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公开(公告)号：CN114378474A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210037369.4
申请日：2022-01-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米银包覆微米铜焊膏及其制备方法，属于电子封装连接材料技术领域；纳米银包覆微米铜焊膏中包括以微米铜为核，纳米银为壳，微米铜和纳米银的摩尔比为(5～1)∶(1～5)的银包铜颗粒；本发明采用化学镀方法制备银包铜颗粒，银元素以纳米银颗粒的形式在微米铜颗粒表面包覆；本发明化学镀制备的银包铜颗粒，较微米铜颗粒与纳米银颗粒直接进行物理混合，混合的更加均匀，抗氧化性更好；该方法具有工艺简单，成本低、生产效率高的特点，制成焊膏后，纳米银颗粒较高的比表面能为纳米银包覆微米铜焊膏烧结过程提供更大的驱动力，可以显著降低烧结温度，并能提高其烧结致密度。
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公开(公告)号：CN114280408A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111665620.3
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本申请公开了一种多温度环境下微焊点原位电迁移数据测试系统和方法，本系统包括：金相探测装置、密闭仓体、热感装置、干燥物质、直流电源和热影响环境设备；金相探测装置用于得到微焊点初始状态表征和测试状态表征，热感装置用于监测微焊点的温度；干燥物质用于对密闭仓体进行干燥处理；直流电源用于向微焊点通入直流电流；热影响环境设备用于向密闭仓体提供热疲劳环境或热时效环境。本方法包括：获取微焊点的初始状态表征；向微焊点通入直流电流；将微焊点置于密闭且干燥的密闭仓体中；将密闭仓体置于热疲劳环境或热时效环境中；完成微焊点原位电迁移测试。本申请能够有效隔绝空气中的水分、灰尘等影响，顺利进行焊点的原位表征。
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公开(公告)号：CN114012538A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111400806.6
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本申请公开了一种能够控制一维线性对接焊点尺寸的方法，包括：对待焊接的两根铜棒进行焊前预处理，得到两根待焊铜棒；按照预设的空间位置对两根待焊铜棒进行焊接操作，得到一维线性对接焊棒；使用定制树脂制作打磨平台，对一维线性对接焊棒进行打磨处理，得到初始线性对接焊点；对初始线性对接焊点进行抛磨处理，得到成品线性对接焊点。本申请能够实现精确控制一维线性对接焊点的尺寸，同时获得的对接接头能够满足拉伸、蠕变、时效、电迁移测试的各种要求。
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公开(公告)号：CN113686919A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111073954.1
申请日：2021-09-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种漆包线热解气体产物热值的检测方法，属于漆包线热解产物再利用领域。具体包括以下步骤：步骤一：通过热重(TG)分析得到漆包线的特征热解温度点；步骤二：通过Py‑GC/MS分析获得漆包线的热解气体产物种类及其产率；步骤三：使用AspenPlus软件中的化学计量反应器对热解气体产物二次燃烧反应过程进行模拟，得到热解气体产物的热值；步骤四：根据热解气体产物的产率，对漆包线不同热解气体产物的热值进行加权平均，得到不同热解温度下漆包线热解气体产物的平均热值。此方法可以用于选择漆包线的最佳热解温度，可以为漆包线热解气体产物平均热值的计算提供理论指导，为能源再利用技术提供理论参考。
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公开(公告)号：CN110791746B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201911086230.3
申请日：2019-11-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种液态合金快速填充垂直硅通孔的方法及装置涉及微电子封装领域。其中填充材料为焊料合金，预先在TSV硅片表面及盲孔内化学气相沉积一层二氧化硅绝缘层，再使用物理气相在孔壁上沉积钛阻挡层，最后在沉积了二氧化硅的硅片表面化学电镀一层铜作为润湿层，将上述得到的硅片放置于真空室中，加热合金使其熔化，由于焊料合金与铜之间的润湿性，合金熔化后与硅片完全接触时加压，加压后保持真空室内的压力，待温度冷却后完成填充。本发明可提高硅通孔TSV的填充效率，完成焊料合金对于高深宽比盲孔TSV的无孔洞填充。合金与TSV孔壁之间结合牢固且填充工艺简单。TSV快速填充装置，包括真空出口，氮气入口，出口和入口均有阀门控制。压力表，反应室，加热装置，温度显示装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109166819A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810838959.0
申请日：2018-07-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/67
Abstract: 一种用于熔融钎料填充硅通孔的装置涉及半导体器件制造技术领域。硅通孔的填充技术是三维集成的核心关键技术。目前硅通孔填充材料以铜为主，但是存在成本与可靠性等众多问题，而钎料填充工艺不仅成本低廉且材料本身热膨胀系数适宜，具有研究潜力。本专利中，为低成本通孔填充工艺开发了一种新型熔融钎料填充设备，装置包括密封罐罐体、加热块、抽真空系统、冷却水循环系统、真空计等。采用加热炉加热密封罐体，可以控制加热钎料的温度与加热速度。除此之外，利用罐体上方密封盖与真空泵控制罐内压力大小。通过此设备可以完成8寸至12寸TSV硅晶圆钎料的填充，有效地解决了如何使用钎料高效填充TSV的问题，完善钎料填充TSV工艺。
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公开(公告)号：CN108061737A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711276253.1
申请日：2017-12-06
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N23/20008 , G01N23/203 , G01N1/32
Abstract: 一种锡基钎料互连焊点的电子背散射衍射样品的制备方法属于电镜样品制备技术领域。其工艺步骤为：粗磨、粗抛、二次抛光、清洗。其中粗抛过程中的抛光粉为0.3～0.5μm的α‑氧化铝抛光粉，二次抛光过程中的抛光液为0.02～0.05μm的氧化硅悬浮液。本发明对样品的尺寸没有限制，制备工艺简单，无机械研磨工艺，无需使用仪器、设备，不受场地、设施限制，抛光效果好。可以容易的制备锡基钎料焊点EBSD样品，可在扫描电子显微镜上获得清晰的EBSD取向成像图。
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公开(公告)号：CN103926159B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410147827.5
申请日：2014-04-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N3/28
Abstract: 一种微焊点蠕变性能测试装置及使用方法，属于材料连接测试技术领域，上拉杆插入上板通孔，下拉杆插入下板通孔。式样两端通孔分别穿在上拉杆和下拉杆的固定销钉上。根据所需要的加载载荷，在配重挂钩上挂载相应重量砝码。上拉杆和下拉杆配合为一组，可以满足一个式样的蠕变性能测试。同一拉杆框架可以实现多个式样的同时测试。试样蠕变寿命采用四探针测电阻法采集数据。采用多通道信号采集设备，将探针夹持在式样上即可。如果需要温度环境，可以将本装置放置在温箱中，从外部接入测试探针即可进行测试。该装置结构简单，能够实现多个样品同时测试。
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公开(公告)号：CN103111700B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310055780.5
申请日：2013-02-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 微型钎焊搭接接头及搭接方法，属于材料连接技术领域，为两个狗骨头状的薄片铜基板通过钎焊搭接在一起，铜基板的一端细长，作为颈部，另一端宽，作为尾部，在尾部中心位置打孔，铜基板厚度为0.2mm-0.6mm，颈部宽度0.5mm-1mm，尾部宽度3mm-5mm，尾部打孔位置在铜基板中心线上，距末端2mm-5mm均可，打孔的孔直径保持在0.8mm-2.5mm之间。搭接方法：首先将铜基板放入刷膏模具中，然后将网板覆盖在刷膏模具上进行网孔对位，接着将焊膏涂覆到网孔中，取走网板、取出铜基板，另取一个未涂敷焊膏的铜基板搭接后放入回流焊炉中进行焊接。本发明能够保证焊接接头的尺寸；一次成型数量多。
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