公开(公告)号：CN103903978B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201210579179.1

申请日：2012-12-27

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 陈逸男 ,  徐文吉 ,  叶绍文 ,  刘献文

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，包括下列步骤：提供一基板；形成一绝缘层于该基板上；形成一图案化罩幕层于该绝缘层上；以及导入一混合气体对该绝缘层进行蚀刻，用以在该绝缘层中形成一穿孔，其中该混合气体包括一第一氟碳气体与一氧气，且该第一氟碳气体与该氧气的比例介于2:1~2:3。

公开(公告)号：CN103378058B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210118676.1

申请日：2012-04-20

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 陈逸男 ,  徐文吉 ,  叶绍文 ,  刘献文

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片，包括基底、第一穿硅通孔、第一穿硅通孔结构、第二穿硅通孔、第二穿硅通孔结构以及探测垫。第一穿硅通孔设置于基底中、并贯穿上表面，第二穿硅通孔亦设置于基底中、贯穿下表面并与第一穿硅通孔相连通。第一穿硅通孔结构设置于第一穿硅通孔中，包括第一通孔导电材料，第二穿硅通孔结构亦设置于第二穿硅通孔中，包括与第一通孔导电材料电气连接的第二通孔导电材料。探测垫覆盖下表面，并与第二通孔导电材料电气连接。

公开(公告)号：CN103367297B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210093145.1

申请日：2012-03-31

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 陈逸男 ,  徐文吉 ,  叶绍文 ,  刘献文

IPC: H01L23/49

CPC classification number: H01L2224/45 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种封装结构，包含有一第一芯片、一第二芯片以及一带状打线，其中带状打线连接第一芯片与第二芯片，且带状打线具有实质上为矩形的剖面。本发明的封装结构能有效解决高频下集肤效应所带来电阻过大的问题。

公开(公告)号：CN103456656B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210174260.1

申请日：2012-05-30

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 陈逸男 ,  徐文吉 ,  叶绍文 ,  刘献文

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种半导体盲孔的检测方法，包括提供一包括导电区的半导体基底；形成多个暴露出导电区的盲孔，其特征在于电阻率大于导电区的高电阻层会位在至少一盲孔的部分或全部底部区域，且高电阻层和导电区的接触面不是欧姆接触;将导电材料填满多个盲孔;进行一热处理工艺，使导电材料和半导体基底间形成欧姆接触；及利用带电射线照射填满有导电材料的多个盲孔。

公开(公告)号：CN103681302B

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201210360730.3

申请日：2012-09-25

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 陈逸男 ,  徐文吉 ,  叶绍文 ,  刘献文

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种选择性蚀刻方法，包括下列步骤：提供一硅基板；在该硅基板上形成一图案化硅氧化物罩幕；以及导入一混合气体对该硅基板进行蚀刻，用以在该硅基板中形成一狭缝，并同时完全移除该图案化硅氧化物罩幕，其中该混合气体包括氟碳气体与卤素气体，且该氟碳气体与该卤素气体的比例介于1∶1～5∶1。本发明的方法不仅可以省略单独的移除四乙氧基硅烷罩幕层的步骤，而且有助于改善硅基板(狭缝)侧壁粗糙的问题。

公开(公告)号：CN103367307B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201210084616.2

申请日：2012-03-27

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 陈逸男 ,  徐文吉 ,  叶绍文 ,  刘献文

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种穿硅通孔的结构，其包含一导电电极、一绝缘层以及一掺杂区。其中，导电电极设置于一基底中，导电电极会贯穿基底的一第一表面以及一第二表面。绝缘层设置于基底中，并包围所述导电电极。掺杂区设置于基底中，并包围所述绝缘层。本发明的穿硅通孔由于具有掺杂区包围在导电电极以及绝缘层中，故可以解决现有技术中漏电流以及杂讯过高的缺陷。本发明另外还提供了一种穿硅通孔的形成方法。

公开(公告)号：CN103377885B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201210129107.7

申请日：2012-04-27

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 陈逸男 ,  徐文吉 ,  叶绍文 ,  刘献文

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明公开了一种形成开口的方法。首先提供一基板，然后在基板上依次形成抗反射层以及光致抗蚀剂层。接着在光致抗蚀剂层中形成第一开口，以及在抗反射层中形成第二开口。后续对第二开口进行一平滑处理步骤。最后通过第一开口与第二开口以图案化基板，以在基板中形成第三开口。

公开(公告)号：CN103378102B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201210107541.5

申请日：2012-04-13

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 陈逸男 ,  徐文吉 ,  叶绍文 ,  刘献文

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明公开了一种半导体结构，具有位在电容器导电材料和半导体底材间的导电阻挡层。导电阻挡层又被包围电容器导电材料的电介质层围绕，且直接接触电容器导电材料和半导体底材。导电阻挡层作为电连接电容器导电材料和半导体底材的缩减埋藏式连接带结构。

公开(公告)号：CN103378031B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201210118196.5

申请日：2012-04-20

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 陈逸男 ,  徐文吉 ,  叶绍文 ,  刘献文

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片，包含基底、穿硅通孔结构、上凸块以及绝缘结构。基底具有上表面以及相对于上表面的下表面。通孔设置于基底中，贯穿上表面以及下表面。穿硅通孔结构设置于通孔中，包含第一通孔金属与第二通孔金属。上凸块设置于上表面上，与穿硅通孔结构电性连接，并包含第一凸块金属与第二凸块金属。绝缘结构设置于基底中并远离上表面，而围绕第二通孔金属。本发明另外还提供了一种封装结构与其形成方法。

公开(公告)号：CN103378147B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201210109073.5

申请日：2012-04-13

Applicant: 南亚科技股份有限公司

Inventor： 陈逸男 ,  徐文吉 ,  叶绍文 ,  刘献文

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种双垂直沟道晶体管，包括音叉型基底，其包括两个尖叉部；埋入式位线，埋入凹槽的底部，其中凹槽位在音叉型基底的两个尖叉部间；第一源/漏极区，位在音叉型基底内并紧邻埋入式位线；第二源/漏极区，位在音叉型基底的两个尖叉部的顶部；至少一绝缘栅极结构，埋入第二凹槽的底部，其中第二凹槽设置在尖叉部的至少一侧，且绝缘栅极结构的顶面高于埋入式位线的顶面；前栅极，位在音叉型基底的第一侧面上；及后栅极，位在音叉型基底相对于第一侧面的第二侧面上。