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公开(公告)号:CN101281949A
公开(公告)日:2008-10-08
申请号:CN200810111675.8
申请日:2008-05-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L33/00 , H01L21/428 , H01S5/00
Abstract: 一种提高氧化锌薄膜紫外光致发光强度的方法属于半导体光电材料领域。现有提高氧化锌薄膜紫外光致发光强度的方法存在工艺流程复杂、不易控制,耗时较长等问题。本发明通过激光辐照预处理后的氧化锌薄膜,从而提高氧化锌薄膜室温下的紫外光致发光强度;其中,激发波长为248nm;电控旋转台转动速度为10~40°/s;脉冲频率为1~5Hz;激光输出能量密度为250~650mJ/cm2;激光脉冲数为30~100。本发明方法具有时间短、可控性强、重复性高、操作简单等优点。
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公开(公告)号:CN101265115A
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:CN200810104264.6
申请日:2008-04-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/64 , C04B35/495
Abstract: 激光快速烧结Sr1.86Ca0.14NaNb5O15压电陶瓷的方法属于Sr1.86Ca0.14NaNb5O15无铅压电陶瓷的制备领域。传统工艺制备周期长、效率低、能耗大,不利于工业生产。本发明通过对Sr1.86Ca0.14NaNb5O15陶瓷配料、混合、预反应、掺胶、压片得到陶瓷素坯体后,再采用光斑直径与其相等的激光束辐照烧结:将功率在60秒内从0W线性升高到60W辐照60秒;再将功率于60秒内线性升高到90W辐照300秒;最后将功率于120秒内降到0W,结束烧结得到致密且完整的Sr1.86Ca0.14NaNb5O15压电陶瓷。本发明操作简便、烧结时间短、产品物理性能好,可重复性强。
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公开(公告)号:CN101241002A
公开(公告)日:2008-08-13
申请号:CN200810101945.7
申请日:2008-03-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种观察激光打孔硬脆性非金属材料孔剖面形状的方法,特别适用于对硬脆性非金属材料的孔剖面形状进行测量,属于测量方法领域。本发明通过重叠并压紧某种材料的薄片至特定厚度并进行激光打孔,打孔后将重叠薄片的展开,分别测量各个薄板上下表面的孔径并记录各孔径的深度位置,最后采用曲线拟合的方法描绘出孔剖面形状。采用该发明方法避免对硬脆性材料的研磨抛光,简单快速的完成对激光打孔的孔剖面形状的确定,而且所得到的孔剖面形状与一整块相同厚度相同材料的样品进行相同打孔工艺打孔的孔剖面形状一致。
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公开(公告)号:CN100365157C
公开(公告)日:2008-01-30
申请号:CN200510115765.0
申请日:2005-11-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属功能薄膜领域。现有技术Si基片上制备La0.67Ba0.33MnO3薄膜工艺复杂,周期长,生产成本高,且缓冲层对薄膜性能产生未知影响。本发明包括以下步骤:硅基片用丙酮、乙醇、去离子水依次清洗,干燥后置于真空室内的硅板加热器上;抽真空至4×10-4~4×10-5Pa后,硅板加热器升温至650~850℃,且真空度保持在4×10-4Pa~4×10-5Pa;充入氧气,流动氧压保持在5~80Pa;1~2J/cm2的准分子激光以2~5Hz的频率轰击La0.67Ba0.33MnO3靶材3000~25000个脉冲;总脉冲数分3~6次输出,每次输出500~5000个脉冲,间隔3~10分钟;然后硅板加热器以3~20℃/min升至750~900℃,氧压保持在300~1×105Pa,保温1~12小时后将硅板温度分3个阶段降至室温。本发明未使用缓冲层,薄膜居里温度达到296~298K,275K时的TCR高于9%K-1,290K时的TCR为6%K-1;工艺简单,周期短,成本低,薄膜择优生长,结晶形态好。
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公开(公告)号:CN101050122A
公开(公告)日:2007-10-10
申请号:CN200710099428.6
申请日:2007-05-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/64 , C04B35/622 , C04B35/495
Abstract: 本发明涉及一种功能陶瓷的制备方法,特别涉及一种铌酸锂陶瓷的制备方法。本发明采用激光辐照制备铌酸锂陶瓷,目的在于克服现有技术中的不足而提供一种方便、快捷地制备易于极化的铌酸锂陶瓷的方法。采用传统方法制备陶瓷素坯,使用激光辐照方法在960~980℃烧结10~30分钟制备得到铌酸锂陶瓷。与现有技术相比,本发明缩短了制备周期,减少了烧结过程中Li的挥发,降低了陶瓷的极化温度,操作简单,可控性强。
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公开(公告)号:CN1329341C
公开(公告)日:2007-08-01
申请号:CN200510051095.0
申请日:2005-03-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/64
Abstract: 一种六方相钛酸钡陶瓷的激光制备方法,属于陶瓷制备领域。其特征在于,它包括如下步骤:采用传统的固相反应方法制备出BaTiO3陶瓷坯材样品,采用大功率激光作为直接辐照源,采用扫描的方式辐照陶瓷坯材,在10~60秒内将激光功率密度从初值0连续提高到466~777w/cm2,经过20~60秒的烧结后,在10~60秒的时间内连续降低功率密度;激光关光,样品冷却成瓷。本实验制备的BaTiO3陶瓷呈六方相,制备时间短,过程易于控制,工艺重复性高,可实现无污染烧结。
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公开(公告)号:CN1909307A
公开(公告)日:2007-02-07
申请号:CN200610089743.6
申请日:2006-07-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种大功率固体激光器泵浦光的反射面的设计方法及装置,属于激光技术领域。采用本方法设计的反射面包括椭圆弧反射面(1)和圆弧反射面(2)。具体设计方法为先采用常规的方法设计椭圆反射面,再采用光线追迹法确定工作物质的位置,然后确定椭圆弧反射面和圆弧反射面的交点。过工作物质位置中心作主轴的垂线,该线与椭圆反射面有两交点,则交点与临界点之间的两段椭圆弧线即为所求的椭圆弧反射面。以泵浦灯中心为圆心,以两临界点为圆弧端点画弧,即可得该段圆弧反射面。以过工作物质中心并与主轴垂直的直线AB为对称线,画出另一半图形即得该整个泵浦腔反射面。本发明设计反射面所得泵浦效果好,大大提高激光器输出功率及光束质量。
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公开(公告)号:CN1869278A
公开(公告)日:2006-11-29
申请号:CN200610081231.5
申请日:2006-05-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种激光辐照提高镧钡锰氧薄膜性能的方法,属功能薄膜领域。PLD制备的La1-xBaxMnO3薄膜,TCR为4%,退火处理时间长,TCR值提高不明显。本发明步骤:将清洗干净的基片干燥后置于真空室内的硅板加热器上;保持5×10-4Pa~2×10-4Pa,700℃~850℃,氧气流动压5~80Pa,准分子激光轰击La0.67Ba0.33MnO3靶材;沉积结束后降至室温;将制备的薄膜置于旋转平台上,以35~60W/cm2激光辐照10~120秒。激光辐照后,薄膜的转变温度提高至340K,TCR值提高至8.8%K-1(307K),成本降低,效率提高,有利于工业化生产;薄膜表面粗糙度降低。
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公开(公告)号:CN1281548C
公开(公告)日:2006-10-25
申请号:CN200510085224.8
申请日:2005-07-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明属于介电陶瓷制备领域。现有的工艺制备周期长,效率低,能耗大,介电系数小,工业生产选择性少,不利于工业生产实用化的问题。本发明提供了一种Nb2O5-TiO2体系介电陶瓷烧结工艺,其步骤为:在X=0.01~0.13范围内将Nb2O5和TiO2粉料按配比(Nb2O5)1-x(TiO2)x进行配料;以200℃/小时的升温速率升温至1250℃,保温18小时;在预烧后的粉料中将掺入3%质量浓度的聚乙烯醇(PVA)胶进行造粒,其中胶的重量为粉料总重量的6%;在200MPa压力下,压制成坯体片;以100℃/小时的升温速率升温至1350℃~1380℃,并保温2~15小时,然后以150℃/小时的速率降至室温,最终烧结成致密的片状陶瓷体。本发明制备周期短、能耗低、介电系数大,工业应用选择性大。
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公开(公告)号:CN1785906A
公开(公告)日:2006-06-14
申请号:CN200510117531.X
申请日:2005-11-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/36
Abstract: 本发明涉及功能陶瓷制备方法。现有镧钙锰氧陶瓷制备周期长,烧结过程易引入杂质造成污染。本发明步骤:1)将氧化镧、碳酸钙、二氧化锰按La1-xCaxMnO3称量,x=0.3-0.4;2)球磨6-10小时;3)烘干;4)过180目筛;5)预烧:以300℃/小时的速度升到1000℃保温8-15小时后随炉冷却;6)加PVA胶体造粒;7)150-200MPa下压结成片;8)烧结:以150℃/小时的速度升温到600℃保温2小时,再以100℃/小时的速度升温到1100℃,保温10-20小时后冷却;9)激光辐照:工作台旋转速度10°-30°/s,先用60-120秒将功率升高到10W,再用90-180秒将激光功率逐渐调节到50W,经过300-420秒辐照后用100-150秒降至零,放置冷却。本发明缩短了制备周期,避免了多次烧结带来的不必要污染;电阻温度系数达8-10%K-1;激光烧结操作简单,可控性强,重复性高。
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