公开(公告)号：CN109166819A

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201810838959.0

申请日：2018-07-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王娇娇 ,  马立民 ,  郭福 ,  王乙舒 ,  冯剑雨 ,  赵雪薇 ,  齐楚晗

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/67

Abstract: 一种用于熔融钎料填充硅通孔的装置涉及半导体器件制造技术领域。硅通孔的填充技术是三维集成的核心关键技术。目前硅通孔填充材料以铜为主，但是存在成本与可靠性等众多问题，而钎料填充工艺不仅成本低廉且材料本身热膨胀系数适宜，具有研究潜力。本专利中，为低成本通孔填充工艺开发了一种新型熔融钎料填充设备，装置包括密封罐罐体、加热块、抽真空系统、冷却水循环系统、真空计等。采用加热炉加热密封罐体，可以控制加热钎料的温度与加热速度。除此之外，利用罐体上方密封盖与真空泵控制罐内压力大小。通过此设备可以完成8寸至12寸TSV硅晶圆钎料的填充，有效地解决了如何使用钎料高效填充TSV的问题，完善钎料填充TSV工艺。

公开(公告)号：CN109166818A

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201810838878.0

申请日：2018-07-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王娇娇 ,  马立民 ,  郭福 ,  王乙舒 ,  冯剑雨 ,  齐楚晗 ,  赵雪薇

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/67

Abstract: 一种用于熔融钎料填充硅通孔的方法涉及半导体器件制造技术领域。2.5D/3D集成与系统封装是现在与未来的研发方向。其中，TSV填充工艺被认为是实现三维集成技术的核心关键技术。目前硅通孔填充材料以铜为主，但是铜的成本高且易产生可靠性问题，需要寻找新的填充材料。钎料填充工艺克服了现有合金(以铜为主)填充硅通孔技术的不足，具有研究潜力。本发明提供了一种制作成本低廉、操作便利、填充速度快的钎料填充硅通孔新方法，即通过加热使金属融化，然后通过真空压差产生的毛细作用力将熔融的金属吸入到硅通孔中。这种方法具有极高的填充速度，方法简单，易于实施，同时可以填充多种类的钎料与晶圆。

公开(公告)号：CN108941818A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201811114880.X

申请日：2018-09-25

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郭福 ,  田雨 ,  马立民 ,  王乙舒 ,  齐楚晗

IPC: B23K1/00 ,  B23K1/20 ,  B23K35/40 ,  B23K35/26

Abstract: 低温快速制备Cu6Sn5金属间化合物一维线性焊点的方法属于材料制备与连接领域，适用于制备Cu6Sn5金属间化合物一维线性焊点。采用一维线性铜棒作为焊盘，并将其用双面胶固定于印刷电路板上，在两个铜棒之间填入复合钎料焊膏，采用无铅焊接系统对焊缝处进行焊接，制备一维线性钎料焊点，经过磨抛，获得可用于进行电学，力学及热学可靠性研究的Cu6Sn5金属间化合物一维线性焊点。该方法能够保证低成本低温且快速制备Cu6Sn5金属间化合物一维线性焊点，能够缓解由于Sn基焊点的各向异性导致的失效问题，同时能够大大降低传统金属间化合物焊点的制备成本。