-
公开(公告)号：CN102175933A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110031977.6
申请日：2011-01-28
Applicant: 南京理工大学
CPC classification number: H01J43/246
Abstract: 本发明公开了一种微通道板(MCP)噪声因子测试方法，它包括噪声因子的测试条件和具体测试方法。本发明将MCP、荧光屏和电子枪封闭在一高真空室内；均匀面电子束入射MCP，在MCP两端施加高压使其正常工作；检测MCP的输入电流、输出电流特性；通过MCP的输入电流的测试和数据处理，可以计算出MCP的输入信噪比；同时测试出MCP的输出电流数据，通过数据处理可以计算MCP的输出信噪比，最终计算出噪声因子参数。该测试方法可以科学地评价MCP的噪声特性，为高性能微光器件的研制，提供理论指导和技术支撑。在MCP和微光像增强器的研制和生产中可以广泛应用。
-
公开(公告)号：CN101782528B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910028131.X
申请日：2009-01-16
Applicant: 南京理工大学
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明公开了一种用于光阴极组件针孔疵病检测的方法及其实现装置，检测方法包括以下步骤：步骤1：进行测量的准备工作，并对设备进行初始化；步骤2：对是否扫描新的光阴极组件进行判断，如果是，则执行步骤3，如果不扫描，而仅仅查看已有的图像，则执行步骤5；步骤3：设置二维平移台的移动轨迹，设置平移台扫描范围；步骤4：利用CCD摄像机和图像采集卡对图像进行采集，并将原图像载入计算机；步骤5：将图像转换成理想的二值图像；步骤6：对二值图像进行区域扫描，找出瑕疵区域，标识检测结果；步骤7：实现海量图片的无缝拼接；步骤8：整合疵病的信息；步骤9：扫描完毕。本发明的方法检测结果准确，并且节约成本。
-
公开(公告)号：CN101782528A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200910028131.X
申请日：2009-01-16
Applicant: 南京理工大学
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明公开了一种用于光阴极组件针孔疵病检测的方法及其实现装置，检测方法包括以下步骤：步骤1：进行测量的准备工作，并对设备进行初始化；步骤2：对是否扫描新的光阴极组件进行判断，如果是，则执行步骤3，如果不扫描，而仅仅查看已有的图像，则执行步骤5；步骤3：设置二维平移台的移动轨迹，设置平移台扫描范围；步骤4：利用CCD摄像机和图像采集卡对图像进行采集，并将原图像载入计算机；步骤5：将图像转换成理想的二值图像；步骤6：对二值图像进行区域扫描，找出瑕疵区域，标识检测结果；步骤7：实现海量图片的无缝拼接；步骤8：整合疵病的信息；步骤9：扫描完毕。本发明的方法检测结果准确，并且节约成本。
-
公开(公告)号：CN1164918C
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN01113605.7
申请日：2001-05-14
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种光电阴极多信息量测试系统。由前端设备、信号检测模块、计算机及接口模块组成。单色光反射比及单色光电流测试光源发出的光经传光系统引向光电阴极表面，反射光经该传光系统引向光电探测器产生电信号，光电阴极产生单色光电流信号，输入计算机；光谱响应测试光源发出的光进入光栅单色仪，经传光系统引向光电阴极，产生的电流信号，输入计算机。本发明既可以用于多碱阴极的在线测试，又可以用于NEA光电阴极的在线测试，测试波长的间隔点可调，测试时间短，测试灵活易行。
-
公开(公告)号：CN1052811C
公开(公告)日：2000-05-24
申请号：CN96117159.6
申请日：1996-11-06
IPC: H01J9/12
Abstract: 本发明公开了一种多碱光电阴极的制造方法，其特点是首先在阴极基底上镀两个电阻测量电极，并将其与一个固定直流电压和电阻串联，用x－t记录仪记录电阻上电压的变化，然后依次进行Sb+K过程、Na过程、Sb、K交替过程、Cs过程和Sb、Cs交替过程。本发明的优点是制作工艺规律性强，过程确定单一、控制简单、监控设备简单并可实现制作过程的计算化，从而提高生产效率。本发明广泛适用于微光像增强器、光电倍增管等领域中。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119993806A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411983841.9
申请日：2024-12-31
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于可调光阑的高均匀性面电子源装置，包括氘灯、可调光阑、快门组件、积分球、紫外滤光片和双MCP组件。本发明通过在紫外光源上方依次设置可调光阑、快门组件、积分球和紫外滤光片，实现了对入射光通量的精确调节、快速开关控制以及光强分布的高度均匀化。其中，可调光阑用于连续调节入射光通量，从而实现对MCP出射电流大小的精确控制，电子发射流密度最高可达微安级别每平方厘米；快门组件可实现光照的快速切换；积分球的引入显著提高了光强分布的均匀性，使得MCP电子发射均匀性达到90％；紫外滤光片的设置有效滤除了可见光成分，避免了在EBAPS电子成像测试中的光学干扰。本发明解决了传统面电子源在电流调节响应时间长、均匀性差以及可见光干扰等问题，特别适用于EBAPS芯片的性能测试。
-
公开(公告)号：CN119364878A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411372439.7
申请日：2024-09-29
Applicant: 南京理工大学
IPC: H10F30/222 , H10F77/124 , H10F77/20 , H10F71/00
Abstract: 本发明提出了一种近红外响应增强的薄层透射式In0.88Ga0.12As0.26P0.74光电阴极组件，该光电阴极结构自下而上为In0.88Ga0.12As0.26P0.74发射层、In0.52Al0.48As窗口层、Si3N4增透层以及玻璃。In0.52Al0.48As窗口层中包含平面层和纳米结构阵列两部分，并使用Si3N4介质填充纳米结构间的空隙，纳米结构阵列部分采用若干周期分布的圆柱或方柱结构，通过调整纳米阵列结构的周期、形状、尺寸和排列方式，可实现光电阴极组件整体对近红外特定波长处的吸收率的提高，从而提高透射式In0.88Ga0.12As0.26P0.74光电阴极在近红外特定波长处的量子效率。本发明还给出了兼容新兴的微纳加工工艺与传统反转工艺的In0.88Ga0.12As0.26P0.74光电阴极组件制备工艺流程。
-
公开(公告)号：CN118275084A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410093837.9
申请日：2024-01-23
Applicant: 南京理工大学
IPC: G01M11/02 , H05B45/30 , H05B45/325 , H05B45/37
Abstract: 本发明公开了一种宽动态辐射光源产生及强度标定方法，该方法首先通过工控机控制FPGA产生调制信号激励LED发光，波长转移光纤将调制光信号引入至PMT的光阴极，PMT输出的阳极电流模拟信号通过跨阻放大、模数转换电路将模拟信号转换为数字信号，FPGA模块采集该数字信号并通过高速数据接口将数据传输至工控机，工控机通过拟合算法及积分运算得到当前光源强度。本方法可在100ns内产生0.01MIP～105MIP(1MIP为2000个光子)强度的光源并对其进行标定，具有抗干扰能力强、灵敏度高、动态范围宽、响应速度快等特点。
-
公开(公告)号：CN118190359A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410245978.8
申请日：2024-03-05
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于光纤耦合相机的像增强器宽动态范围测试方法及系统，该方法首先通过工控机控制半导体激光器产生不同照度的均匀光，随后利用FPGA芯片作为主控芯片，通过设计CMOS驱动模块、图像高速缓存模块、USB3.0传输显示模块等，分别完成对光纤耦合相机的驱动、图像数据的高速存储和实时显示等功能，通过工控机对光纤耦合相机采集图像的灰度值进行拟合及分析线性区间得到像增强器的动态范围。像增强器的照度范围决定了其动态范围，本方法可分析在10‑2MIP～105MIP(1MIP为2000个光子)照度范围内的像增强器动态范围，具有动态范围宽、数据传输损失小等特点，对像增强器的动态范围测试有一定应用价值。
-
公开(公告)号：CN117766357A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311796134.4
申请日：2023-12-25
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种GaAs基光电阴极的Cs/NF3/O混合激活方法，即在超高真空阴极激活系统中进行的单次阴极激活过程中，共同使用Cs源、NF3源和O源完成GaAs基光电阴极的表面激活操作，该混合激活方法具有提高GaAs基光电阴极稳定性和光谱响应性能的效果。这一新型的混合激活方法包括了以下步骤：1、对GaAs、InGaAs和AlGaAs等GaAs基类的光电阴极进行表面清洗；2、转移样品至超高真空系统中并进行高温净化，使样品达到原子级清洁表面；3、采用白光光源对阴极样品进行Cs/NF3激活；4、Cs/NF3激活结束后关闭NF3源，立即进行两次Cs/O交替激活，当光电流达到最高点时关闭Cs源和O源结束激活。通过上述方式，本发明可以得到阴极稳定性更好、光谱响应更高的GaAs基光电阴极。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
147
records
(took 0.024 seconds)
