-
公开(公告)号：CN119878058A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510290819.4
申请日：2025-03-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: E21B33/13 , E21B33/134 , E21B36/04
Abstract: 本发明属于石油井下封堵技术领域，涉及一种振动辅助井下原位金属封堵装置及工艺，包括：由上至下依次连接的连接轴、电能与温度控制部件、加热工作区与合金容纳区部件和底部壳体释放组件；连接轴内设置有电缆，电缆的一端与位于地面的电源电性连接，电缆的另一端与电能与温度控制部件电性连接，电缆用于为电能与温度控制部件提供电能；加热工作区与合金容纳区部件内填充有封堵合金，加热工作区与合金容纳区部件内设有加热部和振动部，加热部和振动部均与电能与温度控制部件电性连接，加热部和振动部用于加热和振荡封堵合金，使封堵合金呈熔融态；底部壳体释放组件用于将熔融态的封堵合金释放，还包括使用该装置的一种原位金属封堵工艺。
-
公开(公告)号：CN118699337A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410738447.2
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种超声处理亚共晶锡铋合金熔体的方法，属于金属合金材料领域，将锡铋合金加热至熔化，将超声辐射杆伸入锡铋合金熔体中，进行首次超声处理，然后将首次超声处理过的锡铋合金熔体冷却，再次将超声辐射杆插入冷却后的锡铋合金熔体中，进行二次超声处理，将二次超声处理过的锡铋合金熔体冷却至室温。本发明通过控制合金熔体的冷却温度以及超声处理工艺参数保证了锡铋合金的韧性和塑性，降低超声振动热输入对于熔体内晶体生长的影响。
-
公开(公告)号：CN116956773A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310905966.9
申请日：2023-07-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F30/28 , G06F30/20 , G06F113/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种电场辅助液体合金射流断裂情况预测方法，包括：利用COMSOL仿真软件，建立静电场、层流场和水平集场的多物理场耦合模型，并选择研究方式为瞬态；基于所述多物理场耦合模型，构建初始几何物理模型；添加空材料赋予给所述初始几何物理模型，并设置材料属性，获取几何物理模型；分别设置所述静电场、所述层流场和所述水平集场，完成对所述多物理场耦合模型的设置；基于设置后的多物理场耦合模型，将流体流动和移动界面进行耦合；基于将所述流体流动和所述移动界面进行耦合后的多物理场，所述几何物理模型对液体合金在电场扰动下的断裂过程进行模拟，获取电场辅助液体合金射流断裂情况。本发明提高了模型的准确度。
-
公开(公告)号：CN114226901B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111667742.6
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本申请公开了一种多双孪晶组和细小晶粒构成的多晶结构焊点生成方法，包括：对预制的多系焊球进行处理，得到备用焊球；对PCB板进行焊前预处理，得到备用PCB板；对备用焊球进行第一次焊接处理，使备用焊球与备用PCB板上的铜结合，得到凸焊点；对凸焊点进行去锡操作，得到IMC焊盘；对IMC焊盘和备用焊球进行第二次焊接处理，得到IMC凸焊点；对IMC凸焊点进行第三次焊接处理，得到多晶结构焊点。本申请通过形成多双孪晶组和细小晶粒构成的多晶结构焊点，降低焊点内部Sn取向不利的现象，延长焊点可靠性和使用寿命。本申请方法工艺简单，成本低廉，制作出焊点尺寸可控。
-
公开(公告)号：CN114012538B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202111400806.6
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本申请公开了一种能够控制一维线性对接焊点尺寸的方法，包括：对待焊接的两根铜棒进行焊前预处理，得到两根待焊铜棒；按照预设的空间位置对两根待焊铜棒进行焊接操作，得到一维线性对接焊棒；使用定制树脂制作打磨平台，对一维线性对接焊棒进行打磨处理，得到初始线性对接焊点；对初始线性对接焊点进行抛磨处理，得到成品线性对接焊点。本申请能够实现精确控制一维线性对接焊点的尺寸，同时获得的对接接头能够满足拉伸、蠕变、时效、电迁移测试的各种要求。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114211075A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111659851.3
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种通过改变焊接参数改变Sn基钎料焊点重熔晶体取向的方法，涉及材料制备与连接技术领域，以SABI钎料为原料，重熔温度为245℃～310℃，可应用于基体材料主要为Cu/Ni UBM的电子封装元器件的低温钎焊，通过工艺参数设定，得到的焊点晶体取向与普通钎料如SAC305的晶体取向不同，焊点内部晶向彼此交互交叉相互掺杂，且晶向碎且乱，形成交叉晶和多双孪晶，交叉晶和多双孪晶的存在使Sn基焊点的各向异性程度大大降低，性能均匀。
-
公开(公告)号：CN114962508B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210672890.5
申请日：2022-06-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开一种具有负泊松比的减震板杆结构，包括桁架和菱形旋转子，所述桁架包括周期性单元，所述周期性单元为近内凹六边形结构，每组所述周期性单元的近内凹六边形结构包含横杆和斜杆，所述斜杆对称在横杆两端且位于同侧，同侧所述斜杆之间的横杆上设有菱形旋转子，所述菱形旋转子上下侧均设有桁架且两组桁架平行设置，所述桁架和菱形旋转子交替排列设置；本发明的板杆结构疏松多孔且具有良好的负泊松比性能，在弹性限度内，受到外界震动时，可吸收能量，达到良好的减震效果。
-
公开(公告)号：CN117004865A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311208845.5
申请日：2023-09-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种细晶化SnBiIn合金及其制备方法和应用，涉及电子封装芯片互联材料制造技术领域。本发明提供了一种细晶化SnBiIn合金，按原子百分比计，Sn的含量为30～50at％，Bi的含量为20～40at％，In的含量为30～50at％，细晶化SnBiIn合金采用球磨的方法制备得到。本发明还提供了一种SnBiIn合金钎料，包含SnBiIn合金焊片或SnBiIn合金焊膏。本发明通过调整各元素的比例，并采用真空感应熔炼与球磨的制备方法，使In完全与Bi反应，抑制了脆性Bi相析出，组织均匀细小，熔点低，提高焊点的电迁移性能、热疲劳性能和力学性能，减小芯片翘曲的程度以及焊点失效的概率。
-
公开(公告)号：CN115383343A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211069185.2
申请日：2022-09-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于核壳结构强化相增强的Sn基无铅复合钎料及其制备方法，涉及电子封装连接材料制造技术领域。本发明复合钎料由95～99.9wt％的Sn基无铅钎料合金粉末和0.1～5wt.％的核‑壳结构增强颗粒组成。核‑壳结构颗粒核心选用Si及Si基化合物，采用Ni、Ag、Cu等可以和Sn原位反应生成金属间化合物的金属作为外壳。本发明通过将增强颗粒和Sn基无铅钎料合金粉末按上述组分含量在无水乙醇中机械搅拌10～30min，过滤烘干后得到混合粉末。混合粉末中可添加助焊剂制成膏状，或在模具中直接压制成片状/块状，用于后续不同的焊接工艺中，如回流焊、扩散焊等。本发明用于制备Sn基无铅复合钎料，可以使增强颗粒分布均匀，提高钎料力学性能，且工艺简单可靠、成本低廉。
-
公开(公告)号：CN114192918A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111660958.X
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种SnAgBiIn钎料在制备Sn基钎料互连焊点中的应用，属于材料制备与连接技术领域；所述SnAgBiIn钎料为Sn3.5Ag0.5Bi8.0In钎料焊膏。Sn基钎料互连焊点的制备步骤为：将钎料焊膏涂敷于两个焊盘之间，采用热风焊接在240℃‑300℃下重熔焊接30s‑10min，然后冷却，得到具有“交叉晶”结构的Sn基钎料互连焊点。这种呈现各向同性的“交叉晶”焊点结构，保证了焊接结构的一致性，并且交叉晶结构在一定程度上可以保证焊点服役寿命的一致性，达到提升电子封装产品整体质量水平的目的。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.026 seconds)
