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公开(公告)号：CN100365157C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200510115765.0
申请日：2005-11-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属功能薄膜领域。现有技术Si基片上制备La0.67Ba0.33MnO3薄膜工艺复杂，周期长，生产成本高，且缓冲层对薄膜性能产生未知影响。本发明包括以下步骤：硅基片用丙酮、乙醇、去离子水依次清洗，干燥后置于真空室内的硅板加热器上；抽真空至4×10-4～4×10-5Pa后，硅板加热器升温至650～850℃，且真空度保持在4×10-4Pa～4×10-5Pa；充入氧气，流动氧压保持在5～80Pa；1～2J/cm2的准分子激光以2～5Hz的频率轰击La0.67Ba0.33MnO3靶材3000～25000个脉冲；总脉冲数分3～6次输出，每次输出500～5000个脉冲，间隔3～10分钟；然后硅板加热器以3～20℃/min升至750～900℃，氧压保持在300～1×105Pa，保温1～12小时后将硅板温度分3个阶段降至室温。本发明未使用缓冲层，薄膜居里温度达到296～298K，275K时的TCR高于9%K-1，290K时的TCR为6%K-1；工艺简单，周期短，成本低，薄膜择优生长，结晶形态好。
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公开(公告)号：CN1785906A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510117531.X
申请日：2005-11-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/36
Abstract: 本发明涉及功能陶瓷制备方法。现有镧钙锰氧陶瓷制备周期长，烧结过程易引入杂质造成污染。本发明步骤：1)将氧化镧、碳酸钙、二氧化锰按La1－xCaxMnO3称量，x＝0.3－0.4；2)球磨6－10小时；3)烘干；4)过180目筛；5)预烧：以300℃/小时的速度升到1000℃保温8－15小时后随炉冷却；6)加PVA胶体造粒；7)150－200MPa下压结成片；8)烧结：以150℃/小时的速度升温到600℃保温2小时，再以100℃/小时的速度升温到1100℃，保温10－20小时后冷却；9)激光辐照：工作台旋转速度10°－30°/s，先用60－120秒将功率升高到10W，再用90－180秒将激光功率逐渐调节到50W，经过300－420秒辐照后用100－150秒降至零，放置冷却。本发明缩短了制备周期，避免了多次烧结带来的不必要污染；电阻温度系数达8－10％K－1；激光烧结操作简单，可控性强，重复性高。
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公开(公告)号：CN1752268A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510115765.0
申请日：2005-11-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明包括以下步骤：硅基片用丙酮、乙醇、去离子水依次清洗，干燥后置于真空室内的硅板加热器上；抽真空至4×10－4～4×10－5Pa后，硅板加热器升温至650～850℃，且真空度保持在4×10－4pa～4×10－5Pa；充入氧气，流动氧压保持在5～80Pa；1～2J/cm2的准分子激光以2～5Hz的频率轰击La0.67Ba0.33MnO3靶材3000～25000个脉冲；总脉冲数分3～6次输出，每次输出500～5000个脉冲，间隔3～10分钟；然后硅板加热器以3～20℃/min升至750～900℃，氧压保持在300～1×105Pa，保温1～12小时后将硅板温度分3个阶段降至室温。本发明未使用缓冲层，薄膜居里温度达到296～298K，275K时的TCR高于9％K－1，290K时的TCR为6％K－1；工艺简单，周期短，成本低，薄膜择优生长，结晶形态好。
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公开(公告)号：CN2847319Y
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200520127504.6
申请日：2005-11-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02B27/10
Abstract: 本实用新型属激光光电子应用领域，克服传统装置得到方形均匀光斑制造复杂缺点。它由凹面带式积分镜L1，凸面带式积分镜L2，球面反射镜L3组成；L1和L2由相同数量，相互间有夹角的奇数个带状反射平面构成，各反射平面在与光线垂直的平面上投影的宽度相等，各带状反射平面的交线平行，L1和L2反射平面交线在空间上垂直；原始激光束经L1反射后，形成的带状光束汇聚后继续前进，并被L2的带状反射平面分成一系列由方形光束组成的光束簇，其中心光束经过L1和L2中间的带状反射平面中心。光束簇经L3反射后汇聚在工作面上，形成一光强均匀分布的方形光斑。该装置可将大功率原始激光光束整形为方形均匀光斑，实用性强。
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