697.3
申请日：2008-07-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
Abstract: 本发明涉及背面照明影像传感器及其制造方法，该背面照明影像传感器包含基板及传感器。上述的基板具有正面及背面，且传感器位于基板的正面内。上述传感器包含至少一光二极管、及一空乏区，其中上述空乏区的位于基板的背面内，空乏区的深度小于基板厚度的20％。
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公开(公告)号：CN100461440C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610128861.3
申请日：2006-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14687
Abstract: 本发明提供了一种图像感测装置，包括：一半导体基板；多个像素单元，位于该半导体基板上；以及一蚀刻停止层，位于所述像素单元上，其中该蚀刻停止层具有小于600埃的厚度。该图像感测装置还包括一层间介电层，覆盖该蚀刻停止层。该蚀刻停止层具有小于2的折射率和小于0.1的消光系数。本发明的图像感测装置，克服了公知感应器的感光能力、特别是对于蓝光的感测能力劣化的缺点，对于包括蓝光的所有色彩均具有较佳的感测能力。
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公开(公告)号：CN101266946A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810083566.X
申请日：2008-03-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L21/822 , H01L27/146
CPC classification number: H01L21/268 , H01L27/1464 , H01L27/14683
Abstract: 一种半导体装置的制造方法及背照式半导体装置，该半导体装置的制造方法包括下列步骤：提供基板，该基板包含第一表面以及第二表面，其中至少有一个影像传感器邻接于该第一表面；利用局部退火工艺以活化在该半导体基板中邻接该第二表面的掺杂层；以及对该掺杂层进行蚀刻工艺。本发明能够改善半导体装置的光照响应。
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公开(公告)号：CN101241923A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710127069.0
申请日：2007-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14625 , H01L27/14687
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器半导体器件。此半导体器件包括传感组件，置于半导体基板内；层间介电材料(ILD)，置于半导体基板上；以及沟槽，置于ILD内，覆盖并包围传感组件，且填充有第一介电材料。
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公开(公告)号：CN101179090A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710153264.0
申请日：2007-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/14683 , H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/1464
Abstract: 本发明揭示一种背照式图像传感器及其制造方法。所述图像传感器的制造方法包括提供一基底，其具有一第一导电型及一第一电位。在基底内形成具有一第二导电型的一耗尽区。延伸耗尽区。缩减基底的厚度。在基底的一背表面注入具有第一导电型及一第二电位的离子，以形成一掺杂层。对掺杂层进行激光退火，以激活具有第一导电型的离子。本发明的背照式图像传感器及其制造方法通过在P－基底背表面注入P+离子之前，缩减P－基底的厚度而形成用以提供电性接地并降低漏电流的浅P+层。另外，进行激光退火以激活注入的离子，传感器的金属层不会因此而受到影响，因此光灵敏度可在不影响装置效能及无需考虑外扩散的情形下获得改善。
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