公开(公告)号：CN109166819A

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201810838959.0

申请日：2018-07-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王娇娇 ,  马立民 ,  郭福 ,  王乙舒 ,  冯剑雨 ,  赵雪薇 ,  齐楚晗

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/67

Abstract: 一种用于熔融钎料填充硅通孔的装置涉及半导体器件制造技术领域。硅通孔的填充技术是三维集成的核心关键技术。目前硅通孔填充材料以铜为主，但是存在成本与可靠性等众多问题，而钎料填充工艺不仅成本低廉且材料本身热膨胀系数适宜，具有研究潜力。本专利中，为低成本通孔填充工艺开发了一种新型熔融钎料填充设备，装置包括密封罐罐体、加热块、抽真空系统、冷却水循环系统、真空计等。采用加热炉加热密封罐体，可以控制加热钎料的温度与加热速度。除此之外，利用罐体上方密封盖与真空泵控制罐内压力大小。通过此设备可以完成8寸至12寸TSV硅晶圆钎料的填充，有效地解决了如何使用钎料高效填充TSV的问题，完善钎料填充TSV工艺。

公开(公告)号：CN109166818A

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201810838878.0

申请日：2018-07-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王娇娇 ,  马立民 ,  郭福 ,  王乙舒 ,  冯剑雨 ,  齐楚晗 ,  赵雪薇

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/67

Abstract: 一种用于熔融钎料填充硅通孔的方法涉及半导体器件制造技术领域。2.5D/3D集成与系统封装是现在与未来的研发方向。其中，TSV填充工艺被认为是实现三维集成技术的核心关键技术。目前硅通孔填充材料以铜为主，但是铜的成本高且易产生可靠性问题，需要寻找新的填充材料。钎料填充工艺克服了现有合金(以铜为主)填充硅通孔技术的不足，具有研究潜力。本发明提供了一种制作成本低廉、操作便利、填充速度快的钎料填充硅通孔新方法，即通过加热使金属融化，然后通过真空压差产生的毛细作用力将熔融的金属吸入到硅通孔中。这种方法具有极高的填充速度，方法简单，易于实施，同时可以填充多种类的钎料与晶圆。

公开(公告)号：CN102394208B

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201110341108.3

申请日：2011-11-02

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王金淑 ,  刘伟 ,  杨帆 ,  刘祥 ,  杨韵斐 ,  赵雪薇 ,  周美玲 ,  左铁镛

IPC: H01J23/04 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/142 ,  H01J1/13 ,  H01J1/14 ,  H01J1/144 ,  H01J9/047 ,  H01J23/05

Abstract: 浸渍型氧化钇-钨基钇、钪酸盐阴极材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。阴极基体中稀土氧化物为3-10％wt，其余为钨；对其浸渍的阴极发射活性盐中Sc2O3重量含量为2-6％，Y2O3重量含量为3-5％，其余为铝酸钡钙，铝酸钡钙中元素Ba∶Ca∶Al摩尔比为4∶1∶1。制备方法为：将钨粉和稀土氧化物Y2O3机械混合、压制、烧结得到基体；以硝酸钇、硝酸钪、硝酸钡、硝酸钙、硝酸铝和碳酸铵为原料，焙烧制备出浸渍用活性盐；在氢气气氛下对阴极基体进行浸渍以获得阴极材料。测试其二次电子发射系数明显高于钡钨阴极的二次电子发射系数，且热发射电流密度可以达到20.99A/cm2。

公开(公告)号：CN109470699A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811194876.9

申请日：2018-10-15

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 马立民 ,  赵雪薇 ,  王乙舒 ,  郭福

IPC: G01N21/84 ,  G01N21/95 ,  G01N23/2202 ,  G01N23/2251

Abstract: 一种TSV电镀铜填充效果的测试方法属于材料制备与连接领域。包括步骤1：将化学机械抛光后的TSV晶圆样品切割取样，并将取自晶圆上不同区域的TSV样品置于坩埚中；步骤2：随后将坩埚放入管式炉中，并在管式炉中通入氩气作为保护气体；以10℃/min的升温速度将管式炉中的温度升至后保温；保温过程完成后，关闭管式炉加热装置，保持样品仍然在氩气保护下放置于管式炉的石英管中。打开管式炉保温炉盖，将石英管以及其中的TSV样品进行空气冷却。步骤3：当管式炉中的温度降低至室温后，解除石英管的密封状态，将石英管中的样品取出，在金相显微镜下观察。本发明分析周期短，有效方便、费用低，可以节约时间和成本。

公开(公告)号：CN102394208A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201110341108.3

申请日：2011-11-02

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王金淑 ,  刘伟 ,  杨帆 ,  刘祥 ,  杨韵斐 ,  赵雪薇 ,  周美玲 ,  左铁镛

IPC: H01J23/04 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/142 ,  H01J1/13 ,  H01J1/14 ,  H01J1/144 ,  H01J9/047 ,  H01J23/05

Abstract: 浸渍型氧化钇-钨基钇、钪酸盐阴极材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。阴极基体中稀土氧化物为3-10％wt，其余为钨；对其浸渍的阴极发射活性盐中Sc2O3重量含量为2-6％，Y2O3重量含量为3-5％，其余为铝酸钡钙，铝酸钡钙中元素Ba∶Ca∶Al摩尔比为4∶1∶1。制备方法为：将钨粉和稀土氧化物Y2O3机械混合、压制、烧结得到基体；以硝酸钇、硝酸钪、硝酸钡、硝酸钙、硝酸铝和碳酸铵为原料，焙烧制备出浸渍用活性盐；在氢气气氛下对阴极基体进行浸渍以获得阴极材料。测试其二次电子发射系数明显高于钡钨阴极的二次电子发射系数，且热发射电流密度可以达到20.99A/cm2。